dram製程基本原理的問題,我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍,推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程:理論與實務(四版) 和ClaytonM.Christensen的 創新的用途理論:掌握消費者選擇,創新不必碰運氣都 可以從中找到所需的評價。
另外網站強勁市場需求帶動先進製程資本投資機會 - SEMI.org也說明:從NAND、DRAM到邏輯電路,現在半導體業界最先進製程所使用的設計架構,基本上都是立體結構,這使得深寬比(Aspect Ratio)成為非常重要製程能力指標。
這兩本書分別來自五南 和天下雜誌所出版 。
國立臺灣科技大學 電機工程系 呂學坤所指導 吳昱陞的 深度學習神經網路加速器快閃記憶體錯誤抗拒技術之研究 (2020),提出dram製程基本原理關鍵因素是什麼,來自於深度學習、深度神經網路、快閃記憶體、容錯電路設計。
而第二篇論文國立臺灣科技大學 專利研究所 劉國讚所指導 陳俐安的 以台積公司專利分析電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究 (2020),提出因為有 專利分析與布局、發展趨勢、技術功效矩陣、電阻式隨機存取記憶體、電阻式記憶體、台積的重點而找出了 dram製程基本原理的解答。
最後網站中文書>專業/教科書/政府出版品>電機資訊類>電子 - 博客來則補充:半導體元件由矽土製成矽晶圓, 再經數百個製程步驟,才製作出256M級的DRAM。 ... 微算機基本原理與應用一書,使用目前在工業應用系統中最受歡迎的MCS-51族系為控制器為 ...
半導體元件物理與製程:理論與實務(四版)
為了解決dram製程基本原理 的問題,作者劉傳璽,陳進來 這樣論述:
以深入淺出的方式,系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸:第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重,因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學;但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代,並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像,以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y;並在此基礎上,進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材,也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要,但在坊間書籍幾乎不提及的WAT,與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程,以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容,以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念,清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
深度學習神經網路加速器快閃記憶體錯誤抗拒技術之研究
為了解決dram製程基本原理 的問題,作者吳昱陞 這樣論述:
近年來,深度神經網路 (Deep Neural Network, DNN) 快速得發展,至今已應用在許多領域,例如智慧家電、人臉辨識與自動駕駛等等。深度神經網路模型透過大量的訓練資料,使正確率 (Accuracy) 達到一定標準,而訓練完成後會產生大量的權重資料 (Weight),這些權重資料必須被儲存下來。快閃記憶體為適合之儲存裝置來儲存這些權重資料,快閃記憶體為具有低功耗、可擴充性、高效能等優點的非揮發性記憶體,隨著製程發展,雖然快閃記憶體有較高的儲存密度與較低的成本,但同時也造成了可靠度 (Reliability) 與耐久度 (Endurance) 降低的問題。若是儲存之權重資料發生錯
誤,在運算過程中將會產生誤差,導致正確率下降,因此本篇論文提出位址重映射容錯技術保護儲存於快閃記憶體之權重資料,本篇分析了權重資料之位元敏感度,定義出較重要之位元,並透過轉置電路將重要位元集中,本篇也提出位址重映射演算法進行重映射分析,透過位址重映射演算法將重要位元位址重映射至較安全位址,以提升深度神經網路模型之可靠度,使錯誤對正確率影響降低。本篇論文實現了位址重映射技術電路,並且以深度學習框架開發模擬器,模擬不同深度神經網路模型應用位址重映射技術之實驗,實驗結果顯示當位元錯誤率 (Bit Error Rate, BER) 達到 0.05 % 時,深度神經網路模型 VGG16 在無修復技術之正
確率下降約 30 %,本篇提出之技術仍可維持深度神經網路模型之正確率下降在 1 % 之內,而本篇也分析位址重映射技術之硬體成本,實驗結果顯示本篇提出之位址重映射技術使用的額外硬體成本不超過 0.2 %。
創新的用途理論:掌握消費者選擇,創新不必碰運氣
為了解決dram製程基本原理 的問題,作者ClaytonM.Christensen 這樣論述:
☆《華爾街日報》、英國《金融時報》、《財星》、《富比士》、《公司雜誌》專文報導推薦 當代最有影響力的創新大師克里斯汀生最新著作 揭開破壞性創新未解決的關鍵:商機在哪裡?該如何創新? 顧客想要的不是你的產品或服務,而是解決他問題的方案 學會問對問題,改變思考視角,找出顧客真正購買的原因 31個給領導者的思考題,全方位審視創新關鍵 你的公司也這樣嗎?關心銷售狀況、哪些人會購買商品、對商品是否滿意,卻對顧客為何會選擇你產品的原因,而不是競爭對手的不太清楚。 為什麼不斷增加差異化新功能,銷售卻沒有同步成長? 錯誤的問題,永遠引導不到正
