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流通管理概論：精華理論與本土案例(6版)

為了解決eos r規格的問題，作者戴國良 這樣論述：

　　流通業包含的行業非常廣泛，舉凡：批發業、百貨零售業、倉儲業、物流業、連鎖零售業、加盟零售業、直營門市店及虛擬通路業等等，均屬於流通業的範疇。 　　「流通管理」課程所講的不只是流通業的經營管理，還有製造業或服務業都須具備倉儲物流的流通運輸機制。流通的機制與功能，也是任何企業營運的必要功能；流通做不好，商品很可能會缺貨，引起消費者不滿。甚而造成流通成本升高，對企業不利。希望透過本書的出版，可帶動相關課程的廣大應用與普及。 　　本書內容涵蓋本土流通業的最新資訊，也納入創新科技在流通管理上的應用，例如：社群媒體、行動購物、虛擬試衣間、機器人服務等，讓學生所學與產業界同步。

本書特色 　　＊精華理論與知名案例兼具 　　取材自流通業發展最先進的國家，加入本土相關案例，易於吸收了解。 　　＊內容周延完整 　　涵蓋流通業經營、管理、策略與行銷等完整面向。 　　＊著重實務導向 　　企管理論源自實務操作，尤其是流通管理。本書著眼於實務觀念的養成與技能的靈活運用。 　　＊改版更新，與時俱進 　　改版增加國內流通零售業最新實務內容，提出流通業與創新科技的未來發展趨勢。

eos r規格進入發燒排行的影片

可防止快速上電誤觸發事件且相容二倍工作電壓之靜電放電箝制電路

為了解決eos r規格的問題，作者黃瀚生 這樣論述：

隨著互補式金氧半（CMOS）製程技術不斷演進，核心運算晶片閘極氧化層厚度與工作電壓（1xVDD）持續下降以提供更快的操作速度與降低功耗，然而在系統電路板上，周遭晶片可能還維持在較高的工作電壓（2xVDD或是更高）。為兼容較早期的介面規格，過去已有2xVDD共容輸出緩衝器與邏輯閘被開發協助混合電壓共容輸入/輸出介面並只用1xVDD元件。針對前述2xVDD共容相關電路的靜電放電防護，考量在快速上電情況中，因為2xVDD電壓上電速度過快，導致傳統使用時間偵測機制之2xVDD共容靜電放電箝制電路出現無法保持關閉的誤觸發問題。所以本論文提出改用電壓偵測機制之2xVDD電壓共容靜電放電箝制電路，使用基板

觸發(Substrate-Trigger)技術的堆疊式電晶體(Stacked-NMOS)做為主要靜電防護元件，利用二極體連接方式的電晶體(Diode-Connected-PMOS)組成二極體串，設定可調整的最低啟動電壓(Minimum Starting Voltage, VSTARTING)以區分快速上電事件情況與靜電放電突波情況。傳統與新提出之2xVDD共容並只用1xVDD元件的靜電放電箝制電路已於1.8伏/3.3伏0.18微米互補式金氧半製程下成功驗證。實驗結果證明新提出之設計能夠防止快速上電誤觸發事件並且具有優異的靜電放電防護能力達HBM Level 5.25kV。然而考量供應電壓上電順

序，2xVDD較1xVDD先上電，前述新提出之2xVDD共容靜電放電箝制電路會有暫態過壓問題發生。故本論文修改所提出之設計，加入二極體串電壓分壓器將2xVDD分出一半的電壓取代1xVDD電源線，在晶片工作與上電情況下偏壓所有靜電放電箝制電路內的1xVDD元件，確保電路各元件安全地偏壓而沒有過壓問題。二極體串電壓分壓器使用多晶矽二極體組成，已於相同1.8伏/3.3伏0.18微米互補式金氧半製程下驗證，可以降低待機漏電，減少製造成本並提高佈局整合度。實驗結果證明修改之設計能夠有效減緩暫態過壓問題，同時提供足夠高的二次崩潰電流(It2)達約4A並可以防止快速上電誤觸發事件。

時尚法——時尚產業的智慧財產權保護

為了解決eos r規格的問題，作者林佳瑩 這樣論述：

　　◎傳奇時尚品牌LV為什麼要控告My Other Bag和The Face Shop聯名發行的粉餅盒？LV又是怎麼說服法院取得逆轉勝？ 　　◎讓Chanel的logo哭哭，是搞笑致敬？還是商標侵權？ 　　◎Adidas和台灣的將門企業（Jump）爭奪「三條線」的註冊商標，纏訟將近40年，到底發生什麼事？ 　　◎你知道LV的「水波紋」和特殊造型的「鎖扣」，雪肌精的藍白瓶身、eos的圓形護唇膏，還有「鑽石恒久遠，一顆永流傳」的廣告標語，都是註冊商標嗎？ 　　◎Hermes的凱莉包、柏金包、三宅一生的baobao包、Louboutin的紅色高跟鞋，還有Rimowa的行李

