電池膨脹處理的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

從鬱金香到比特幣的泡沫狂歡：大宗商品市場400年投機史

為了解決電池膨脹處理的問題，作者托爾斯登．丹寧 這樣論述：

速讀橫跨四世紀的投機和商品期貨市場！ 鉅虧與暴富的循環，比股票市場更古老的交易領域！ 凡是能貨幣化的東西，就會有對賭漲跌的投機神話── 大通膨週期裡，人們必須溫習的一本金融史書。 　　收錄原油、貴金屬、農作物、加密貨幣的交易常識， 　　一窺商品炒家與大型機構交易員的預期與意料之外…… 　　從「荷蘭鬱金香狂熱」到今天的比特幣等重大財經市場商品的迷人觀察。本書涵蓋了如「白銀星期四」和亨特兄弟及許多投資機構的厄運；見證銅、黃金、稀土、能源金屬和比特幣，在一年內上百倍的漲跌幅。 　　商品市場的定價往往處於歷史與地緣等大趨勢的十字路口上，緊急的事件與人為的炒作往往使其高度偏離實際交易的價格。本

書通過研究和學習這個市場的災難及狂歡，了解一個比股票市場更為驚人的投機場域，也從中見證了政治、經濟與天候對重要資源世界的金融化效應。 本書特色 　　★從17世紀的鬱金香瘋狂到今天的比特幣，本書涵蓋了商品市場（commodities market）歷史上最大型、最多錢、最有趣的時間。作者結合了真實市場事件以及知名商人的私人經歷，不論是獲得還是失去了一大財富，都在這本書中呈現給讀者。   　　★從「銀色星期四」（1980年代美國白銀市場的重要事件）以及亨氏兄弟的操作、到大型機構交易員的慘烈厄運、剛果以及銅的市場、黃金、能源金屬到比特幣（從1000美元的價值一路升到2萬美元的價格），這一切都將在

本書中一一敘述。商品市場所投資的是大潮流，比如人口統計、氣候變化、電子化及數位化。所以商品市場作為投資未來，一定持續會是熱門的話題；而大好機會背後的大風險也是本書各個狂歡故事的背後教誨，在這個高度炒作的市場中，人類不斷地重複貪婪與破產的循環規律。儘管有這麼多的泡沫歷史──然而，總有新的商品成為投資新聞中的新寵，這慘烈的軌跡也是現代金融值得紀錄的瘋狂一頁。 　　★了解龐大的大宗商品交易市場的交易規格及歷史，重要的交易標的物包括： 　　鬱金香狂熱──史上最大泡沫 　　鑽石──全世界最硬貨幣的崩盤 　　天然氣、可可──驚人的交易幕後 　　黃金與白銀──金本位制的終結之後 　　原油──地緣大事件的投

機 　　糖、小麥與稻米──與天對賭的農產品 　　棉花──「白色的金子」 　　釹、鏑和鑭──稀土狂潮 　　加密貨幣──橫空出世 好評推薦 　　如同犯罪小說一樣的洞察力，本書引導我們經歷大宗商品和加密貨幣市場的興衰。──法蘭克．梅爾，德國電視新聞n-tv記者 　　身為歷史學家，我很愛托爾斯登對於形塑大宗商品產業一些為人所知（還有較不知名）事件的洞察。我非常推薦本書給想要更瞭解大宗商品市場的人。──安德魯．瑟克，網站《礦與金錢》內容主管 　　對商品市場感興趣的私人和機構投資人，都可以透過本書獲得豐富的知識。托爾斯登．丹寧介紹歷史上出現的模式，值得仔細閱讀。──尤申．斯特傑，瑞士資源資本執行長

　　我很期待這本書！這些歷史事件很有趣，而且全都集中在本書中了，真是太好了！──湯瑪士．雷梅特，投資公司布洛索利德營運長暨創辦合夥人 　　不論是人為錯誤、戰爭或是天然災害，從石油、花朵、食品和金屬市場的經濟起落，本書帶領讀者經歷過去400年來的金融風暴。儘管波動劇烈，還是有人想要在危機最嚴重時把握機會。有些人成功，有些人當然會失敗。本書絕對是必讀佳作。──亞歷山大．亞庫布曲克，歐爾蘇金屬公司營運長暨探勘部主任 　　托爾斯登是商品市場真正的學生，他詳述長期以來市場的重大興衰，提醒了我們，所有人都仍在學習。──丹尼爾．布利茲，加拿大蒙特屢銀行資本市場公司董事經理暨地區主管 　　「興衰」一

