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san storage中文的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦CormacHogan,DuncanEpping寫的 VMware vSAN 6.7 U1 Deep Dive 中文版 和伊姆斯．迪米崔歐斯的 伊姆斯：創作，到真實之路都 可以從中找到所需的評價。
另外網站產品清單| 群暉科技Synology Inc.也說明：資料管理系統. 運用我們領先業界的NAS/SAN 解決方案，打造多功能私有雲，以便善用非結構化資料。 ... UCiSCSI/FC SAN. RSXS+/XS 系列. RSPlus 系列. RSValue 系列.
這兩本書分別來自博碩 和商周出版所出版 。
國立臺灣科技大學 材料科學與工程系 吳昌謀所指導 SHRISHA的 以金屬氧化物復合材料為基礎之氫氣感測器 （2021），提出san storage中文關鍵因素是什麼，來自於。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 應用科技研究所 陳瑞山所指導 林琪家的 疏水性兼半導體性鎳基金屬有機框架材料微米晶體之電性研究 （2021），提出因為有 疏水性、半導體性、金屬有機框架材料、光電導特性的重點而找出了 san storage中文的解答。
最後網站SuperStorage 解決方案| Super Micro Computer, Inc.則補充：Corporate Database, Database Processing & Storage, Enterprise Server, HPC, Data Center, iSCSI SAN; Dual Socket P (LGA 3647) support: 2nd Gen.
VMware vSAN 6.7 U1 Deep Dive 中文版
為了解決san storage中文 的問題，作者CormacHogan,DuncanEpping 這樣論述：
VMware vSAN 6.7 U1 Deep Dive 中文版 ☛VMware台灣專文推薦☚ 在「超融合基礎架構」（Hyper-Converged Infrastructures，HCI）的領域中，VMware vSAN的技術已經被應用在醫院、石油鑽井平台、電子商務平台…等各式各樣商業數位化的環境，並證明它是「超融合領域」的前三大領導廠商之一。 隨著時間的推移，VMware vSAN的技術不斷演變，發展已臻至成熟，並提供企業和組織「資料完整性」、「服務高可用性」、「儲存資源效能」以及「儲存空間使用率」。簡言之，採用最新的vSAN 6.7 U1版本，能夠簡化企業和組織的
IT營運成本，也能輕鬆建構「超融合基礎架構」。 本書是最新版本的vSAN Deep Dive實戰書籍。Cormac Hogan和Duncan Epping兩位作者再次深入討論VMware vSAN的各項技術細節，為vSphere管理人員、架構師和顧問等讀者提供絕佳的學習內容。 在這本書中，你將會學到「vSAN技術是什麼」、「vSAN技術如何發展」、「vSAN技術能夠提供什麼」，以及「如何從vSAN技術獲得最大價值」等內容。本書深入淺出各項vSAN技術細節，例如，建構vSAN環境的規劃設計、安裝、組態設定、儲存原則、部署、叢集與運作架構等等，並提供了各方面的最佳建議作法。此外，本書也
介紹了vSAN進階應用情境，包括vSAN延伸叢集和雙節點叢集。
以金屬氧化物復合材料為基礎之氫氣感測器
為了解決san storage中文 的問題，作者SHRISHA 這樣論述：