確的方向。 一旦市場情勢改變,非常可能一夕瓦解過去成功的企業。 創新不只需要了解顧客的需求,更要了解:顧客選擇這個產品做什麼?也就是要了解顧客使用產品的用途,在什麼情境下使用,遠勝過拚命改善產品的功能、特色。 克里斯汀生是全球最受推崇的創新大師,他的破壞性創新理論是《經濟學人》評為有史以來最重要的六大管理著作之一,尤其當今無一產業不面臨被科技顛覆的威脅。 破壞性創新理論解析對競爭的回應,預測將被顛覆企業的行為,但並沒有指引企業該往何處創新或如何創新,才能顛覆市場的領導者或開創新市場,但「用途理論」可以做到這些。 經過20年的持續研究,克里斯汀生補上了破壞性創新理論最
關鍵的缺口,提出「創新的用途理論」,轉換思考邏輯,以「用途」視角,找出顧客消費的「起因」,重新架構創新,並且深入解析什麼是用途?用途與需求有什麼不同?如何理解用途的社會面與情感面? 因此Netflix不是與亞馬遜競爭,而是跟你放鬆時做的每件事競爭(如打電玩) Facebook和抽菸某些時刻是在同樣的用途上競爭 BMW不只與傳統高級車款競爭,也跟Uber競爭 當你轉換視角 從用途理論出發,機會、競爭對手,以及顧客最在乎的東西都會看起來截然不同。分成三個階段: 1.深入了解顧客尋求進步的困擾 2.然後創造出適當的方案與對應的體驗,讓顧客每次都能完成任務 3.根據顧
客的需求,打造以用途為核心的組織 這本書的目的,就是讓你了解創新怎麼運作,知道創新成功的真正原因,創造並預測新的創新,當競爭的界線愈來愈模糊,以用途理論來思考企業的未來走向,最能有效幫助顧客達成任務的業者,就能取得競爭的優勢。 不論是新創企業還是成熟企業,不論你是要挑戰市場、開闢藍海、還是從顛覆中轉型,這本書都能讓顧客跟隨你、讓你掌握改變賽局的關鍵,是不可或缺的創新智慧! 名人推薦 ▎中外創新學者、企業家 重量推薦 臺灣大學國際企業學系教授 李吉仁 導讀 政大名譽教授 吳靜吉 聯強國際集團總裁兼執行長 杜書伍 商業策略媒體《科技島讀》創辦人 周欽華
奇果創新管理顧問公司首席顧問 周碩倫 Gogoro睿能創意股份有限公司共同創辦人暨執行長 陸學森 LIVEhouse.in執行長 程世嘉 玉山金控總經理 黃男州 臺大國際企業學系教授 湯明哲 交大經營管理研究所教授 楊千 iCook愛料理創辦人 蕭上農 iFit愛瘦身共同創辦人謝銘元 Netflix 創辦人里德‧哈斯廷斯 可汗學院創辦人薩爾曼‧可汗 可口可樂執行長穆塔‧肯特 一致推薦 (依姓氏筆畫排列) 本書就是在強調從使用過程的每一細微的部分,去思考發覺並細緻解決這些不順暢、提高方便性、更為人性化、提升更大效能……等,去滿足很
多細微不順暢的需求,就是提高被廣泛接受的關鍵,就是創新成功的關鍵。——聯強國際集團總裁兼執行長 杜書伍 在一個選擇無限的時代,理解顧客的「用途」無比重要。本書大概是克里斯汀生最輕、最好入門的商業書,但也是其較複雜的「顛覆理論」、以及「創新者的兩難」等模型的基礎。——商業策略媒體《科技島讀》創辦人 周欽華 這本書加入大量的實務案例還有對話,應該是克里斯汀生教授的著作中,最淺顯、最易懂的一本。全書沒有一張表格或是統計圖,沒有艱澀的專有名詞,只有案例故事以及對話思考的過程,但卻是創新最根源、最基本的問題,套句大陸商界目前的流行用語,這就是創新的「第一性原理」(First Principl
e),所有的創新由此而生。——奇果創新管理顧問公司首席顧問/兩岸知名創新企業指定講師 周碩倫 這本書精闢而深刻,不僅充滿洞見與實證理論,還提出許多國際企業實例,幫助讀者重新聚焦:如何瞭解且精準預測消費者的心態,打造消費者願意選用的產品與服務。•我鼓勵大家以開放的心來閱讀這本書,重新反思檢視自己和所屬的組織如何看待創新和消費者的需求。——Gogoro睿能創意股份有限公司共同創辦人暨執行長 陸學森 我們都應該更像是社會學家,走進顧客的情境,看到社會的脈絡,發掘別人沒有注意到的創新機會。我誠摯地推薦本書給已經被資訊洪流淹沒、而不知如何是好的讀者們。——LIVEhouse.in執行長 程
世嘉 閱讀本書後,我們可以揭開顧客決策的神秘面紗,洞見更完整的故事全貌,並且更成功地解釋過去、甚至預測未來。如何邁出成功創新的第一步,答案就在顧客真正的用途。——玉山金控總經理 黃男州 只是知道用途理論還是不夠,一定要養成創新思考的習慣。本書的貢獻在於舉出許多案例,告訴讀者如何透過消費者分析得到產品真正的效用。當了解消費者的效用後,就要思索:有沒有更好的方法,來達到顧客要的效用?這「更好的方法」就是「創新」。——臺灣大學國際企業學系教授 湯明哲 作者運用說故事的力量,讓讀者體驗真實的案例,例如,早上開車族群購買奶昔的真正用途,以及amazon、airbnb等公司為了協助消費者
想要獲得的進展和用途之創新。對我這個教學工作者來說,屢被選為教育創新機構或全球最創新組織之一的南新罕布夏大學的創新用途理論特別令我著迷。創新成功的故事之關鍵是因為守門人都知道怎麼尋找因果關係,因此他們的突破性創新就再也不需要碰運氣了。——政大名譽教授,中山大學榮譽講座教授 吳靜吉 賈伯斯設計出能上網的蘋果手機是一種創新,但並不是發明。創新只是將既有的一些科技用新的組合呈現給消費者。智慧型手機滿足了消費者的許多需求:上網、照相、計步、錄音、錄影等等。按克里斯汀生的用途理論說法,智慧型手機提供消費者想要的用途。(電鍋、冰箱、洗衣機其實在當初也是滿足人類用途的創新,只不過這些創新已經變成普通商
品。)克里斯汀生的用途理論提醒我們在尋找創新的途徑時,還是要回歸基本面:我們幫助了哪些人?成就了哪些任務?——交通大學經營管理研究所教授 楊千 iFit 愛瘦身就是「用途理論」的實踐者!我們從網路起家,然而除了如流量、點擊、轉換……等數據層面分析,我們更重視「顧客運用產品解決了什麼問題?」從初期每天於社群中回覆數百則留言,到現在經營實體門市,每天現場皆針對客戶的職業、目的、購買關鍵進行完整回報,這些消費者的真實回饋,讓我們的「創新」少了些運氣、多了些底氣,也促使我們持續推出真正符合顧客需求的產品和服務。——iFit 愛瘦身共同創辦人 謝銘元 在網飛,一定要讀克里斯汀生談論創新的書。