詞通常是指帳面上的獲利與損失，但是托爾斯登的書破解這個迷思。他引導讀者經歷一段刺激的歷程，解釋興衰究竟是什麼，並指出興衰所呈現的機會。──葛瑞格．哈里斯，CIBC世界市場執行董事

哈伯寶藏：哈伯太空望遠鏡30年偉大探索與傳世影像

為了解決電池膨脹處理的問題，作者JimBell 這樣論述：

　　太陽發出的光要八分半鐘才會抵達地球，因此我們看到的太陽是它八分半鐘之前的樣子。同理，往太空愈深處望去，看到的就是愈久以前的太空。哈伯太空望遠鏡能看見太空非常久以前的樣子，包括數百萬、甚至數十億年前的恆星、星雲和星系。 　　 　　哈伯揭露的宇宙起源和演變歷程，遠超過其他太空望遠鏡。要是沒有哈伯，我們就不可能準確地知道大爆炸發生在將近138億年前，或者大質量黑洞在宇宙中很普遍，或者需要更多證據支持暗物質的存在。2020年4月，這架當代最重要的望遠鏡已經滿30歲，並進入可用年限的最後階段。哈伯先前已歷經五次太空維護任務，為本書撰寫序言的太空人約翰．格倫斯菲爾德參與了其中三次，今後

哈伯將不再接受實體維護，但在停止運作之後，哈伯的遺產仍會長久傳承下去。 　　 　　本書作者吉姆．貝爾教授是使用哈伯望遠鏡的天文學家，也是頂尖太空攝影專家，他在這本精采的專書中細數哈伯的所有成就，我們會了解哈伯如何拓展人類對宇宙的認識，以及我們在宇宙中的位置。   本書特色   　　自1990年發射升空至今，哈伯太空望遠鏡捕捉到無以數計的壯麗影像，包括太陽系與系外行星、遙遠的衛星、大量的小行星、行蹤飄忽的彗星、爆炸的恆星、高聳的星雲，以及碰撞中的星系。不過，由於NASA已不再對哈伯望遠鏡進行實體維修，這架「時光機」很可能會在不久的未來停止運作，因此，使用哈伯進行觀測研究的天

文學家、也是頂尖太空攝影專家吉姆．貝爾教授寫下了這本終極版的哈伯專書，向哈伯望遠鏡服役30週年誌慶，並回顧它為天文知識帶來的眾多進展。書中包含五大重點： 　　■以大尺寸高解析畫面呈現歷來最經典的哈伯天體照片 　　■詳細解說這些拍攝成果在天文學上的意義 　　■哈伯帶來的重大發現與後續研究 　　■使哈伯的建造、維護與升級得以實現的工程技術 　　■哈伯的下一步，以及繼哈伯之後的太空望遠鏡計畫

以噴霧乾燥法製備Si/Graphite複合陽極材料及其電性分析

為了解決電池膨脹處理的問題，作者陳映如 這樣論述：

明志科技大學碩士學位論文口試委員審定書 i誌謝 ii摘要 iiiAbstract iv目錄 vi圖目錄 x表目錄 xvii第一章 緒論 11.1 前言 11.2 研究動機 2第二章 文獻回顧 32.1 二次電池簡介 32.2 鋰離子二次電池的基本概念 42.2.1 陰極材料 (Cathode materials) 52.2.2 陽極材料 (Anode materials) 72.2.3 電解液 (Electrolyte) 92.2.4 隔離膜 (Separator) 112.3 碳/矽複合陽極介紹 122.3.1 矽基材料之介紹 12