氫氣(H2)因其高度易燃性而被歸屬於有害氣體，當其於大氣下達4-7重量百分濃度時，即具有相當之危險性，存在爆燃的風險，且由於其無色無味，大大提升檢測管線洩漏之難度，也因此奠定了其感測器存在之必要性及重要性。近年來，金屬氧化物由於其優異的化學和物理性質被廣泛應用於此領域，如：ZnO、WO3、TiO2、SnO2、MoS2等。以金屬鎢為基材之複合材料被廣泛應用於感測器氣敏層相關研究中，因其對多種目標有毒氣體具高度之靈敏性。而三氧化鎢(WO3)應用於氫氣感測器之先例，因此本研究之第一部分將專注於還原氧化鎢(WO2.72)於此領域之應用的研究。以三氧化鎢為原材料，應用鍛燒法合成還原氧化鎢奈米粒子(WO
2.72)，並通過FE-SEM、XRD和Raman光譜進行樣品表徵確認。待合成完成，以旋塗方式完成感氣層於SiO2/Si晶圓之塗佈，並完成叉指式電極之沉積。經測試，WO2.72感測器於室溫條件下之感測能力為27%，且具備於500ppm濃度條件下長期穩定性及重複使用性。同時以電子耗盡層理論說明其機制。儘管銫鎢青銅(CsxWO3)已被廣泛應用於其他領域，但其並無作為氫氣感測器氣敏層材料之先例，因此本研究之第二部分延續對金屬鎢為基材之複合材料的研究，欲開發當前尚無相關研究之鎢青銅(MxWO3)於此領域之應用的研究，CsxWO3感測器之製程，以水熱法先行完成銫鎢青銅奈米棒的合成，並透過多項儀器鑑定其物
理性質以確保結構之型態，並以旋轉塗佈之技術將之形成薄層結構於SiO2/Si晶圓之上，完成感氣層製備，隨後完成橫向多指Pt電極，以利後續性能檢測測試。經測試於不同濃度之氫氣(10ppm至500ppm)，測試結果呈現，銫鎢青銅感測器於室溫下具優異的感測性能(31.3%)，並且優於WO3感測器(4.7%)。選擇性測試亦呈現優異結果，於氨氣及二氧化碳測試中僅有極低之響應。此材料具備可靠性、合成方法簡單、濕度影小及選擇性優異等優勢，大大提升其應用之可行性。且與WO3感測器相比，CsxWO3感測器具更為優異的表面吸附能力及更強的活性O2官能基電誘導能力，因而展現了增強的氣敏性。當前CsxWO3感氣層展現優
異的效能，成功證實MxWO3作為金屬氧化物氣體感應器之可行性。於第三部分研究中，成功以溶劑熱法合成新型CsxWO3/MoS2奈米複合材料，再次採用旋轉塗佈之技術，完成於SiO2/Si晶圓形成感氣薄層結構之操作，並以PVD技術沉積設計之叉指式電極完成感測器製備。經測試，CsxWO3/MoS2感測器可於室溫下展現優異的氫氣感測能力，尤其包含15wt.% MoS2 (15 % CsxWO3/MoS2)之奈米複合材料，其感測性能甚至可達51%。此外，因具有高度循環穩定性，更增添其於實際應用的優勢。於本篇之最後一項研究，預期導入先進技術，以Zirconium-based metallic glass n
anotube arrays為基材，於其上透過實驗參數設定，完成氧化鋅(ZnO)奈米棒之生長，並以此材料做為氫氣感氣層之應用。於具contact-hole陣列(孔徑為2 µm)之光阻劑形成之模板上濺鍍沉積metallic glass (Zr60Cu25Al10Ni5)以得異質Zirconium-based metallic glass nanotube arrays，並沉積ZnO種子層以提供成核位點以利於metallic glass nanotube arrays內部生長奈米棒狀結構，其後採水熱法完成ZnO奈米棒之生長，接著濺鍍Pt電極，以利後續性能檢測測試。經實驗證實，Fabricated
Zirconium-based metallic glass nanotube arrays with ZnO nanorods (Zr-ZnO-nanorods)具優異的氫氣傳感性能。
伊姆斯：創作，到真實之路
為了解決san storage中文 的問題，作者伊姆斯．迪米崔歐斯 這樣論述：