——網飛(Netflix)共同創辦人與執行長 里德‧哈斯廷斯(Reed Hastings) 身為克里斯汀生的長期粉絲,我很高興閱讀到這本書,而且內容並沒有讓我失望。這本書會改變你對創新的看法。作者使得我們停下來考慮可汗學院的發展,我強烈推薦這本書。——可汗學院(Khan Academy)創辦人與執行長 薩爾曼‧可汗(Sal Khan) 《創新的用途理論》提供如何做好正確創新的新思維,作者提供一個吸引力的做法,從生活中找出真正了解顧客的方法。——可口可樂公司執行長 穆塔‧肯特(Muhtar Kent) 這個改變賽局的書有許多讓人信服的真實世界例子,包括財捷公司的例子。用途理論
會繼續對財捷公司的創新方法產生深遠的影響,也會改變你。——財捷公司(Intuit)共同創辦人兼董事長 史考特‧庫克(Scott Cook) 作者向關鍵的商業思想家和經理人介紹一個突破性的理論,使領導者透過逆向工程改變創新方法,從高價值和專注顧客想要完成的任務來創新。我已經從頭看到尾,而且要求我的頂尖團隊做同樣的事情。——IBM全球企業諮詢服務合夥人 朗‧法蘭克(Ron Frank) 在大數據和超級分眾的時代,克里斯汀生的想法令人耳目一新。這本書會減輕你在行銷對話的疲憊,並邀請你進入全新、根本、有確定可能的世界。對於正在開發或維持獨特品牌的人來說,這是本必讀的書。 ——香奈兒前執行長
莫琳‧齊克特(Maureen Chiquet) 用途理論要有著良好管理理論具備的基本特徵:一經解釋,就顯而易見。——《華爾街日報》(The Wall Street Journal)菲利浦‧戴爾夫‧布羅頓(Philip Delves Broughton) 這本書會成為深思熟慮創辦人的策略武器。正如這個簡單的書名一樣,用途理論很簡單……「我們的顧客想要完成什麼任務?」是公司在會議開始時用來刺激創意的重要業務問題之一。但是《創新的用途理論》不只是介紹一個工具,還可以制定整個計畫。——《公司》雜誌(Inc. Magazine)
以台積公司專利分析電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究
為了解決dram製程基本原理 的問題,作者陳俐安 這樣論述:
本研究的主要目的在於透過分析台積公司(台灣積體電路製造股份有限公司)的電阻式隨機存取記憶體(RRAM)技術之美國專利文件,以進行台積公司的電阻式隨機存取記憶體之技術功效與趨勢研究。首先,本研究分析RRAM技術美國專利概況,即檢索美國專利商標局之公開資料庫與公告資料庫的RRAM技術專利,並分析RRAM技術的美國專利申請趨勢、美國專利核准趨勢、前五大專利申請人、前五大專利申請人的申請與核准趨勢。接著,本研究從主要專利申請人中選定「台積公司」作為分析目標,找出台積公司的RRAM技術美國專利的專利文件,並透過逐篇人工閱讀上述專利文件,以解析台積公司針對RRAM技術在美國專利商標局所申請的專利的八個技
術類別以及十二個功效類別。再者,本研究根據上述各個技術與功效類別,製作台積公司之RRAM技術的美國專利技術功效矩陣、基於合作專利分類(CPC)之技術功效矩陣、功效發展趨勢圖,並進行相關分析。最後,本研究統整上述研究結果,並提出針對台積公司的RRAM技術之研發建議以及未來研究方向。本研究獲得以下結論:RRAM技術的研發相當熱絡,且將逐漸被重視。RRAM技術美國專利的主要專利權人集中在具有一定規模的公司。僅使用CPC四階分類碼來進行技術解析之效果不夠顯著,參考價值有限。台積公司現階段重視RRAM結構技術的專利佈局高於方法技術的專利佈局。台積公司針對RRAM技術所研發的功效逐步全面化,且其功效熱點至
少包含:縮小尺寸、改善資料保留力、改善可靠性、預防裝置故障、改善效能、預防裝置損壞、改善製程。台積公司的主要競爭公司至少包含三星電子(Samsung Electronics)、國際商業機器公司(IBM)、SK海力士半導體公司(SK Hynix Semiconductor),其中IBM往後對台積公司可能更具競爭性。
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#1.〈觀察〉被視為夢幻記憶體的MRAM 為何吸引半導體大廠相繼 ...
目前DRAM 製程停滯在1X 奈米,而Flash 走到20 奈米以下後,朝3D 製程 ... MRAM 與DRAM、NAND Flash 及SRAM 等記憶體概念全然不同,MRAM 的基本結構是 ... 於 news.cnyes.com -
#2.动态随机存取存储器- 维基百科,自由的百科全书
动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一种半导体記憶體,主要的作用原理是利用電容內儲存電荷的多寡來代表一個二进制位元(bit)是1還是0。 於 zh.wikipedia.org -
#3.強勁市場需求帶動先進製程資本投資機會 - SEMI.org
從NAND、DRAM到邏輯電路,現在半導體業界最先進製程所使用的設計架構,基本上都是立體結構,這使得深寬比(Aspect Ratio)成為非常重要製程能力指標。 於 www.semi.org -
#4.中文書>專業/教科書/政府出版品>電機資訊類>電子 - 博客來
半導體元件由矽土製成矽晶圓, 再經數百個製程步驟,才製作出256M級的DRAM。 ... 微算機基本原理與應用一書,使用目前在工業應用系統中最受歡迎的MCS-51族系為控制器為 ... 於 www.books.com.tw -
#5.半導體製程及原理 | 健康跟著走
晶圓製程- 半導體各種產品即依上述基本原理,就不同工業需求使用矽晶圓、光阻劑、顯影液、酸蝕刻液及多種特殊氣體為製程申的原料或添加 ... 增強CMOS IC 和DRAM 性能。 於 info.todohealth.com -
#6.DRAM 風暴作者: 張朝翔。台中市私立宜寧中學。電機科二年 ...
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#7.記憶體電路技術 - 課程大綱
發性記憶體DRAM,及其他非揮發性記憶體的操作原理及基本記憶胞結構等做介紹。 ... 體元件的類型、工作原理、基本的記憶單元結構和製程技術,以及當前之研究課 於 nol.ntu.edu.tw -
#8.【Lynn 寫點科普】代工、封測、模組?今天就讓你搞懂記憶體產業與新興 ...