2.3.2 鋰離子嵌入碳材的充/放電原理及矽的儲存機理 132.4 碳/矽複合陽極材料製備方式 142.4.1 固相摻混法 (Solid-state blending method) 142.4.2 靜電自組裝法 (Electrostatic self-assembly method) 202.4.3 氣相沉積法 (Chemical vapor deposition) 252.4.4 噴霧乾燥法 (Spray drying method) 322.5 陽極材料改良方式 382.5.1 尺寸控制 392.5.2 表面包覆 432.5.3 活性/非活性合金

482.5.4 結構設計 522.5.5 複合材料 56第三章 實驗方法 603.1 實驗藥品與儀器 603.1.1 實驗藥品 603.1.2 實驗儀器與設備 623.2 矽碳複合陽極材料製備 643.2.1 靜電自組裝法製備矽石墨複合陽極材料 (bare-Si/G)之步驟 643.2.2 以噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料(SD-Si/G)之步驟 663.3 材料之物/化性分析 683.3.1 晶相結構分析 (X射線繞射分析） 693.3.2 材料碳層分析 (顯微拉曼光譜分析) 703.3.3 碳含量分析 (元素分析儀) 713.3.4 官

能基分析 (傅立葉轉換紅外光譜分析) 723.3.5 表面形態與元素組成分析 (掃描式電子顯微鏡分析) 733.3.6 晶體微觀結構分析 (穿透式電子顯微鏡) 753.3.7 比表面積分析 (比表面積與孔徑分析儀) 763.3.8 材料之電化學性質分析 77第四章 結果與討論 834.1 複合材料之物化性分析 834.1.1 複合材料之晶相結構分析 (XRD) 834.1.2 複合材料之顯微拉曼光譜分析 (Raman) 854.1.3 複合材料之表面官能基分析 (FT-IR) 874.1.4 複合材料之表面形貌分析 (SEM)與元素分析 (EDS) 89

4.1.5 複合材料之微觀結構分析 (HR-TEM) 964.1.6 複合材料之粒徑大小分析 (DLS) 1004.1.7 複合材料之表面電位分析 (Zeta Potential) 1064.1.8 複合材料之比表面積分析 (BET) 1094.1.9 複合材料之殘碳量分析 (EA) 1124.2 電化學性能分析 1134.2.1 低電流速率充/放電分析 1134.2.2 高電流速率充/放電分析 1164.2.3 循環穩定性分析 1214.2.4 交流阻抗測試及鋰離子擴散係數分析 1314.2.5 電化學之循環伏安分析 1384.2.6 差分容量分

析 1414.2.7 原位膨脹分析 144第五章 結論 151參考文獻 152 圖目錄圖 1、(a). 為充電過程、(b). 為放電過程中鋰離子二次電池的工作原理示意圖 4圖 2、陰極晶體結構圖: (a). 橄欖石結構、(b). 層狀結構、(c). 尖晶石結構 5圖 3、合金型、轉化合金型、轉化型及插層型等不同陽極材料特性比較 7圖 4、失效機理: (a). 顆粒粉碎；(b). 電極塌陷；(c). SEI層連續生成 12圖 5、a-Si@SiOx/C複合材料在充放電速率為 (a). 100 mA g-1及 (b). 500 mA g-1時的充/放電循環性能 16圖 6、1-

BM樣品的 (a1). SEM、(a2). TEM和(a3). SAED圖像；2-BM樣品的；(b1). SEM、(b2). TEM和(b3). SAED圖像 17圖 7、(d). 1-BM和(f). 2-BM在0.2C時的放電/充電曲線圖 18圖 8、1-BM和2-BM樣品在 (e). 不同電流速度下的電化學性能；(g). 0.2C下的循環壽命圖 19圖 9、自組裝法製備多孔石墨/矽/碳複合材料之製程示意圖 20圖 10、多孔石墨/矽/碳的(a). 循環伏安圖；(b). 電流速度為50 mA g−1的第1、5、10、20次之充/放電曲線圖；(c). 循環壽命圖；(d). 不同速率性能

