DRAM的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

Make It a Double: From Wretched to Wondrous: Tales of One Woman’’s Lifelong Discovery of Whisky

為了解決DRAM的問題，作者Sackier, Shelley 這樣論述：

A witty and immersive look at the history, mythology, science, and magical touch that makes whisky taste like a drop of gold. Braving the ＂all boys＂ clubhouse of the world of whisky has not been easy, but Shelley Sackier has managed to do just that out of her love for the drink. By turns funny an

d poignant and filled with vivid insight into this ancient craft, Make it a Double will persuade even a teetotaler to want a wee dram. As a woman whose first sip of whisky created the female doppelganger of a Mr. Yuk sticker, that experience produced a sharp realization that the liquid was foul, poi

sonous, and needlessly dirtied a previously clean glass. And then she met Scotland. Her curiosity and growing passion lit a fire--igniting a desire to learn more about this craft’s rich and vivid history and the need to break out of an old life and to become the mother, partner, and woman she has al

ways sought to be. After completing a course in Scotland’s famed Bruichladdich Distillery, Shelley begins her path of writing about--and working within--the world of whisky. There has never been a better time for Shelley’s inimitable voice to shed light on this intoxicating realm. Women are not only

impressively contributing to the burgeoning sales of the spirit--making up nearly 40% of the whiskey-drinking population in the United States--but they are also growing in number as they enter in to, train within, and lead the industry with their determined creativity and innovation. In the traditi

on of Blood, Bones, and Butter, Make it a Double establishes Shelley Sackier as a fresh new voice in the lush world of culinary narrative.

DRAM進入發燒排行的影片

通過預測嚴重的矽穿孔和凸塊故障來強化三維積體電路電源供應網路

為了解決DRAM的問題，作者劉泳儀 這樣論述：

隨著科技進步並延續摩爾定律，三維積體電路設計以減輕二維晶片中的擁擠問題。三維積體電路利用矽穿孔和凸塊來連接不同層的晶片，形成堆疊的技術。然而在三維積體電路製程上，正面臨著各方面的問題與挑戰，例如良率及可靠性低、製造成本高等等。其中，矽穿孔和凸塊在製程中故障會造成電壓及電路的性能下降，嚴重更會導致功能故障。因此，本論文會針對電源矽穿孔和凸塊提出一個強化電源供應網方案，以確保當矽穿孔/凸塊故障時，電壓還是可以維持在可接受的壓降內。首先我們會用機器學習的方式去預測電源矽穿孔/凸塊的重要順序，以得到最差情況的電壓分析結果。然後，對最差情況的壓降利用增加恢復電源矽穿孔及電源條來對電源供應網進行修復，直

到壓降回復到定義的目標電壓。我們採用三個製程的實際電路來來測試我們強化後的電源供應網，分別是TSMC 180奈米、40奈米以及65奈米。實驗結果顯示，我們提出的電源矽穿孔/凸塊錯誤時強化電源供應網方案是有效的。

辣椒醬

為了解決DRAM的問題，作者黃尊聖 這樣論述：

　　你我之間的差異造就了我們不同的人生經歷，與您分享我的人生。  

兼具高可靠性與低變異度的 Cu/GeOxNy/P+-Si 電阻式記憶體

為了解決DRAM的問題，作者古淯辰 這樣論述：

記憶體的市場需求越來越大，人工智慧的快速發展讓人類需要兼具大量資料儲存空間與快速讀寫性能的記憶體，目前市面的固態硬碟與DRAM的讀寫速度仍有一段差距，因此需要研究新的記憶體來達成這個目標，電阻式記憶體有著快速的讀寫速度與高密度堆積的潛力，為目前主流新興記憶體的一種，但元件的變異度太大使得電阻式記憶體難以有更大的儲存容量，因此本研究著重於變異度的改善。本篇用銅當作上電極，藉由銅導電絲的形成來轉換阻態，絕緣層則沉積GeOx與GeOxNy來比較性質差異。結果可觀察到GeOxNy元件的特性得到大幅改善，與同製程下的GeOx相比，擁有更低的變異度與更高的可靠度，脈衝操作的耐久性可以超過10^6、資料於

85°C下可保存超過10^4且直流耐久性可超過10^3，CV值則從原本的20-30%降低到10%出頭。