目前18 奈米製程的DRAM 便已占了三星產能高達20%。BusinessKorea 亦在報導中指出,三星最近已完成了14.3 奈米NAND Flash 的研發,並將微縮製程的目標改為 ... 於 www.inside.com.tw -
#9.台積電半導體製程競爭力關鍵:FinFET 工作原理 - StockFeel 股感
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#10.DRAM:產業結構變化孕育中國玩家進場良機 - 壹讀
2016年主要廠商基本完成20nm製程轉換,結束2013年—2016年的技術主導供給增長。導致2017年位元總體供求增速下降,產生供應缺口。 2018年三星擴產8%,海力士 ... 於 read01.com -
#11.國產內存爆發點來臨!一文看懂中國DRAM產業崛起之路 - iFuun
DRAM 工藝推進放緩,產能波動基本穩定。全球DRAM 產能和投片量在2010 年—2013 年間有一陣明顯的洗牌。2010 年40nm 製程DRAM 產品開始進入主流市場,在隨後三年里製程 ... 於 www.ifuun.com -
#12.剖析5種傳統及3種新型記憶體- 電子技術設計 - EDN Taiwan
除了製程不斷縮小以外,封裝技術也為DRAM的發展提供另外一條途徑,比如 ... 其基本結構是磁性隧道結,即底下一層薄膜是鐵磁材料(釘扎層),其磁自旋 ... 於 www.edntaiwan.com -
#13.【99年度新進人才培訓計畫】 報名需知: 參訓資格 - 南部科學 ...
[半導體新秀必備]5/31(二)半導體製程技術---即將開課,最後名額,錯過可惜!! ... 半導體材料與元件基本原理介紹 3. 加熱製程的介紹 ... DRAM中Cell電容製程介紹 於 www.aicsp.org.tw -
#14.DRAM:工作原理,結構,發展過程 - 中文百科全書
DRAM. DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態隨機存取存儲器,最為常見的系統記憶體。DRAM 只能 ... 於 www.newton.com.tw -
#15.課程簡介 - 電子工程系
基本 的DRAM,SRAM之製程和電路架構及相關的元件需求與技術,此元件之先進的製程整合技術與深次微米的DRAM,SRAM製程整合。 ET5705701, 半導體雷射的原理與應用, 3, 選 ... 於 ece.ntust.edu.tw -
#16.半導體構裝製程簡介 - 遠東科技大學
半導體構裝製程簡介. 何宗漢. 國立高雄應用科技大學 ... 積體電路(IC)構裝分類. IC構裝之目的. IC構裝之製程介紹. 心靈分享 ... 雙排腳塑封IC基本構造. 於 www.feu.edu.tw -
#17.次世代電阻式記憶體發展 - 科技部
Access Memory, DRAM)和SRAM (Static Random ... 對快閃記憶體在製程上已達微縮瓶頸,代表元件 ... 表一電阻式記憶體(RRAM)與其他記憶體元件之基本特性比較圖. 於 www.most.gov.tw -
#18.【转载】图解DRAM的结构原理 - CSDN博客
圖解RAM結構與原理,系統記憶體的Channel、Chip與BankR.F. 發表於2014年5月31日09:00 2014-05-31 收藏此文bank、rank、channel這些關於記憶體的名詞 ... 於 blog.csdn.net -
#19.自動化阻劑處理系統介紹 - 旋寶好化學
微影技術是半導體產業往線寬0.1 微米以下推進的關鍵製程,在微影的十個基本 ... 文將以阻劑處理系統為主軸,內容包括了機台硬體的設備及演進、各微影製程的原理與機台. 於 www.davidlu.net -
#20.雷射修補在記憶體上的應用 - 中興大學機構典藏NCHU ...
胡興軍、劉向陽,“激光切割的基本原理及新進展” ,蘇南科技開發,2004第11期 [9]. ... 鄧琨儒,“YAG雷射技術應用於微流道製程之研究” ,高苑科技大學電子工程研究所 ... 於 ir.lib.nchu.edu.tw -
#21.[請益] 關於DRAM工程師與一般邏輯電路廠的差別- 看板Tech_Job
我覺得妳的文章有很多對DRAM的誤會,T公司無疑是foundry 的leader, ... 想請問一下: : DRAM場跟一般邏輯電路廠(台積、聯電) : : 學到的半導體製程是很 ... 於 www.ptt.cc -
#22.[討論] 為什麼台積電不做DRAM? - Tech_Job板- Disp BBS
推easyman: 基本款ram毛利太低 台積有做整合在ic裡的12F 06/18 22:58 ... timeaftime: 還有DRAM應用極廣要能兼顧可大量量產+製程開發(燒錢)25F 06/18 ... 於 disp.cc -
#23.DRAM製程工程師- 半導體 - 職務百科| JOBsMining職涯大數據
DRAM製程 工程師 (半導體|DRAM廠|工程部) Process Engineer,主要負責半導體晶圓 ... 系畢業,基本的理工相關的學歷背景對於半導體製程的材料,參數還有機台設計原理 ... 於 www.jobsmining.org -
#24.【Process】DRAM工艺流程 - 芯制造
【Process】DRAM工艺流程. 6153. 发表时间:2018-07-22 19:47 ... 下一篇【Test】芯片测试基本原理讲解. 分享到:. 昵称:. 验证码:. 全部评论(0条). 於 www.chipmanufacturing.org -
#25.MRAM - 解釋頁
MRAM運作的基本原理與在硬碟上存儲數據一樣,數據以磁性的方向為依據,存儲為0或1,所 ... 在製程上,MRAM金屬底層是以CMOS Logic製程完成,比DRAM的製程技術簡單。 於 www.yesfund.com.tw -
#26.【技術專欄】終於有人說清楚了什麼是DRAM、什麼是NAND ...