伊姆斯，改變了二十世紀坐的方式也改變了我們坐下來時所看到的景象 伊姆斯事務所主持人、伊姆斯夫婦外孫 伊姆斯．迪米崔歐斯 執筆 全球最經典設計雙人組 伊姆斯Eames 唯一傳記故事及設計哲學 Terence Conran：「對我這一代設計師來說，查爾斯與蕾．伊姆斯是英雄人物。對於任何創意領域的學習者來說，這本書讀起來肯定愛不釋手。」 Philip Starck：「伊姆斯並非創作美與智慧，只不過是傳達出了本然而已，輕輕鬆鬆、渾然天成。」 ◆伊姆斯夫婦（Charles & Ray Eames）堪稱20世紀全球最傑出設計雙人組，其設計的家具及建築作品，成為世紀流傳的經典。
◆伊姆斯躺椅Eames Lounge、雲朵椅La Chaise、休閒木椅LCW，及被大量仿製的暢銷系列伊姆斯玻璃纖維椅……知名經典作品歷時不衰，至今仍保有時尚流行尖端地位。 ◆領導當代家具界的國際品牌Herman Miller及Vitra，伊姆斯即為其中最具影響力及重要性的設計師。 ◆全球著名Vitra Museum所典藏100張全球經典設計椅中，伊姆斯座椅即佔了十多張。 ◆包括MoMA、龐畢度中心在內的全球多家美術館都有伊姆斯作品的永久典藏。 ◎伊姆斯，永遠的「時尚經典」 當代建築圈流傳一件事：當贏得建築生涯第一件重要委託案之後，對自己最大的犒賞，就是買一張「伊姆斯躺椅」！
這故事真實地傳達了伊姆斯在建築設計師心中的重要地位；而向來強調「創新是最後手段」的伊姆斯，卻是以其多樣卓越創新的產品設計，擄獲了時尚份子乃至大眾的心；也許還有很多人未曾聽聞「伊姆斯」的名字，但一定看過甚至坐過至少一張「伊姆斯椅」！即使歷經了數十年後的今天，只要看看幾乎每一個強調時尚及設計感的空間，一定都不缺一張伊姆斯的設計椅即可得證！ ◎伊姆斯，用「創作」，讓這個世界更完整 雖然是以家具設計奠定了這對夫妻檔設計師查爾斯．伊姆斯（Charles Eames, 1907 ~ 1978）及蕾．伊姆斯（Ray Eames, 1912 ~ 1988），在大眾心中的地位，但除了身為建築師及設計師的
伊姆斯，他們其實還同時是影片導演、策展人、攝影師、藝術家……等全方位創作人，創作遍及家具座椅、展覽策劃（一些展覽成為永久展，或目前仍在進行中）、影片（多銀幕影片及幻燈影片）、攝影照片、繪畫、建築等。 曾以單件創作在拍賣市場創下36萬美元（約合台幣一千萬元以上）的伊姆斯作品，在伊姆斯夫婦兩人均過世後，家族將其主要收藏品、近百萬件的照片、幻燈片、繪圖、手稿，捐贈予美國國會圖書館（許多作品是伊姆斯生前便承諾要贈予該館）；而家具作品的原型則贈予德國威爾的Vitra維特拉設計博物館，讓後代學者、學子及所有有興趣的朋友，仍有機會親炙伊姆斯的畢生智慧泉源，讓創作的種子持續萌芽下去。 ◎《伊姆斯：創作
，到真實之路》伊姆斯唯一傳記故事及設計哲學 伊姆斯的豐碩創作之所以能跨越時空，一項關鍵原因可能在於，他們除了受到傳統藝術的吸引（許多二十世紀的創造者都是如此），還更進一步探索設計的方式，以回應他們尊敬的傳統所採用的質樸設計流程。伊姆斯常常舉傳統印度圓壺為例來說明設計過程，剛認識伊姆斯作品的人可能會問，這個演變已久的印度圓壺和當代家具經典有何關係？或許關聯性不在產品本身，而是要回頭追溯伊姆斯作品背後的演變過程，以及伊姆斯夫婦兩人的創作、思考及生活歷程。 然而雖然伊姆斯的作品已在全球掀起風潮，但一直沒有像本書一樣的傳記，充分地連接起這些傳奇作品背後的理念與哲學、嘗試聯繫起完整的故事，以闡述
伊姆斯作品最重要、且史無前例特色：在哲學與琳瑯滿目的個別成果之間，具有深層與完整的連續性，像是「創新是最後手段」、「賓主關係」、「從做中學」等實踐的信條。這正是本書將要與讀者分享的重要層面。 身為伊姆斯基金會執行長、伊姆斯夫婦外孫的本書作者伊姆斯．迪米崔歐斯，與查爾斯和蕾的關係親密，從獨特的角度，探索伊姆斯夫婦世界的豐富力量。他分享了個人趣事、以往未曾曝光的照片，並廣為訪談伊姆斯夫婦的友人與同事，將他們足具影響力的哲學與廣獲推崇的作品連繫起來。這些設計流程背後的故事，對於不熟悉這兩名設計師的讀者來說，不僅能增長知識，讀起來也相當有趣、深獲啟發；而對於已熟知伊姆斯夫妻檔的讀者來說，則能更深入
