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半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)

為了解決dram介紹的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：

　　以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。   　　本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh

y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考   本書特色   　　●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。   　　●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。   　　●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 　 　　●適合大專以上學

校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。

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後段熱退火對30nm DRAM製程中PMOS負偏壓溫度不穩定之效應探討

為了解決dram介紹的問題，作者徐仁德 這樣論述：

指導教授推薦書口試委員會審定書致謝…………………………………………………………..iii中文摘要…………………………………………………………........ivAbstract………………………………………………………………..v目錄……………………………………………………………………vi表目錄………………………………………………………………….xii圖目錄………………………………………………………………….x第一章 簡介……………………………………………………………..11-1研究背景……………………………………………………………..11-1-1記憶體介紹……………………………………

………….11-2 DRAM介紹……………………………………………………......21-2-1 DRAM 製程……………………………………………...31-3 可靠度介紹………………………………………………………….41-3-1 元件可靠度介紹(Oxide breakdown) ……………………51-3-2時間相依介電層崩潰時間(TDDB) ……………………...51-3-3載子效應(HCE) ……………………………………….….61-3-4負偏壓溫度不穩定效應(NBTI) …………………………61-3-5電荷幫浦電流(ICP) ……………………………………….71-4研究動機………………

……………………………………………..71-5論文結構……………………………………………………………..8第二章 實驗方法………………………………………………………132-1簡介…………………………………………………………………132-2 實驗設計…………………………………………………………...142-2-1實驗一流程……………………………………………...142-2-2實驗二流程……………………………………………...152-3實驗設備……………………………………………………………152-3-1實驗製程設備…………………………………………...152-3-2電性量測設備…………………

………………………...152-4量測方法與原理……………………………………………………162-4-1負偏壓溫度不穩定效應(Negative Bias Temperature Instability，NBTI) ………………………………………….…162-4-2 基本電性 (ID-VG，Gm) …………………………………182-4-3 電荷幫浦電流(Charge Pumping，Icp) …………………182-4-3 活化能(Active Energy，Ea) ……………………………19第三章 探討在不同溫度與不同熱預算分配在金屬層和鈍化層之熱退火修復對PMOS 元件的電性影響……………

……………...273-1 簡介………………………………………………………………...273-2結果與討論…………………………………………………………283-2-1元件可靠度(NBTI)與基本特性 (ID-VG，Gm) 分析……293-2-2 閘極氧化層特性(Ea，ICP)分析……………………….323-3總結…………………………………………………………………33第四章 探討在不同製程順序與不同熱預算分配在鈍化層之熱退火修復對PMOS 元件的電性影響………………………………..484-1 簡介………………………………………………………………...484-2結果與討論……………………

……………………………………494-2-1元件可靠度(NBTI)與基本特性 (ID-VG，Gm) 分析……494-2-2 閘極氧化層特性(Ea，ICP)分析……………………….534-3總結…………………………………………………………………55第五章 結論與未來方向………………………………………………85參考文獻………………………………………………………………..87表目錄表1-1 TDDB測試的四種模式…………………………………………9表3-1 實驗條件………………………………………………………..35表3-2 NBTI stress : -3V@125℃，在第3000 sec，VT shi

ft……………35表4-1 實驗條件，Part I………………………………………………..57表4-2 實驗條件，Part II………………………………………………57表4-3 NBTI stress : -3V@125℃，VT shift在3000 sec，Part I………58表4-4 NBTI stress : -3V@125℃，VT shift在3000 sec，Part II……..58圖目錄圖1-1 一個記憶單元(Single cell)由電晶體和電容與字元線和位元線組成。………………………………………………………….10圖1-2 基本的DRAM 架構圖……………………………………

