快閃記憶體發明人的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

3D NAND Flash智慧財產專利研究分析

為了解決快閃記憶體發明人的問題，作者吳國緯 這樣論述：

隨著數位消費電子產品的功能日益提升，儲存媒體已成為諸多消費電子產品設計中不可或缺的一環。也受惠於智慧型手機搭載的NAND Flash memory 存儲容量的持續提升，以及PC、伺服器、資料中心積極導入固態硬碟(SSD)，而固態硬碟(SSD)的關鍵零組件正是NAND Flash memory，使得NAND Flash memory 的市場需求增長速度快到令人無法想像。各家廠商除了投入大量的資金積極擴廠和及併購相關產業外，更積極的研發高容量、讀寫速度快及低成本的產品。 伴隨著NAND Flash memory 製程技術邁入1x nm 以下、製程從 32 層切入到 64 奈米、再到

72 層、甚至 96 層的發展過程，架構邁向TCL、創新的立體3D NAND 結構、更低成本的設計、應用更趨於廣泛，也因此3D NAND Flash memory 的設計與製造生產過程必定會遭遇到許多瓶頸與挑戰。在面對這競爭激烈也刻不容緩的產業發展下，各家廠商在進行技術發展的同時，除了著重在如何找出關鍵技術領先群雄並避開各家專利衝突的發生之外，也應避免誤入專利權雷區就是一個很重要的課題了。 有鑒於此，本論文使用專利分析法，透過M-Trends 專利分析平台針對3D NANDFlash memory 產業進行專利趨勢分析，本次研究結果顯示1977-2018 年間有2,769 件專利申請件

數，由2005 年開始有明顯增加，2009~2015 年間最為蓬勃發展，但自2017 年開始各國專利申請件數都有明顯降低的趨勢，是否表是研發技術遇到瓶頸或是其他技術正悄悄發展，可由後續研究人員持續觀察。另外透過其他各項檢索結果來看，台灣在專利發展上雖然都能擠進前五大國家內，但進一步分析專利權人與發明人和公司別等檢索資訊後可發現，台灣在專利發展上較集中於特定廠商或是發明人身上，研發投入能量與其他國家比較起來也是較低，此部分在後續研究的方向上也是可列入持續觀察。關鍵詞：三維快閃記憶體、非揮發性快閃記憶體、專利分析

NAND Flash記憶體產業之專利分析與研究

為了解決快閃記憶體發明人的問題，作者吳介允 這樣論述：

近幾年來，由於智慧型手機及SSD固態硬碟的需求，NAND Flash快閃記憶體市場呈現快速成長，各家廠商研發高容量、讀寫速度快及低成本的產品，中國廠商也看好NAND Flash產業的未來發展，投入大量的資金積極擴廠及併購相關產業，各家廠商擴充產線下要分食這塊大餅，有鑑於此，本研究使用專利分析法，透過M-Trends專利分析軟體針對NAND Flash產業進行基本專利資料分析，接著利用80/20法則透過CPC合作分類號及引證的專利找出主要技術及主要專利，接著繪製引證趨勢圖並透過產品生命週期以了解技術發展的程度，再繪製技術地圖以了解這十年來的技術輪廓，最後針對NAND Flash廠商提供研發策略

上之建議。 目前市場上供應NAND Flash晶圓的廠商分別為Intel、 Micron、 Samsung、 SanDisk、SK Hynix及Toshiba，其中Micron廠商在NAND Flash產業中，技術能力較強。本研究結果總共有11項主要技術，而主要專利總共有26篇，依產業生命週期分析的結果從成熟期步入衰退期。 廠商之研發策略上，本研究建議：必須針對主流技術領域發展、選主要專利做技術延伸、新增3D NAND Flash合約價格、著手研發混合式記憶體技術及新興記憶體技術，透過技術開發以提高競爭力。