箱外觀造型，可以取得註冊商標嗎？ 　　◎製造與Celine囧包相同造型的包包販售，要賠償多少錢？ 　　◎設計與他人品牌類似風格的衣服，會侵害別人的著作權嗎？ 　　◎從iPhone手機到AirPods，蘋果電腦公司（Apple）如何全方位滴水不漏地保護自己的IP？ 　　本書詳盡收錄超過80個與時尚產業相關的有趣案例，您可透過此書全面掌握台灣時尚法的重要案件，了解世界知名時尚品牌如何主動積極進行IP布局，在法庭上又是如何進行攻防取得勝訴判決。 　　 　　本書快速簡單地介紹與時尚產業相關的台灣法律，從商標法、著作權法、公平交易法以及專利法等多個角度切入，直搗時尚法的關鍵核心，與您一同拆解看似

晦澀難解的實際案例，讓時尚法（fashion law）不再是奢侈品，而是平易近人的法律知識。 　　【LV v. My Other Bag】案 　　我可以用LV的商標嘲諷LV很不環保嗎？這是言論自由保護的範圍嗎？ 　　【Rimowa v. OCCA】案 　　Rimowa的行李箱怎麼受到法律保護？原來行李箱溝槽的寬度也是關鍵之一？ 　　【Celine囧包】案 　　兩大時尚品牌Celine和Givenchy聯手起訴！為什麼一審和二審法官有不同見解？ 　　更多知名時尚品牌案例： 　　Adidas/ Apple/ Asus/ Birkenstock/ Burberry/ Bvlgari/ Cam

per/ Chanel/ Citizen/ De Beers/ Dior/ Fendi/ GAP/ Harry Winston/ H&M/ Hermes/ Hugo Boss/ Issey Miyake/ K Swiss/ Kenzo/ Kose/ Louboutin/ Louis Vuitton/ New Balance/ Porter/ Rimowa/ Rolex/ Seiko/ Swarovski/ Vans/ 夏姿…… 依字母排列

應用於USB Type-C介面之過壓偵測電路與湧浪防護設計

為了解決eos r規格的問題，作者柯兆陽 這樣論述：

USB Type-C近幾年成為電子產品當中熱門的傳輸介面，未來將有望統一使用於所有電子產品中，主要由於其支援高速資料傳輸、快速充電以及正反插拔等功能，而上述的功能均須由組態通道腳位(CC腳位)進行協定，因此CC腳位的角色至關重要。為了支援快速充電，VBUS腳位必須抬升至最高20伏特的電壓，然而由於USB Type-C接頭上的腳位數量眾多且間距相近，CC腳位因為在插拔時有機會誤觸到鄰近的VBUS腳位，造成VBUS腳位較高的工作電壓施加在CC腳位上，使得CC腳位發生過壓的問題，造成內部電路的損壞。另外，為了支援快速充電、高功率傳輸等功能，在連接至內部電源管理IC的腳位(VBUS腳位與CC腳位)也

會有湧浪事件(surge events)發生，此問題同樣也會對內部電路造成損壞。因此，針對上述兩項議題，本研究提出了兩種過壓防護電路，能夠用於偵測CC腳位的電壓等級，當電壓高於一個定值，此過壓防護電路會被觸發進而關閉HVNMOS切換開關(pass transistor)，保護內部電路受到過壓損壞，同時又能夠避免HVNMOS切換開關受到熱載子退化效應(hot carrier degradation)的影響。本論文主要分為四個部分，首先，第一部分會先簡介USB Type-C傳輸介面以及相關的規格，並介紹CC腳位的功能。接著會切入此研究主要面對的議題，一個是CC腳位因為在插拔時誤觸到VBUS腳位造成

的過壓事件，另一個是湧浪事件。第二部分則是針對前人已經提出的過壓防護電路做簡單的介紹。第三部分探討此兩種過電壓的事件分別對於HVNMOS切換開關所造成的熱載子退化性應。研究結果可以發現，HVNMOS切換開關在導通狀態(ON-state)下，經過了10000次的轟擊之後電性參數有明顯的偏移，因此證明HVNMOS雖然能夠用於保護內部電路免於過壓損壞，但是同時必須搭配過壓防護電路，才能讓HVNMOS本身有夠好穩健性(robustness)去抵抗熱載子退化效應。第四部分則是提出了新型的過壓防護電路設計，其中分為兩種類型，一種是能夠偵測CC腳位因為在插拔時誤觸到VBUS腳位造成的過壓事件，另一種是能夠偵

測湧浪事件。而兩種電路都能夠透過齊納二極體(Zener diode)來調整電路本身的觸發電壓。由量測結果顯示，此兩種過壓防護電路均能夠在過電壓事件來臨時，關閉HVNMOS切換開關，同時，CC腳位內部電路的壓降也能夠下降至5伏特左右，使內部電路免於過壓損壞。此研究不論是在元件層級(device-level)或是電路層級(circuit-level)方面，都經過0.15微米(0.15 μm) BCD製程下線驗證，因此本研究所提出的過壓防護電路解決方案能夠完全整合於USB Type-C IC產品當中，進而增加USB Type-C產品的可靠度。