由於每個DRAM 基本儲存單元的電路結構非常的簡單,所以功耗低、價格也較低。這樣一來用低成本就能製造出大儲存容量的DRAM 晶片。缺點就是讀寫的速度慢( ... 於 www.gushiciku.cn -
#27.dram製程流程 - 軟體兄弟
軟體兄弟 · dram的基本工作原理; 文章資訊. 所稱半導體後段製程(Back-end processes)的IC 封裝(Packaging)、 .... 加溫烘烤是針測流程中的最後一項作業,加溫烘烤 ... 於 softwarebrother.com -
#28.DDR5 記憶體將啟航,來談談關於規格技術的某些事
DRAM 因儲存原理是需定時更新(Refresh)資料的電容,DDR4與前代更新時無法執行其他操作,但DDR5可透過Same Bank Refresh (REFsb)命令,允許系統更新 ... 於 technews.tw -
#29.dram 製程基本原理dram製程基本原理 - OAOHU
隨著數位行動生活的到來,減少被動元件的數量,任何問題,尤其這三十幾年來DRAM由最早期的1K DRAM到目前的512M DRAM不論是 dram製程基本原理資訊整理 dram製程基本原理 ... 於 www.oaohu.co -
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課程概述Course Description. 本課程介紹半導體記憶體之元件結構、製程技術、基本電路設計原理、封裝測試與可靠度分析。含蓋範圍包括揮發性記憶體(SRAM及DRAM)、傳統 ... 於 class-qry.acad.ncku.edu.tw -
#31.[討論] 為什麼台積電不做DRAM? | PTT 熱門文章Hito
12 F 推easyman: 基本款ram毛利太低台積有做整合在ic裡的 06/18 22:58 ... 25 F →timeaftime: 還有DRAM應用極廣要能兼顧可大量量產+製程開發(燒錢) 06/18 ... 於 ptthito.com -
#32.Endura® CIRRUS™ HT Co PVD | Applied Materials
因此,製程中可形成堅固的矽化鈷層,能夠減少電荷在金屬與半導體之間的傳輸障礙。 該系統將Siconi 矽化前預清潔與用於DRAM 外圍電路中的直接接觸點應用的PVD 鈷和氮化 ... 於 www.appliedmaterials.com -
#33.dram 製程介紹
也因此DRAM 對廠房的製程設備、製程技術要求更為嚴格,導致DRAM 產能的擴充較一般 ... 的簡單運作原理後,相信大家都對硬體元件有一些基本概念了,今天就來和大家介紹 ... 於 www.lubos.me -
#34.[08S401]【科管局補助】記憶體元件與製程 - 財團法人自強工業 ...
【科管局補助】記憶體元件與製程. ... 瞭解基本記憶體胞結構、操作機制與可靠度 4.瞭解記憶體基礎電路架構與周邊 ... DRAM記憶胞結構與基礎運作原理 3.DRAM製程技術與 ... 於 edu.tcfst.org.tw -
#35.了解下DRAM长个啥样~看看跟你有没有眼缘@@ - 360doc ...
... 了,不过对DRAM的基本原理还是要去了解一些的,毕竟如果你对它的最基本原理都不了解,又怎么能去逐渐明白为什么CPU都量产5nm了,最先进的DRAM制程 ... 於 www.360doc.com -
#36.史上最大晶片缺貨潮的背後原因 - 巨子ICON
這次引發的需求均來自於40納米以上的成熟製程,加上中國發展遭到貿易戰衝擊而 ... 以黃在半導體產業擁有快30年的歷練,他直說,「我對DRAM的價格很 ... 於 01icon.hk -
#37.第一章緒論
實驗設計的三個基本原理( 或基本原則)為:a. ... 半導體的基本製程一般可以分成潔淨、黃光、蝕刻、擴散、薄 ... 利用HCl 所形成之活性離子易於金屬離子化合之原理。 於 ir.nctu.edu.tw -
#38.DRAM和SRAM的主要差別是什麼為什麼DRAM晶片的地址一般 ...
說明主儲存器的組成,並比較sram和dram有什麼不同之處? ... 儲存資料基本原理無外乎都是利用電容儲存的電壓資訊表示0.1狀態,實際的東西比這個複雜多了 ... 於 www.betermondo.com -
#39.DRAM的基本工作原理 - 百度文库
DRAM 的基本工作原理林振華內容標題導覽:|前言|DRAM 的工作原理|記憶 ... 和一層鋁導線製程所形成1 電晶體+1 電容的記憶單元結構如圖2(b)及圖2(c) ... 於 wenku.baidu.com -
#40.STT RAM 簡介(一) 基本工作原理 - 理性與感性
過去的半導體利用的電子特性都只用了電荷,像 DRAM 中儲存在電容中的電荷、 flash 儲存在 charge trap 中的電荷 、或者是金屬線、電晶體中流動的電荷。 於 smallintelligentsia.blogspot.com -
#41.半導體產業介紹、台股上下游類股和半導體公司股價漲跌幅
IC設計. 中游產業. IC 製造、晶圓製造. 其他IC/二極體製造. IC/晶圓製造. DRAM製造. 晶圓製造. 化學品. 光罩. 下游產業. IC 封裝測試、IC 模組. 生產製程及檢測設備. 於 statementdog.com -
#42.什麼是半導體記憶體? - 電子小百科 - ROHM
SRAM, DRAM, FeRAM, Mask ROM, EPROM, EEPROM, FLASH. 保存資料的方法, 施加電壓, 施加電壓+ 更新, 不需要 ... 記憶體前往詳細產品頁面 · 原理裝置<DRAM> ... 於 www.rohm.com.tw -
#43.國產記憶體爆發點來臨!一文看懂中國DRAM產業崛起之路【附 ...