……10圖1-3 DRAM 結構示意圖…………………………………………….11圖1-4 熱載子效應示意圖……………………………………………..11圖1-5 NBTI操作方式………………………………………………….12圖 2-1製程流程圖……………………………………………………..21圖 2-2 閘極氧化介電層的鍵結結構與R-D model反應與擴散行為..21圖2-3 a.垂直式爐管系統………………………………………………22圖2-3 b.垂直式爐管腔體旁的三個可變溫線圈線……………………22圖2-4 Agilent-4284……………………………………………………..23圖2-5 Agile

nt-81110A………………………………………………….23圖2-6 Agilent-4156C…………………………………………………...23圖2-7 Cascade-Micro chamber…………………………………………24圖2-8 NMOS與PMOS在NBTI的臨界電壓飄移…………………..24圖2-9電荷幫浦電流量測系統架構圖………………………………..25圖2-10 Icp 與VG 關係圖………………………………………………25圖2-11 NBTI與delta Icp與detal Vth趨勢圖………………………..26圖3-1 Process flow ………………………………

……………………..36圖3-2 NBTI stress : -2.2V@85℃，1到3000 sec，VT shift………….36圖3-3 NBTI stress : -3V@85℃，1到3000 sec，VT shift………………37圖3-4 NBTI stress : -3V@125℃，1到3000 sec，VT shift……………37圖3-5 a. b. 未經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I………..38圖3-6 a. b. 經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I……………39圖3-7 a. b. 未經過

與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part I…40圖3-8 a. b. 未經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part II………..41圖3-9 a. b.經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part II……………42圖3-10 a. b.未經過與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part II.43圖3-11 Active Energy，POR……………………………………………44圖3-12 Active Energy，case 2…………………………………………44圖3-13 Act

ive Energy，case 3…………………………………………45圖3-14 Active Energy，case 4…………………………………………45圖3-15 Active Energy，case 5…………………………………………46圖3-16 經過NBTI stress前後的Icp……………………………………46圖3-17 經過NBTI stress後的Icp 與Vt shift…………………………47圖3-18 經過NBTI stress前後Icp的變化量與Vt shift………………47圖4-1 Process flow……………………………………………………...59圖4-

2 NBTI stress : -3V@125℃，1到3000 sec，VT shift，Part I-1……59圖4-3 a. b. 未經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I-1………61圖4-4 a. b. 經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I-1…………61圖4-5 a. b.未經過與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part I-1..62圖4-6 NBTI stress : -3V@125℃，1到3000 sec，VT shift，Part I-2……63圖4-7 a. b. 未經過NB

TI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I-2………64圖4-8 a. b. 經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part I-2…………65圖4-9 a. b. 未經過與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part I-2.66圖4-10 NBTI stress : -3V@125℃，1到3000 sec，VT shift，Part II-1…67圖4-11未經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part II-1…………68圖4-12 經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG

，Part II-1……………69圖4-13 未經過與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part II-1…70圖4-14 NBTI stress : -3V@125℃，1到3000 sec，VT shift，Part II-2…71圖4-15 未經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part II-2…………72圖4-16 經過NBTI stress : -3V@125℃，ID-VG，Part II-2……………73圖4-17 未經過與經過NBTI stress : -3V@125℃，Gm值，Part II-2…74圖4-18 Active E

nergy，POR……………………………………………75圖4-19 Active Energy，case 2…………………………………………75圖4-20 Active Energy，case 3…………………………………………76圖4-21 Active Energy，case 4…………………………………………76圖4-22 Active Energy，case 5…………………………………………77圖4-23 Active Energy，POR……………………………………………77圖4-24 Active Energy，case n2…………………………………………78圖4-25 Act

ive Energy，case n3…………………………………………78圖4-26 Active Energy，case n4…………………………………………79圖4-27 Active Energy，case n5…………………………………………79圖4-28 經過NBTI stress前後的Icp，Part I…………………………80圖4-29 經過NBTI stress後的Icp與Vt shift，Part I-1…………………80圖4-30 經過NBTI stress前後Icp的變化量與Vt shift，Part I-1………81圖4-31 經過NBTI stress後的Icp與Vt

shift，Part I-2…………………81圖4-32 經過NBTI stress前後Icp的變化量與Vt shift，Part I-2………82圖4-33 經過NBTI stress前後的Icp，Part II……………………………82圖4-34 經過NBTI stress後的Icp與Vt shift，Part II-1………………..83圖4-35 經過NBTI stress前後Icp的變化量與Vt shift，Part II-1……83圖4-36 經過NBTI stress後的Icp與Vt shift，Part II-2………………84圖4-37 經過NBTI stress前後Icp的