理解其設計流程。他們的作品從建築、家具，延伸到展覽設計與電影製作，在這些龐大的作品中，他們的核心哲學隨處可見。這是第一本書，說明這些緊密交織的聯繫。 ◎伊姆斯改變了二十世紀坐的方式，也改變了坐下時所看到的景象 《華盛頓郵報》指出，查爾斯與蕾改變了「二十世紀坐的方式」，但他們其實也改變了我們坐下來時所看到的景象。他們改變了我們房間裡的東西，及我們在房間裡安裝的螢幕上所顯示的東西。重要的不光是他們做了什麼，更是他們預見了什麼。他們的作品暗示著一條道路，在此藝術與科技並不衝突，而傳統也可以代表著改變。將概念傳達給外行人，不表示要在他們面前花言巧語。製作一張便宜的椅子，不代表可以粗製濫造，而是
依據需求而來的合理設計限制。 隨著新世紀開始，設計更講究時尚，但過程卻不必然有著全面的理解。然而對查爾斯與蕾來說，設計不是展現風格，而是傳達「目的」。草圖或模型不是目的，而是即將展開一個全方位過程。人們有意無意間感受到和伊姆斯作品的連結，反應的就是這個願景——設計必須「進入形式內裡」。 對於伊姆斯來說，設計不是一項專業能力，而是生活能力；「伊姆斯住宅」是一項里程碑，也向來一直是個家；伊姆斯椅子是圖像，也總是舒適；《十的次方》是哲學宣言，也總是最能讓人感到興奮。認識與喜愛查爾斯與蕾的人，或許最想念的，是再度與他們談天的機會。 本書的目的，就是在將伊姆斯的思想拼圖整合在一起，協助讀者看
出伊姆斯作品之間綿密的聯繫。在讀者展開自己的設計創作旅程之時，本書提供一些方式，讓每個人更具體地體驗查爾斯與蕾的作品。希望讀者進入伊姆斯夫婦精彩的故事、認識他們所創造的美麗作品之外，更重要的是，期盼讀者能把在書中所遇見的觀念，應用到自己的生活與工作上。 作者簡介 伊姆斯．迪米崔歐斯（Eames Demetrios） 多媒體設計師與製片人，自從一九九三年以來，亦擔任加州聖塔莫尼卡「伊姆斯事務所」（Eames Office）主持人。 譯者簡介 呂奕欣 師大翻譯所筆譯組畢業，曾任職於出版公司與金融業，譯作囊括建築、設計、小說、生活風格、繪本、語言學習、商業管理、科普等領域，現專事翻譯。
疏水性兼半導體性鎳基金屬有機框架材料微米晶體之電性研究
為了解決san storage中文 的問題，作者林琪家 這樣論述：
本論文主要探討 [Ni2(HFDP)1(BPYM)1(4H2O)]·H2O （以下論文簡稱為 NiHB ）疏水性金屬有機框架化合物 (metal-organic framework, MOF) 微米晶體之電傳輸特性。研究中所使用的 NiHB MOF 微米晶體具有三方晶系 (Trigonal crystal system) 結構。透過接觸角量測得出其角度為 125° ，顯示極佳的疏水性。元件製作上是利用機械剝離法將 NiHB 單晶分離成微米晶體，並利用聚焦式離子束 (focused-ion beam) 技術製作微米晶體之歐姆電極。暗電導量測顯示其電導率最高可達 208 S/cm 。熱探針量測結
果顯示此 MOF 晶體為 p 型半導體。變溫暗電導量測顯示此 MOF 晶體具備半導體性的電傳導行為，並擁有極低的活化能，最低僅有 0.02 meV ，顯示電荷經由跳躍傳輸 (hopping transport) 時幾乎不需要熱能的輔助。此結果顯示 NiHB 微米晶體具備極佳的結晶品質與有序的晶格，可提供電荷在一個比較沒有阻礙的環境進行跳躍傳輸。另外，從光電導 (photoconductivity) 量測結果發現此 MOF 微米晶體具有明顯的光電流反應，隨著雷射強度增加，光電流也呈現非線性的上升趨勢。於不同波長的雷射照射下，發現 NiHB 微米晶體對紫光具有最佳的光電流反應。不同波長的條件下，
NiHB 微米晶體也都表現出不錯的反應率 (responsivity) 與光電導增益 (gain) 。藉由時間解析光電導量測發現此 MOF 晶體良好的光電導效率乃是源自於長載子活期 (carrier lifetime) 。透過環境變化光電導量測，可進一步證明此 MOF 晶體遵循表面主導之光電導機制。