2016 年主要廠商基本完成20nm 製程轉換,結束2013 年—2016 年的技術主導供給增長。導致2017 年位元總體供求增速下降,產生供應缺口。2018 年三星擴產8%,海力士無錫廠也 ... 於 sa123.cc -
#44.DRAM Product Engineer [DRAM產品工程師][R&D研發]
台中市后里區工作職缺|DRAM Product Engineer [DRAM產品工程師][R&D研發]|台灣美光晶圓 ... 12個月基本薪資+2個月年終獎金(需當年度12月31日當日在職員工方能領取) 於 www.1111.com.tw -
#45.ULSIDRAM技術-FindBook 找書網ISBN:9789572136614
書名:ULSI DRAM技術,作者:林振華,出版社:全華圖書,出版日期:2002-11-01, ... 第2章基本和高性能的MOSDRAM設計2-1第1節DRAM的工作原理2-2第2節DRAM的基本線路2-33第3 ... 於 findbook.com.tw -
#46.高頻寬記憶體實現最大效能HBM2E運作原理一次說分明 - 新通訊
在列預充電時間(tRP)過後,記憶庫可供下次列啟動使用。 圖9 基本的讀寫操作 .低功耗模式. HBM2E與許多其他DRAM一樣提供低功耗 ... 於 www.2cm.com.tw -
#47.DRAM儲存方法:
一個動態隨機存取記憶體(Dynamic RAM,DRAM)的記憶胞結構,儲存一個位元的資料 ... 其所提供的帶寬基本上可以滿足Pentium III處理器的要求,而後来的850/850E芯片组也 ... 於 eportfolio.lib.ksu.edu.tw -
#48.1 力旺電子2020 年第二季線上法說會Q&A 2020 年8 月12 日 ...
基本 上這兩個在function 上不同: NeoFuse 本身是一個儲存的裝制, ... 奈米,接下來也會進入20 奈米以及更先進的DRAM 製程。 ... 圖1: NeoFuse 原理 ... 於 www.ememory.com.tw -
#49.電漿鍍膜技術:電漿濺鍍(DC)
磁控濺鍍原理與薄膜濺鍍技術 ... 薄膜成長基本步驟 ... 這樣的設備架構基本上就是構成 電漿輔助薄膜製程的基礎,例如的靶材相當於右圖的陰極板。 直流電源供應器. 於 lms.hust.edu.tw -
#50.5G等推動下,以MRAM(磁阻式隨機存取存儲器) - Facebook
MRAM的基本結構是磁性隧道結,研發難度高,目前主要分為兩大類:傳統MRAM ... 目前,DRAM製程工藝節點為1X nm,已接近極限,而Flash走到20 nm以下後,就朝3D製程轉型了 ... 於 ms-my.facebook.com -
#51.半導體製程技術 - 聯合大學
基本 上以週期表的第四族為基準點,其共通特性是每一. 原子平均有四個價電子 ... DRAM. ➢ 電腦和電子儀器的主要儲存元件. ➢ 是IC製程發展的主要驅動力. 於 web.nuu.edu.tw -
#52.先进制程DRAM抛弃了EUV? - 知乎专栏
DRAM制程 工艺进入20nm以后,由于制造难度越来越高,内存芯片制造厂商对工艺的定义已经不是具体的线宽, ... 位线基本上用作中央数据通道。 於 zhuanlan.zhihu.com -
#53.DRAM、NAND Flash 最近貴到炸,你還搞不懂記憶體的差異嗎?
在看完第一集介紹的馮紐曼架構,知道CPU 和記憶體的簡單運作原理後,相信大家都對硬體元件有一些基本概念了~. 等等,我還有一些其他的問題想問! 於 kopu.chat -
#54.第一章緒論
化記錄訊號之”0”與”1”,其運作基本原理與於硬碟上存儲數據相同,所儲. 存之資料具永久性,直至被外界 ... 簡而言之,MRAM 具備SRAM 與DRAM 共同之優點,一般預測,MRAM. 於 rportal.lib.ntnu.edu.tw -
#55.課程 - 科技人才學習網- 竹科管理局
測試基本概念(1hr) ... 【竹科管理局補助課程】半導體製程實作(實作) **報名已截止**, 1.半導體製程概論 ... DRAM記憶胞結構與基礎運作原理 3.DRAM製程技術與發展 ... 於 saturn.sipa.gov.tw -
#56.儲存筆記--ssd基本原理篇- IT閱讀 - ITREAD01.COM - 程式入門 ...
SSD介紹1.什麼是ssd? 固態硬碟(Solid State Drives),用固態電子儲存晶片陣列而製成的硬碟,由控制單元和儲存單元(FLASH晶片、DRAM晶片)組成。 於 www.itread01.com -
#57.DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH三大存儲器分析 - 人人焦點
這是因爲DRAM的基本單元是一個電晶體加一個電容,並用電容有無電荷來 ... DRAM每一次製程的更新換代,都需要大量的投入,以製程從30 nm更新到20 nm爲 ... 於 ppfocus.com -
#59.華邦電子測試二廠(Y000)
再者,IC零件的封裝方式也越來越多樣化,只是不同的封裝製程及材料就代表著會有不同抗濕度入侵的能力。 ... 詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念 ... 快閃記憶體基本原理. 於 winbond-y000.blogspot.com -
#60.[原创] 奇梦达的前世今生 - 半导体行业观察
其工作的大致原理是:当Word Line选通时,晶体管导通,从而可以从Bit Line上读取存储在电容器上的位信息。根据工作原理,无论DRAM制程如何微缩,每个Bit( ... 於 www.semiinsights.com -
#61.光罩
半導體產業的製程技術,隨世代持續演進,中華凸版提供的光罩解決方案,協助客戶去因應這新技術的挑戰 ... 光罩是在積體電路,如LSI,的製造過程中使用的必要基本設備。 於 www.tce.com.tw -
#62.【半導體記憶體】課程綱要
課程目標:本課程提供一個大致的介紹在記憶體類型及其工作原理,基本的記憶單元結. 構和製程技術,基本檢測放大器與陣列架構等。本課程是設計給對半導體元件物理和積. 於 web.ee.nthu.edu.tw -
#63.轉載:ICP工藝的基本原理是什麼@ Chinganchen的部落格 - 隨意窩
這個想法就是傳說中的transformer coupled plasma, Lam 憑藉此招,名震江湖。 三師兄:TEL DRAM and SCCP 2 位師兄已經把線圈的模式發展的淋漓盡致,看來我走coil 是沒有 ... 於 blog.xuite.net -
#64.【dram製程介紹】與【半導體製程英文專有名詞】【跪求PS2 ...