變化量與Vt shift，Part II-2……84

人生五張表，你也可以FIRE：打造富足生活的使用說明書

為了解決dram介紹的問題，作者吳家揚 這樣論述：

37歲財富自由、42歲提早退休 理財達人教你運用人生最重要的五張表， 打造財富自由系統，做好損益、風險、支出、財務與時間管理， 不再成為工作的奴隸，遇見財富自由的未來！ 　　「經濟獨立」看似遙不可及？「提早退休」只能痴心妄想？ 　　37歲財富自由、42歲提早退休的知名理財顧問無私大公開： 　　你我的人生只需簡單五張表， 　　善用股票、保險、ETF、基金、房地產等， 　　做好損益、風險、支出、財務與時間管理， 　　就能從此迎向財富自由，享受樂透人生！ 　　知名理財顧問吳家揚，從高中開始接觸股市，因為工作和投資安排得當，37歲財富自由，42歲開始享受退休樂透人生。目前致力推廣投資理財教育

，希望幫助大眾晉升財富自由階級。 　　本書首度完整記錄他自幼以來的成長回憶與職涯經歷，詳細分享多年來的資產配置、投資心法、操作策略。受困於月薪的上班族，將能藉由本書脫胎換骨，找回生活的重心。從此不做工作的奴隸，奪回人生的主導權！ 　　善用人生五張表，人人都能預約未來F.I.R.E.的自己： 　　✽投資交易表：交叉分析自己的投資組合 　　✽保險內容表：預見個人與家庭風險缺口 　　✽日常支出表：輕鬆掌握無形的消費習慣 　　✽現金流量表：預估未來30年現金流量 　　✽生活記錄表：管理時間以開啟第二人生 名人推薦 　　沈聰榮／中央廣播電台新聞部經理 　　林宏文／財經專欄作家 　　秦夢群／國立政

治大學教育系特聘教授 　　莊豐嘉／中華電視公司總經理 　　楊月娥／資深媒體人 　　謝春滿／《今周刊》社長 　　（依姓氏筆畫排序）  

運用知識管理系統填補知識移轉造成知識缺口之研究-以某DRAM廠為例

為了解決dram介紹的問題，作者邱思婷 這樣論述：

台灣半導體業因為成本低、良率高，所以世界知名大廠的關鍵零組件大多由台灣生產。但有些零組件台灣需要仰賴國際大廠技術移轉，其中DRAM產業百分之百由國外大廠技術移轉生產。因此，台灣DRAM產業與國際的各大廠之間的技術移轉，促成了臺灣半導體產業的技術發展。　　本研究採用個案探討方式，以某台灣DRAM公司為例，經由訪談、實際案例等方法推演出個案，了解半導體產業的創造知識模式，藉此探討半導體公司如何運用知識管理系有效整合內外部的知識移轉達到知識擴散，推展公司營運模式並同時發展所需要的產業技術；希望能藉由本研究紀錄個案公司知識移轉與擴散，做為半導體產業未來知識移轉和知識擴散的參考。知識缺口與知識管理系統

是目前比較少探討的知識移轉影響因子，本研究結果顯示出這兩個確實是知識移轉被重視的因子，未來知識移轉相關研究可以進一步深入探討知識移轉的實際影響效果。本研究探討運用知識管理系統填補知識移轉造成知識缺口之研究，研究結果可以作為未來開發知識移轉系統關於知識管理系統部分的參考。