圖 21圖 11、RH-Nano Si@C/CNT的(a-c). SEM圖、(d、e). TEM圖及(f).HR-TEM圖和其相對應的選區電子繞射圖 22圖 12、RH-Nano Si@C/CNT的倍率性能表現分析圖 23圖 13、RH-Nano Si@C/CNT的長期充/放電循環壽命圖 24圖 14、微波等離子體CVD反應器裝置示意圖 25圖 15、微波功率為0.4、1 kW時，不同CVD時間與矽含量的關係圖 26圖 16、充/放電速率為C/20時，首次循環的可逆/不可逆克電容量與矽含量之間的關係比較圖 27圖 17、在2 C高速率充/放電時，碳矽複合材料的循環壽命圖 28圖

18、Si NP-C電極的拉曼光譜分析圖 29圖 19、在不同放大倍數下，碳片上Si NP沉積的形態圖 30圖 20、在0.1 A g-1速率下，Si NP (0.5 mg cm-2)克電容量維持率、庫侖效率及使用相同的測量程序循環的碳基板的克電容量維持率圖 30圖 21、不同質量負載的Si NP-C電極在0.8 A g-1速率時的循環壽命圖 31圖 22、不同質量負載的Si NP電極的倍率能力分析圖 31圖 23、噴霧乾燥製程示意圖 33圖 24、球型Si/C複合材料的 (f)-(g). SEM圖；(h). FIB分析的切面圖 33圖 25、Si/C陽極的 (a). 首次充/

放電曲線圖；(b). 長期循環壽命圖 34圖 26、不同速率下的充放電曲線圖 (黑色為無3D導電網絡的Si/C陽極，紅色為具有3D導電框架的Si/C陽極) 34圖 27、(a). 矽原料、(b). 天然石墨和(c-d). 石墨/矽-多孔碳複合材料的SEM圖像；(e). 石墨/矽-多孔碳複合材料的橫切面SEM圖像 36圖 28、石墨/矽-多孔碳複合材料的氮吸-脫附曲線圖 37圖 29、石墨/矽-多孔碳複合材料和天然石墨(插圖)的循環伏安圖 37圖 30、天然石墨與石墨/矽-多孔碳複合材料的循環性能及庫倫效率圖 38圖 31、微米級/奈米級MG-Si粉的製備流程圖 39圖 32、(a

). 微米級矽電極、(b). 奈米級矽電極在速率C/24時的前兩次充/放電曲線變化圖 40圖 33、微米級和奈米級矽電極於C/6速率下的循環壽命比較圖 41圖 34、SEM圖像：(a). 循環前、(b). 循環後的微米級矽電極(c). 循環前、(d). 循環後的奈米級矽電極 42圖 35、Si/G/C複合材料的製備流程圖 43圖 36、矽、MCMB和Si/G/C複合物的拉曼光譜圖 44圖 37、Si/G/C複合材料的TEM圖像: (d). 全尺寸；(e). 部分放大圖、(插圖為SAED圖像)；(f). 邊界部分的HRTEM圖 45圖 38、不同矽比例之Si/G/C複合材料在前三個循

環中的充/放電曲線圖: (a). 10 wt.%；(b). 20 wt.%；(c). 30 wt.%；(d). 40 wt.% 46圖 39、在第二循環的鋰化狀態下Si/G/C複合材料的AC曲線圖 46圖 40、速率為0.2 C時，Si/G/C複合材料之放電克電容量與庫侖效率圖 47圖 41、嵌入Cu3Si的3D PoSi的合成流程圖 48圖 42、(a)–(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同倍率的FESEM圖像；(d). EDS元素映射圖；(e). 氮吸附和解吸等溫線圖；(f). 相應孔徑分佈圖 49圖 43、(a)-(c). 嵌入Cu3Si的3D PoSi之不同放大倍率

的TEM圖像和(d). HRTEM圖像 50圖 44、嵌入Cu3Si-3D PoSi電極的(a). CV曲線；(b). 電流速度為0.4 A g-1時的循環性能；(c). 不同電流速度下的倍率性能；(d). AC 51圖 45、卵黃殼多孔矽@碳之合成設計示意圖 52圖 46、p-SiNPs@HC之XRD分析圖 53圖 47、p-SiNPs@HC之 (a). TEM圖像；(b). HRTEM模式；(c). SAED圖；(d). 高角度環形暗場掃描透射電子顯微鏡成像圖像 54圖 48、(a). p-SiNPs@ HC-1電極的CV曲線圖；(b). 各材料電極的第一循環充/放電曲線圖；(c