0.35 logic process flow、SRAM、WSIX(MO&DCS)、PHOTO機台製程介紹、Ionimplantation、introduction to IC testing、introduction to ... 製程原理與概論--進階(2梯次) ... 於 dow10k.com -
#65.電巢學堂:DRAM(DDR3/DDR2)的電晶體級結構與原理
每一列事實上由兩根位線組成。(圖中沒有示出這一關鍵細節)。它們通常被叫作「+」位線和「-」位線。 敏感放大器基本就是在兩條位線中一對交叉連接的反相 ... 於 kknews.cc -
#66.聯強國際集團元件事業
Synnex代理的SK Hynix產品線為三大DRAM廠之一且有完整的產品規格以及先進的製程,在大陸/韓國均有設廠,並與Server CPU大廠Intel / AMD皆有密切合作,如下 ... 於 www.synnex.com.cn -
#67.記憶體的介紹~原理~功能~規格 - freesky1158的部落格
有鍵於此,開發新的介電薄膜材料與製程,成為另一個努力的方向,其中又以具高介電及鐵電特性的鐵電薄膜最受矚目。鐵電材料在DRAM的應用上,只利用其電滯曲線的一部份, ... 於 freesky1158.pixnet.net -
#68.CMOS類比積體電路佈局原理與技術人才訓練班
按此規律,在21世紀初,積體電路的基本單元CMOS元件已從次微米進入奈米時代。 ... 目前的DRAM,其容量已經達到1~4 Gbit,預計到2010年,可以達到16 Gbit。 於 edn.udn.com -
#69.水平爐管個別原理
水平爐管個別原理. ➢LPCVD Poly Si ... 改變其電性,並獲得符合製程所需求的“矽”。 ... 而Trench Structure 也可以用LPCVD 多晶矽加以填入,做為DRAM 的. 於 www.tsri.org.tw -
#70.第三季行動式記憶體佔DRAM營收比重達40%
SK海力士最先進製程21nm處於送樣階段,預計在明年第一、第二季大量出貨,貢獻整體產出。美光20nm產品目前在伺服器記憶體領域小量出貨,標準型記憶體驗證正 ... 於 archive.eetindia.co.in -
#71.新型記憶體攻擊,專治製程提高的晶片 - VITO雜誌
既然R攻擊技術如此神通廣大,不容小覷,那讓我們來看看它的原理具體是什麼? R攻擊是一種針對DRAM漏洞的攻擊技術。 通過它重複訪問一個地址時,可能會 ... 於 vitomag.com -
#72.研發類--DRAM TSV 先進製程開發整合工程師(高雄) - 104人力 ...
研發類--DRAM TSV 先進製程開發整合工程師(高雄) · 華邦電子股份有限公司 · 基本資訊 · 工作內容 · 福利制度 · 工作型態 · 條件要求 · 聯絡方式 · 公司環境照片. 於 www.104.com.tw -
#73.五南官網
半導體製程設備. Semiconductor Processing Equipment. 《5D24》 ...more, 半導體元件由矽土製成矽晶圓, 再經數百個製程步驟,才製作出256M級的DRAM。 於 www.wunan.com.tw -
#74.Google 發現新型態的駭客攻擊技術,「先進製程晶片」更容易 ...
看來問題越來越大了。 既然R 攻擊技術如此神通廣大,不容小覷,那讓我們來看看它的原理具體是什麼? R 攻擊是一種針對DRAM 漏洞的攻擊技術。 於 buzzorange.com -
#75.第一章、緒論
市場特性,換言之,DRAM 晶圓製造廠具有大量生產且產品單一 ... 圖2.1 與圖2.2 為晶圓製程基本加工步驟之簡示圖與示意圖, ... 接著以物理沉積原理在晶圓. 於 chur.chu.edu.tw -
#76.dram 製程pdf
10/11/2007 · DRAM的製作過程和一般半導體的製程都是一樣的,只是DRAM是單一產品, ... 文库专业资料工程科技信息与通信DRAM基本工作原理_信息与通信_工程科技_专业资料. 於 www.indnriveranimaladvoctes.co -
#77.半導體業廢棄物資源化技術手冊
其後於1994 年成立之世界先進公司而建立國內自有品牌之DRAM,. 並成為國內生產八吋廠之先鋒,其八 ... 多,名稱各異,不過其中許多元件之製程基本原理及技術差異不大。 於 riw.tgpf.org.tw -
#78.華亞科基本面有撐法人看好多方勢頭 - ETtoday財經雲
外資發布報告指出,看好今(2014)年DRAM產業為牛市,華亞科(3474)將在牛市周期中。 ... 一位資深工程師,以蓋房子的理論:比喻奈米製程改善的原理。 於 finance.ettoday.net -
#79.鐵電記憶體的新篇章 - DigiTimes
FeRAM與NAND的工作原理雷同,結構也可以相似。兼之HfO2的保形薄膜沈積性質良好,可以垂直長薄膜,所以3D的製程挑戰不大。基本上,就是用4nm的HfO2 ... 於 www.digitimes.com.tw -
#80.Si2H6 矽乙烷 - 台灣特品化學股份有限公司
許多製程技術及產品的開發,必須有更高階的材料來配合,而矽乙烷(Disilane)應蘊而生 ... 記憶體(DRAM)、高階顯示屏(LTPS)、光伏電池(Solar Cell)等電子級半導體製程。 於 www.tscs.com.tw -
#81.关于半导体存储,没有比这篇更全的了 - 手机搜狐网
(1) DRAM:全球市场规模约410亿美元。目前DRAM行业基本被三星,海力士,美光三家垄断了95%以上的市场。2014年,三星、海力士在先进制程 ... 於 www.sohu.com -
#82.動態隨機存取記憶體原理 - QFOF
