ddr4規格的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

Intel大師帶你架設AI底層：持久記憶體架構服務實作

為了解決ddr4規格的問題，作者李志明,吳國安,李翔 這樣論述：

有記憶體的極速，有M.2 SSD的非揮發性， 持久性記憶體打破現有架構，是量子電腦真正出現之前的最偉大發明！ Intel作者群帶你進入持久化記憶體的世界   　　分層記憶體架構是現代電腦的基石，從CPU之內的L1、L2、L3快取以降，一直到DDR4/5的主記憶體，速度從快到慢，但真正阻礙電腦速度的最大瓶頸，就是下一層的非揮發性儲存了。雖然PCIE Gen4的M.2 SSD已達到7000MB/s的驚人讀取速度，但和處理器內的記憶體來說還是有1000倍以上的差距。為了彌補這個鴻溝，Intel推出了全新的記憶體架構，再揮發性記憶體子系統和發揮發性儲存系統之間，新增了一個新的層次，既能滿足高速的記

憶體資料傳輸，又能保有可儲存性的優點，這個稱之為3D-XPoint的技術，再度造成了整個電腦系統的世代革命。當電腦的主架構發生了天翻地覆的改變時，應用程式、伺服器、資料庫、大數據、人工智慧當然也出現了必需性的變化。在設計巨量資料的服務系統時，傳統針對記憶體斤斤計較的場景不再出現，取代的是大量運用新的持久性記憶體架構來降低系統I/O的頻寬。這對新一代的雲端運算資料中心的影響更是巨大。包括了虛擬機、容器、進而對於應用程式如軟體開發、資料庫、NoSQL、SAP/Hana，Hadoop/Spark也產生了巨大的影響。   　　本書是國內第一本中文說明這種新型應用的書籍，閱讀本書之後，對大型系統的運維已

不再是TB級而達到PB的記憶體等級了，想想一個巨型的系統服務不需要水平擴充(Scale-out)r而是可以垂直擴充(Scale-up)，這完全打破了我們從前的概念，本書將是你在進入量子電腦世代來臨前最迫切需要獲得的知識。   本書特色   　　1.在英特爾公司任職的多位專家們齊聚一堂，共同創作了這本持久化記憶體的實戰書籍。 　　2.仔細講解、深入淺出，搭配圖表輔助說明，好看好讀好吸收。 　　3.台灣第一本詳細解說持久記憶體的電腦書，讓你迅速精進，保持業界頂峰的地位。   名人推薦   　　「借助英特爾傲騰持久記憶體，我們在記憶體--儲存子系統中創建了一個新層次，這使整個產業都會受益。持久記憶體

基於革命性的英特爾3D-XPoint 技術，將傳統記憶體的速度與容量和持久性結合在一起。」──阿爾珀·伊爾克巴哈（Alper Ilkbahar），英特爾公司資料平台事業部副總裁、記憶體和儲存產品事業部總經理

ddr4規格進入發燒排行的影片

具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器與電晶體漏電流偵測器設計

為了解決ddr4規格的問題，作者蘇文健 這樣論述：

隨著製程的進步，傳輸訊號的速度也隨之增加，但越先進製程其漏電流越大，訊號的品質也越容易受環境影響，因此各種傳輸規格對於訊號品質的要求也越加重視。故本論文針對環境及漏電流對訊號品質的影響，提出兩個設計，分別為具有迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器以及單一電晶體漏電流偵測器設計。本論文第一題目為具迴轉率與責任週期自動調整之FinFET製程多重電壓輸出緩衝器，且為符合16 nm FinFET製程之系統電壓(0.8 V)與DDR4介面規格的輸出電壓要求(1.2 V)，輸出級的電路由堆疊式電晶體組成，並使用臨界電壓較低的電晶體，避免高電位差產生的閘極氧化層過壓、漏電流路徑等問

題。另外，為降低因製程環境改變而產生的電壓迴轉率變異，增加一PVT偵測器，可根據製程環境變異控制輸出級之電流量，使電壓迴轉率保持穩定。本論文第二題目提出一電晶體漏電流偵測器設計，因現有文獻中的漏電流偵測大多是針對一獨有電路的漏電流進行補償，沒有明確的漏電流大小，且鮮少有可廣泛應用於不同電路的設計。而本設計可應用於不同電路及製程中，並能準確偵測出電晶體漏電流大小的數值。本設計主要針對一P/N型電晶體漏電流進行偵測，並加入閃控脈波產生器作為偵測啟動開關，使偵測時間的長度固定且規範化，增加偵測結果的可信度。