). 電流速度為200 mA g–1時各材料的循環壽命圖；(d). 各材料在不同電流密度時的倍率性能 55圖 49、(a). 各材料的奈奎斯特 (EIS)曲線圖；(b). p-SiNPs @ HC-1的EIS曲線在循環過程中的演變 56圖 50、SiGC複合材料的製備合成過程示意圖 57圖 51、球磨Si、石墨、SiG及SiGC的拉曼光譜分析圖 57圖 52、球磨Si、SiG及SiGC樣品於不同速率下之電性比較圖 58圖 53、在電流速度為0.5 A g -1下 (c). SiGC充/放電300次循環的循環壽命比較圖；(d). 球磨Si、SiG及SiGC的容量保持率圖 59圖 54

、靜電自組裝流程示意圖 65圖 55、噴霧乾燥法製備矽石墨複合陽極材料 67圖 56、矽石墨複合材料之物/化性檢測項目流程圖 69圖 57、X光繞射分析儀 (BRUKER D2 Phaser)硬體設備圖 70圖 58、顯微拉曼光譜儀 (Confocal Micro-Renishaw)硬體設備圖 71圖 59、元素分析儀 (Thermo Flash 2000)硬體設備圖 72圖 60、傅立葉紅外光光譜儀 (Spectrum 100)硬體設備圖 73圖 61、熱場發射掃描式電子顯微鏡 (JEOL JSM-IT700HR)硬體設備圖 75圖 62、穿透式電子顯微鏡 (HR-TEM)硬

體設備圖 76圖 63、比表面積與孔徑分析儀 (Micromeritics, Gemini VII)硬體設備圖 77圖 64、CR2032鈕扣型半電池之封裝示意圖 79圖 65、佳優 (BAT-750B)充/放電測試儀圖 80圖 66、等效電路示意圖 81圖 67、恆電位電池測試儀 (Metrohm Autolab PGST AT302N)圖 82圖 68、電化學膨脹儀 (Electrochemical dilatometer)結構示意圖 83圖 69、Emax-KS6、Si與矽石墨複合陽極材料的XRD比較圖 85圖 70、NG及矽石墨複合陽極材料之顯微拉曼光譜圖 87圖 7

1、NG、PDDA-Si及各複合陽極材料之FT-IR圖譜 89圖 72、bare-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 73、SD1-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 91圖 74、SD2-Si/G複合材料之FE-SEM分析圖 92圖 75、bare-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 94圖 76、bare-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 94圖 77、SD1-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 95圖 78、SD1-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 95圖 79、SD2-Si/G複合材料的EDS分析光譜圖 96圖 80、SD2

-Si/G複合材料的EDS元素Mapping分佈圖 96圖 81、NG樣品之TEM分析圖 98圖 82、bare-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 99圖 83、SD1-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 84、SD2-Si/G複合陽極材料之TEM分析圖 100圖 85、NG之雷射粒徑分析圖 102圖 86、bare-Si/G之雷射粒徑分析圖 103圖 87、SD1-Si/G之雷射粒徑分析圖 104圖 88、SD2-Si/G之雷射粒徑分析圖 105圖 89、NG之Zeta表面電位檢測結果圖 107圖 90、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果圖 108圖

91、bare-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 92、SD1-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 110圖 93、SD2-Si/G複合陽極材料之比表面分析圖 111圖 94、各種不同矽石墨複合陽極材料於100/100 mA g-1充/放電速率下之活化電性比較圖 114圖 95、各種不同矽石墨複合陽極材料於100 mA g-1相同速率下之首次充/放電曲線 115圖 96、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性表現階梯圖 117圖 97、bare-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 118圖 98、SD1-Si/G樣品於100-800

mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 119圖 99、SD2-Si/G樣品於100-800 mA g-1不同速率下之充/放電曲線圖 120圖 100、各材料在100/100 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較分析圖 122圖 101、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 123圖 102、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 124圖 103、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能曲線圖 125圖 104、各材料在400/400 mA g-1速率下之充/放電循環壽命比較圖 126圖

