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適用於DDR4-3200之高解析度、低抖動量量測誤差、抗變異時脈抖動感測器設計

為了解決DDR4 3200的問題，作者江虎城 這樣論述：

隨著製程越來越先進，和系統單晶片的時脈操作越來越快，變異對於系統的效能影響也就越大，時脈抖動是會影響系統效能的一個變異，但大部分的晶片測試中，很難針對時脈抖動來量測。過去時脈抖動多由外部儀器量測，但由於系統的操作頻率不斷提高，欲達到較高量測效能，將會相對的提高外部儀器成本，再加上外部儀器的探針會引入雜訊，影響量測結果。為了更有效的量測時脈的抖動，因此使用內建時脈抖動量測電路較外部量測適用於量測時脈抖動。然而，在量測抖動的過程中如果發生變異，將會影響量測抖動的結果，進而提供給使用者錯誤的抖動資訊，所以本論文提出適用於DDR4-3200之高解析度、低抖動量量測誤差、抗變異時脈抖動感測器設計[1]

。相較於傳統設計，我們新提出了即時且自動校準解析度電路，在量測DDR4-3200的時脈抖動時，此電路在每次的量測模式前會進行晶片內部校準，並且校準出的解析度會判斷是否有動態的變異發生，如果有變異發生，會改變整時脈抖動感測器的解析度來達到降低量測誤差。本論文以UMC 28nm製程實現，電路的工作電壓為0.9V。電路操作頻率依據DDR4-3200的規格1.6GHz，整體電路解析度在1ps，消耗功率約2.13mW，核心電路面積約為167um×98um，最糟量測誤差由傳統時脈抖動感測器的331%降低至-148%。

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