ADS信號完整性模擬與實戰

為了解決ddr4規格的問題，作者蔣修國（編著） 這樣論述：

本書主要是以ADS軟體為依托，結合信號完整性和電源完整性的基礎理論以及實際的案例，完整地介紹了使用ADS進行信號完整性以及電源完整性模擬的流程和方法，最終都以實際的案例呈現給讀者，包括信號完整性和電源完整性的基本概念、ADS軟體基本架構以及簡單使用、PCB材料及層疊設計、IBIS模型、SPICE模型以及S參數的應用、阻抗端接匹配模擬、串擾模擬，以及使用專門的工具進行阻抗、過孔、DDR4、高速串列通道、PCB信號以及電源完整性的模擬分析等。內容翔實，實用性強。本書深入淺出結合實際案例的應用講解，非常適合信號完整性以及ADS模擬入門教程，也可以作為資深模擬工程師的工具書，還可以

作為大學電子、電路、通信、電磁場等專業的教學專業實驗教材。蔣修國，近10年信號完整性設計和模擬相關經驗，目前就職於是德科技，任EEsof應用工程師，負責信號完整性、電源完整性和EMC相關產品的應用與技術支持。曾參與過大型伺服器、交換機、高速背板和雲存儲產品的硬體研發以及信號完整性設計和模擬工作。擅長高速數字電路的信號完整性和電源完整性模擬、設計和測試；設計過QSFP28，USB Type-C等多款高速介面測試夾具。于2014年創建了「信號完整性」公眾號，每周都會分享SI、PI、RF和EMC等硬體的模擬、測試以及行業信息等相關的內容。公眾號關注人數近2萬人，文章累積閱讀和轉發量達數百萬次。

具有相位對齊之高解析度脈衝寬度調變延遲鎖定迴路

為了解決ddr4規格的問題，作者周思含 這樣論述：

由於現今在積體電路系統中已經廣泛的應用系統晶片設計概念，且市場對於高效能系統單晶片的需求日漸增長，為了整合更多功能，時脈合成或是倍頻基本已經成為晶片內部中不可或缺的功能之一。且至今電路系統中的時脈訊號也愈來愈快，在晶片內部的非理想效應會使相位產生誤差以及延遲，這可能會嚴重影響整個系統的效能，因此數位系統電路整合的同步性也變得相當重要。隨時傳統常見的頻率合成器時常使用鎖相迴路（Phase-Locked Loop，PLL）設計，不過延遲鎖定迴路（Delay-Locked Loop，DLL）本身的時脈抖動(Jitter)以及穩定度方面表現相比於鎖相迴路(PLL)要好。一般而言，鎖相迴路(PLL)系

統中含一電壓控制振盪器(Voltage Controlled Oscillator)，而此電路常會無法避免的抖動雜訊累積(Jitter accumulation)，而延遲鎖定迴路(DLL)中的電壓控制延 線(Voltage-Controlled Delay Line，VCDL)不會將輸入的雜訊累積在其中，進而使得鎖相迴路(PLL)之雜訊抗擾性低於延遲鎖定迴路(DLL)。且延遲鎖定迴路(DLL)之迴路濾波器僅需要一階的電容，不同於鎖相迴路(PLL)需要二階以上的複雜濾波器來使系統穩定，如若設計不當可能會導致系統不穩定甚至失鎖。所以延遲鎖定迴路(DLL)此方面不僅降低了晶片面積，其系統容易穩定，也

具有容易設計的特性。延遲鎖定迴路(DLL)已被廣泛地運用在許多需要時脈操作的電路上，如同步動態記憶體(SDRAM) 、數位信號處理器(DSP)、類比數位轉換器(ADC)等等，都可以使用延遲鎖定迴路來提供一個穩定的系統時脈，使電路可以達到預期的性能。我們在架構中包含相位偵測器(Phase Detector，PD)、充電幫浦(Charge Pump，CP)、迴路濾波器(Loop Filter，LF)以及電壓控制延遲線(VCDL)，而為了提高延遲時間的解析度，運用了相位內插的方式。在系統鎖定後，系統後方相位內插電路(Interpolator)在電壓控制延遲線(VCDL)的延遲級中不同的相位之間做內插

，來產生不同的相位，再經過控制選擇及相位比較來合成出不同的脈衝寬度的輸出，令此延遲鎖定迴路(DLL)可運用在脈衝寬度調變(PWM)，提高實用性。我們所提出的延遲鎖定迴路(DLL)架構採用台積電0.18-μm CMOS製程來實現，在工作電壓是1.8-V下，操作頻率為100-MHz，最小解析度為11.25˚，整體功耗為2.07 mW。