105、bare-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 127圖 106、SD1-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 128圖 107、SD2-Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能曲線圖 129圖 108、在100/100 mA g-1速率下10次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 131圖 109、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1

-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 132圖 110、在400/400 mA g-1速率下經100次循環充/放電後，bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之EIS阻抗比較圖；插圖為放大區間在50Ω 133圖 111、在100/100 mA g-1速率下30次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖 135圖 112、在400/400 mA g-1速率下100次循環充/放電後bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品之Z’ vs. 1/√ω 分析圖

136圖 113、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次循環伏安比較圖 138圖 114、bare-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 138圖 115、SD1-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 116、SD2-Si/G複合陽極材料之循環伏安圖 139圖 117、經兩次循環充/放電後，各種自製矽石墨複合陽極材料之差分容量比較圖 140圖 118、bare-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 119、SD1-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 141圖 120、SD2-Si/G複合陽極材料之差分容量分析圖 142圖 122、矽石墨複合電極之電壓-時間變化曲線比較圖

145圖 123、矽石墨複合電極之厚度-時間變化曲線比較圖 145圖 124、bare-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 146圖 125、SD1-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 147圖 126、SD2-Si/G複合電極前五次循環之相對厚度變化與電壓分佈曲線 148表目錄表 1、常見二次電池之特性比較 3表 2、各種不同結構陰極材料之特性比較 6表 3、不同種類碳系材料的負極特性表現 8表 4、不同鋰鹽的特性分析 9表 5、不同電解質溶劑的特性分析 10表 6、原始Si、研磨Si、熱處理過的研磨Si及不同重量比的研磨矽/檸檬

酸複合材料在定電流充/放電時的電化學性能 (充/放電電流為100/100 mA g-1) 15表 7、不同矽含量複合陽極材料的電阻值 47表 8、實驗藥品 60表 9、實驗儀器與設備 62表 10、樣品簡稱表 64表 11、充/放電流條件計算表 79表 12、NG及各矽石墨複合陽極材料之micro-Raman數值比較 86表 13、KS6之雷射粒徑結果數據 101表 14、NG之雷射粒徑結果數據 102表 15、bare-Si/G之雷射粒徑結果數據 103表 16、SD1-Si/G之雷射粒徑結果數據 104表 17、SD2-Si/G之雷射粒徑結果數據 105表 18、N

G之Zeta表面電位檢測結果數據 107表 19、PDDA-Si之Zeta表面電位檢測結果數據 108表 20、各矽石墨複合陽極材料之比表面積數值表 109表 21、各種不同自製矽石墨複合陽極材料之碳含量分析 112表 22、各種不同矽石墨複合陽極材料於相同充/放電速率下之活化電性表現比較表 114表 23、各種不同矽石墨複合陽極材料之首次充/放電之電性數據表 115表 24、各材料於不同充/放電速率下之充/放電電性比較表 117表 25、bare-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 118表 26、SD1-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 119表 2

7、SD2-Si/G樣品於不同充/放電速率下之電性數據表 120表 28、各材料在100/100 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 122表 29、bare-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 123表 30、SD1-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 124表 31、SD2-Si/G於100/100 mA g-1速率下之循環性能數據表 125表 32、各材料在400/400 mA g-1速率下，充/放電循環穩定性比較表 126表 33、bare -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性

能數據表 127表 34、SD1 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 128表 35、SD2 -Si/G於400/400 mA g-1速率下之100 Cycle循環性能數據表 129表 36、本實驗自製矽碳複合陽極材料數據結果與文獻資料之比較 130表 37、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過10次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 132表 38、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過30次100 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 133

表 39、bare-Si/G、SD1-Si/G及SD2-Si/G樣品經過100次400 mA g-1相同速率充/放電循環後之阻抗分析結果數據 134表 40、各複合陽極材料於100 mA g-1速率下，30次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 136表 41、各種不同複合陽極材料於400 mA g-1速率下，100次充/放電循環後之鋰離子擴散係數比較 137表 42、矽石墨複合電極於相同充/放電速率下之電性數據表 146表 43、bare-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 148表 44、SD1-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 14

9表 45、SD2-Si/G複合電極前五次循環之膨脹率與不可逆膨脹率數據比較 150