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另外網站DRAM、FLASH、DDR簡介及其廠商一覽 - 人人焦點也說明：DRAM (Dynamic Random Access Memory)，即動態隨機存取存儲器，最爲常見 ... Flash內存即Flash Memory，全名叫Flash EEPROM Memory，又名快閃記憶體， ...
國立臺北科技大學 資訊工程系 陳碩漢所指導 蘇新允的 以Trim資訊進行資料配置增進固態硬碟之GC效能 （2021），提出dram全名關鍵因素是什麼，來自於NAND-Flash、SSD、FTL、Trim、GC。
而第二篇論文國立臺灣大學 電子工程學研究所 胡振國所指導 林建宇的 具閘極邊界溝槽結構之金氧半穿隧二極體之暫態電流強化行為 （2020），提出因為有 金氧半穿隧二極體、暫態電流行為、溝槽結構、記憶體特性的重點而找出了 dram全名的解答。
最後網站RAM、ROM和Flash Memory的特性比较 - CFM闪存市场則補充：RAM （Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，－随机存取存储器，一种存储单元结构，用于保存CPU处理的数据信息。它相当于PC机上的移动存储， ...
宏碁的世紀變革：淡出製造、成就品牌
為了解決dram全名 的問題，作者施振榮 這樣論述：
宏碁自1976年創立以來，進行過大大小的變革，此書是1996年天下文化出版了《再造宏碁》之後，施振榮再度現身說法，將宏碁集團第二次再造的歷程，以及他三十三年產業經歷所累積的經營管理智慧，完整、毫不藏私地與讀者分享。 即將在今年底退休的施振榮，一路走來，一直在走一條不一樣的路，他不斷地創造價值、創新典範、創立新模式，在他的帶領下，ABW家族各自擁有自己的一片天，脫胎換骨、展現新貌。 此書是施振榮退休前的重要獻禮之一，書中內容絕非紙上談兵，都是可以真正應用的，讀者將可從施振榮分享的價值中，找尋並開創出自己的價值。作者簡介 施振榮 台灣省彰化縣人。國立交通大學電子工程研究所碩士。現
為宏碁集團董事長。� 宏碁集團在其帶領之下，成為台灣最大的自創品牌廠商，以及全球第七大個人電腦公司；並因此而廣受世界媒體稱譽。美國的《商業周刊》（Business Week）稱宏碁集團為「能夠持續企業開創精神的亞洲新巨人」；而《世界經理人文摘》（World Executive\’s Digest）則指施振榮本人為「全球十五位最能創造時勢的企業家。」� 施振榮的優異表現獲各方肯定︰一九七六年，獲選全國十大傑出青年。一九八一年，當選全國青年創業楷模。一九八七年，獲美洲中國工程師學會頒發「中國工程師傑出成就獎」。一九九三年，獲頒國立交通大學名譽博士。 並曾受邀於總統府月會演講，為其「科技島與世
界公民」定位；是民間企業中，推動台灣產業升級及國際化不遺餘力的企業人士。 1944年出生於台灣鹿港。交通大學電子工程研究所畢業。1971年進入環宇電子公司服務，開發出台灣第一台桌上型電算器；次年進入榮泰電子公司，又先後領導開發出台灣第一台手上型電子計算機與世界第一支電子筆表。對台灣的技術提升與外銷拓展有所貢獻。1976年，基於推廣微處理機技術的理想，與夫人葉紫華女士和其他三位夥伴創立宏碁，至今服務於宏碁集團已28年，是目前全球高科技產業在位最久的CEO。現為宏碁集團董事長，預計2004年年底退休。 採訪者簡介 張玉文 台灣大學外文系畢業，美國威斯康辛大學麥迪遜校區新聞碩士。19
89年開始投入新聞工作，主跑科技、財經路線，曾擔任《天下雜誌》記者，《聯合報》記者，《遠見雜誌》資深記者、副總編輯，《天下文化》特約資深撰述。2002年離開新聞工作崗位，現專事翻譯。
以Trim資訊進行資料配置增進固態硬碟之GC效能
為了解決dram全名 的問題，作者蘇新允 這樣論述：
SSD全名為Solid-state drive，是基於NAND-Flash做為永久儲存裝置。NAND-Flash具有容量較大，改寫速度快等優點，近年來隨著NAND快閃記憶體的成本降低，SSD固態硬碟的應用範圍也就跟著增加。相較於傳統硬碟，SSD有隨機存取的速度很快、且存取時間固定、體積小等優點，但相對也有損壞時資料不可挽救、Cell讀寫次數有限制的缺點。 為了管理這些限制，SSD會有一個FTL（Flash Translation Layer）來管理Cell下次要寫到哪個地方，避免一直寫到同個地方以延長Cell的壽命，稱為Wear Leveling。然而為了更好的資料回收，Trim告訴SSD
哪些資料為無效的資料，並適時刪除，可以用來提升GC（Garbage Collection）效率。然而Trim在過去只被用來做GC效率的提升，較少的研究將它作為資料配置的依據。因此本篇論文提出了選擇write pointer機制來透過Trim資訊的方式進行資料配置，從源頭增進GC效率。
具閘極邊界溝槽結構之金氧半穿隧二極體之暫態電流強化行為
為了解決dram全名 的問題，作者林建宇 這樣論述：
本論文旨在研究一種新型結構的金氧半穿隧二極體，其全名為具閘極邊界溝槽結構之金氧半穿隧二極體(以下簡稱為溝槽元件)。與傳統的平面型金氧半穿隧二極體相比(以下簡稱為平面元件)，此新型結構元件在電流–電壓、記憶體留存、記憶體耐久特性中不只展現了較低的反偏壓電流，更擁有較大的暫態電流，比如說在1000個週期的記憶體耐久量測中，溝槽結構元件的記憶體電流窗口比傳統結構元件大了25倍。從高頻率的電容–電壓量測中可以推測，溝槽元件中的少數載子數量(即電子)較平面元件少，這也被認為是造成其反偏壓電流較小的原因。此外，根據以上的推論，我們提出了一個模型來解釋為何溝槽元件的暫態電流行為比平面元件要來的更強。最後，
不同等效氧化層厚度對暫態電流的影響也在本論文中被詳細探討，並且我們發現溝槽元件在很大的等效氧化層厚度範圍內，都具有比平面元件更好的記憶體電流窗口。由於較強的暫態電流特性與其所致的較佳記憶體電流窗口，具閘極邊界溝槽結構之金氧半穿隧二極體擁有作為揮發性記憶體的潛力。