dram原理的問題,透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

dram原理的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程:理論與實務(四版) 和李章興的 微電腦結構 - 最新版(第二版) - 附MOSME行動學習一點通都 可以從中找到所需的評價。

另外網站什麼是半導體記憶體? 原理裝置<DRAM - ROHM也說明:裝置原理<DRAM>

這兩本書分別來自五南 和台科大所出版 。

長庚大學 管理學院碩士學位學程在職專班經營管理組 李文義所指導 陳振富的 導入專案管理降低生產週期-以某半導體公司為例 (2013),提出dram原理關鍵因素是什麼,來自於生產力改善管理、隨機動態存取記憶體、生產週期改善。

而第二篇論文國立交通大學 工學院碩士在職專班半導體材料與製程設備組 張翼所指導 陳振興的 DRAM產品晶背矽基材裸露問題改善之探討 (2009),提出因為有 動態記憶體產品的重點而找出了 dram原理的解答。

最後網站第二十三章半導體製造概論則補充:第二十三章半導體製造概論. 23-13. Small Outline. Package(SOJ). DRAM, SRAM, EPROM, EEPROM,. FLASH. Quad Flat Package. (QFP). Microprocessor.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了dram原理,大家也想知道這些:

半導體元件物理與製程:理論與實務(四版)

為了解決dram原理的問題,作者劉傳璽,陳進來 這樣論述:

  以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。     本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色     ●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。     ●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。     ●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。     ●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

導入專案管理降低生產週期-以某半導體公司為例

為了解決dram原理的問題,作者陳振富 這樣論述:

指導教授推薦書口試委員會審定書誌謝 iii中文摘要 ivAbstract v目錄 vi表目錄 viii圖目錄 ix第一章 緒論 11.1 研究背景與動機 11.2 研究目的 21.3 研究架構 3第二章 文獻探討 42.1 專案管理 42.2 生產力指標 12第三章 產業分析 183.1 DRAM原理及製程簡介 183.2 DRAM特色與應用 193.3 DRAM產值分析 213.4 DRAM未來趨勢 25第四章 個案公司導入專案之研究 314.1個案公司背景介紹 314.

2專案導入之架構 324.2.1 緣起 324.2.2 專案改善之執行手法 334.2.3 專案組織架構 334.2.4 PIP執行簡介 354.3 專案導入成效 35第五章 結論與建議 465.1 生產週期改善總結 465.2 成果貢獻 485.3未來建議 50參考文獻 52中文部份 52英文部分 52參考網站 53表目錄表2-1 風險評估 10表3-1 2013第四季營收排名 25圖目錄圖1-1 研究流程 3圖2-1 KPI執行範例 8圖2-2 營運曲線(Operation

Curve) 14圖2-3 RPT與SPT 16圖3-1 DRAM製程簡介 19圖3-2 區域營收市佔率 30圖4-1 PIP組織架構 35圖4-2 RAP架構 37圖4-3 FAST架構 38圖4-4 WIP、WGR與Cycle Time的關係 40圖4-5 WIP與WGR 41圖4-6 WECO Chart 42圖4-7 BOSS Concept 43圖4-8 BOSS架構 44圖5-1 CT Trend Chart 49

微電腦結構 - 最新版(第二版) - 附MOSME行動學習一點通

為了解決dram原理的問題,作者李章興 這樣論述:

  ⊙本書內容豐富,敘述淺顯易懂,能提供微電腦結構初學者,理論與實務兼顧的學習教材。   ⊙提供微電腦科技的新知與常識。   ⊙詳細說明CPU的未來發展趨勢。   ⊙所提供的綜合評量,題型多元,題目數量多,增加了同學自修練習的機會。

DRAM產品晶背矽基材裸露問題改善之探討

為了解決dram原理的問題,作者陳振興 這樣論述:

本研究的主要目標,是為了解決部份DRAM 產品因為晶背產生凹痕,嚴重者露出矽基材導致客戶退貨。DRAM產品多樣化,依線寬不同往往在設計製造流程上也會有所不同。晶片一旦量產後,設計不良的問題便可能一一出現。 本問題的解決方法為先根據受影響晶片其背景資料進行資料分析,整理出共通性。並針對晶片異常位置狀況逐一比對相關機台機械手臂抓晶片的位置,找出比較可能發生問題的機型,再藉由電子顯微鏡及SEM量測出問題薄膜層其前後關係以縮小問題範圍。針對特定機台改變參數試圖查出其關鍵變異點,並且付費向工研院借量測Boat Pin 粗糙度儀器以便確認推論正確性。本實驗發現設計者設計某些製造流程步驟有潛在問題會造成晶

片外觀異常,甚至嚴重者晶片報廢。本實驗成果對半導體製造流程技術開發提供非常重要建議,並改善晶片生產良率,對企業貢獻深遠。