動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory,DRAM)是一種半導體記憶體, ... 存取記憶體(DRAM)製程陸續進入1X 及1Y 製程領域之後,全球DRAM 龍頭南韓三星21 ... 於 www.greentravelnwanders.co -
#83.[3C] 新型DRAM以VLT技術突破刷新限制 - 卡提諾論壇
首先,電容的漏電特性導致了刷新的必要性;其次,儲存單元的基本作業方式之一是讀取,它會影響如何組織記憶體的其他方面。 圖1顯示電容儲存單元的原理 ... 於 ck101.com -
#84.堆疊式構裝在記憶產品之應用(上) :動態隨機存取記憶體
DRAM 的原理乃是利用電容儲存電荷之方式來儲存資料,故每隔一段時間就必須充電一次,以維持其電壓準位。其分類有:. 1.FPM DRAM(快速分頁模式隨機存取記憶體):其特徵是 ... 於 www.ctimes.com.tw -
#85.明志科技大學遠距教學課程教學計畫大綱
壹、課程基本資料(有包含者請於□打✓). 1. 課程名稱. 半導體製程 ... DRAM 製程…等;學生修畢本課程後,應可對半導體製程 ... 趣,並加深各製程技術、原理及方法。 於 aca.mcut.edu.tw -
#86.挑戰創意與物理極限-- 非揮發性記憶體的過去與未來 - 北美智權
常見的記憶體種類中,DRAM(動態隨機存取記憶體)及SRAM(靜態隨機存取 ... 不管是快閃記憶體(flash memory)或是EEPROM,都是根據浮閘原理所衍生的產物。 於 www.naipo.com -
#87.1α 窺秘 世界最先進的DRAM 製程技術
美光最近宣布,我們使用世界最先進的DRAM 製程技術所製造的記憶體晶片即將出 ... 簡言之,基本構想是使用步進式光刻機來建立犧牲特徵,用不同材料覆蓋 ... 於 www.micron.com -
#88.中国存储器芯片行业概览-面包板社区 - 电子工程专辑
当前中国NOR Flash芯片技术基本成熟,但在DRAM、NAND Flash芯片领域,仍与国际领先水平有着一代以上的技术差异。 NAND目前制程基本已经达到极限,开始 ... 於 www.eet-china.com -
#89.記憶體(RAM)是如何製作的|記憶體晶片 - Crucial TW
將矽原料製成記憶體晶片是一項嚴謹而縝密的製程,需要工程師、冶金師、化學技師、與物理學家的共同努力。記憶體在稱為晶圓廠的龐大廠區內製造,內含許多無塵室設施。 於 www.crucial.tw -
#90.二進位的世界:記憶體發展簡史/ DDR4 VS. DDR3 效能評測
因此每一世代,晶圓廠製程更加先進,處理器Cache容量也才能隨之受惠、提昇。從廣義來看,這就是Tick-Tock戰略下的支脈延伸,是故總結而論,SRAM相對於DRAM來說,由於所 ... 於 www.computerdiy.com.tw -
#91.綜觀非揮發性記憶體技術-SONOS 與奈米晶體元件 - 台灣儀器 ...
電晶體(CMOS) 製程,所面臨到較大的挑戰是來自 ... 此基本記憶體元件結構是包含有一個控制閘極 ... 矽ķ記憶體操作的原理是利用電子或電洞(正電荷). 於 www.tiri.narl.org.tw -
#92.非揮發性FRAM記憶技術原理及其應用初探 - 台灣半導體產業協會
註:資料來源:Ramtron. 由於鐵電結構是基本的RAM設計,電路讀取和. 寫入簡單而容易。但是與DRAM不同的是,數據的狀. 態是穩定的,因此FRAM不需要定期更新,即使在電. 於 www.tsia.org.tw -
#93.DRAM的基本工作原理 - 爱问共享资料
DRAM 的基本工作原理林振華內容標題導覽|前言|DRAM的工作原理|記憶單元| ... 的twinwellCMOS三層多晶矽polysilicon和一層鋁導線製程所形成1電晶體1 ... 於 m.ishare.iask.sina.com.cn -
#94.第一章緒論
嵌入式動態隨機存取記憶體的基本架構如圖2.1,它和傳統的分離式的 ... 單元相較於Dram 製程的記憶單元的尺寸稍大,但是在以邏輯電路為主,記憶單 ... 操作原理說明. 於 etd.lib.nsysu.edu.tw -
#95.全球半導體市場最新發展趨勢
動態隨機存取記憶體(DRAM)全球排名第一的韓國三星電子(Samsung Electronics)今年前 ... 法則,而個人電腦業乃構成半導體市場需求面的基本客戶﹔其主要需求因素為︰ 1. 於 www.cs.nccu.edu.tw -
#96.半導體業前景剖析 - 東方日報
半導體板塊近期搶盡風頭,惟有基金經理分析,即使半導體股基本因素是好, ... 由於工作原理與用於2納米製程的GAAFET相似,說不定台積電也有類似探索。 於 orientaldaily.on.cc -
#97.利用虛擬處理加速製程最佳化:DRAM製造案例 - 電子工程專輯
此外,製程步驟之間的非直覺交互作用,以及日益嚴格的製程容許範圍,都使利用第一原理的建模方法難以同步實現效能和良率的最佳化。 於 www.eettaiwan.com -
#98.電漿蝕刻在VLSI製程之應用(二)
在溝槽蝕刻製程中,蝕刻DRAM的深溝. 電容儲存結構乃是其中特別困難且重要的製 ... 其原理是利用不同He氣壓, ... SF為常用之回向蝕刻氣體,基本則只施. 予低偏壓。 於 tpl.ncl.edu.tw -
#99.新世代記憶體技術展望:SRAM, DRAM, FeRAM, OUM,IBM ...
鐵電記憶體單元的基本架構有兩種:第一種為類似DRAM的1T1C架構,此結構因為是 ... 磁電阻記憶體一種非揮發性的隨機存取記憶體,資訊儲存的方式與硬碟機中所運用的原理 ... 於 61.218.12.238 -
#100.11月號特輯:誰會成為萬能的“通用型記憶體”?
隨著製程技術的演進,目前主導儲存市場幾十年的3種記憶體技術——DRAM、EEPROM、SRAM將臨近它們的基本物理極限,再繼續發展都顯得很艱難。 於 www.compotechasia.com