快閃記憶體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

半導體元件物理學第四版（上冊）

為了解決快閃記憶體的問題，作者施敏,李義明,伍國珏 這樣論述：

最新、最詳細、最完整的半導體元件參考書籍   　　《半導體元件物理學》（Physics of Semiconductor Devices）這本經典著作，一直為主修應用物理、電機與電子工程，以及材料科學的大學研究生主要教科書之一。由於本書包括許多在材料參數及元件物理上的有用資訊，因此也適合研究與發展半導體元件的工程師及科學家們當作主要參考資料。   　　Physics of Semiconductor Devices第三版在2007 年出版後（中譯本上、下冊分別在2008 年及2009 年發行），已有超過1,000,000 篇與半導體元件的相關論文被發表，並且在元件概念及性能上有許多突破，顯

然需要推出更新版以繼續達到本書的功能。在第四版，有超過50% 的材料資訊被校正或更新，並將這些材料資訊全部重新整理。   　　全書共有「半導體物理」、「元件建構區塊」、「電晶體」、「負電阻與功率元件」與「光子元件與感測器」等五大部分：第一部分「半導體物理」包括第一章，總覽半導體的基本特性，作為理解以及計算元件特性的基礎；第二部分「元件建構區塊」包含第二章到第四章，論述基本的元件建構區段，這些基本的區段可以構成所有的半導體元件；第三部分「電晶體」以第五章到第八章來討論電晶體家族；第四部分從第九章到第十一章探討「負電阻與功率元件」；第五部分從第十二章到第十四章介紹「光子元件與感測器」。（中文版上冊

收錄一至七章、下冊收錄八至十四章，下冊預定於2022年12月出版）   第四版特色   　　1.超過50%的材料資訊被校正或更新，完整呈現和修訂最新發展元件的觀念、性能和應用。   　　2.保留了基本的元件物理，加上許多當代感興趣的元件，例如負電容、穿隧場效電晶體、多層單元與三維的快閃記憶體、氮化鎵調變摻雜場效電晶體、中間能帶太陽能電池、發射極關閉晶閘管、晶格—溫度方程式等。   　　3.提供實務範例、表格、圖形和插圖，幫助整合主題的發展，每章附有大量問題集，可作為課堂教學範例。   　　4.每章皆有關鍵性的論文作為參考，以提供進一步的閱讀。

快閃記憶體進入發燒排行的影片

寫入電壓及寫入/抹除過程的時間延遲對元件可靠度影響之研究

為了解決快閃記憶體的問題，作者羅茜妮 這樣論述：

NAND快閃記憶體的可靠度會隨著連續寫入/抹除的次數增加，其行為可以在電流-電壓(I_D V_G)特性曲線中觀察到。導通電流隨著多次循環過程而下降。主要原因是經過多次寫入/抹除後，穿隧電子破壞氧化層而形成電荷缺陷，因而影響元件的可靠性，還可能造成資料儲存失敗或記憶體元件擊穿。本論文主要探討各種不同的寫入/抹除條件在室溫下對元件可靠度的影響，如: 寫入電壓、寫入到抹除過程的時間延遲、及抹除到寫入過程的時間延遲。從量測實驗中可以觀察到在室溫下，氧化層退化越嚴重隨著寫入電壓的增加，因為電場增加導致更多電洞注入到氧化層中，進而產生更多的電荷缺陷和介面缺陷。另外，透過實驗觀察到在室溫下，抹除到寫入過程

(E/P)的時間延遲相較於寫入到抹除過程(P/E)的時間延遲對元件可靠度有較顯著的影響，且較長的寫入/抹除時間延遲會造成更嚴重的氧化層缺陷。主要是因為在較長的的寫入/抹除時間延遲有利於電洞在氧化層中漂移，在靠近矽通道的表面與電子複合，產生更多的電荷缺陷或介面缺陷。

吳敏求傳 ﹕從零到卓越的識與謀

為了解決快閃記憶體的問題，作者吳敏求,楊倩蓉 這樣論述：

吳敏求：「有的人很會創業，有的人很會救公司， 很少人像我同時有這兩種經驗，這兩種經驗完全不一樣， 一個是從小變大，一個是從大變小。」   從客廳的任天堂主機到車庫裡的車子，都少不了旺宏的記憶體﹗ 台灣第一位登上《富比士》封面的企業家吳敏求， 首度分享，他帶領旺宏從零到全球第一大快閃記憶體的經營智慧﹗   　　1989年創立旺宏之初，吳敏求就堅持自主研發，不走代工之路，讓旺宏至今擁有八千多項專利，成為台灣唯一打贏國際專利官司的企業，更堅持做出世界第一品質，讓各大企業都爭相與他合作，這是他胸懷萬里、遠見獨具的「識」。   　　在旺宏仍是沒名、沒資金、沒政府支持的「三無」小公司時，他就讓任天堂和

台積電兩大企業都願意與他合作，並以專注優勢和比領先者更大膽的創新思維，帶領旺宏度過2002年的經營危機，不僅谷底翻身，更一躍成為全球最大快閃記憶體公司，這是他洞燭機先、深具商業智慧的「謀」。   　　現在半導體產業成為台灣的護國神山，並引領全球科技業發展，三十三年他前帶領四十位工程師返台創業，《富比士》稱讚他是對台灣矽島最有貢獻的企業家，他識謀兼具的經營智慧以及對人才的培育，更是對台灣風起雲湧的科技發展有不可磨滅的影響及貢獻。   　　【吳敏求跨越兩座低谷，從零到卓越的經營智慧】 　　●我是戰士，要死也要死在戰場上。 　　●我從創業的第一天開始，就沒省過研發的錢。 　　●落後者，一定要比領先者

更大膽創新。 　　●顧客不是永遠都是對的，重點是你一定要提供別人不能提供的特殊價值，才能平起平坐，如果你只是me too，怎麼可能有談判空間？ 　　●借力使力有一個最重要的關鍵點，你的合作對象一定要有利，而且要有很多利，要先想清楚他的利在哪裡，才能去談判。 　　●「做對」比「做成」更重要，做了沒有競爭力的產品，還不如不做。 　　●能允許失敗的老闆，是因為他們懂得就算失敗，本來七十分的東西， 會因為失敗學習到新東西，反而進步二十分，這種失敗叫做光榮的失敗。 　　●天下沒有一句管理金句可以影響一個人的決定，人生是一個過程，要看我們 在這個過程中，選擇的是什麼，以及如何聰明解題。　　　　　　 　　●

當你認為成功了，就是失敗的開始。    　　 重量推薦   　　台灣的年輕一代要記住吳敏求一生的縮影：出生於大陸，成長於台灣，歷練於美國，再創業於台灣。要學會他自己奮發圖強，產品創新領先世界的抱負。── 遠見‧天下文化事業群創辦人  高希均   　　開風氣之先，帶領學人回國創業；開風氣之先，切入品牌與技術；開風氣之先，開創高科技類股。回饋母校，嘉惠學子，不遺餘力。王道企業家的典範！── 前行政院長、財團法人善科教育基金會董事長  張善政   　　這是一部胸懷鴻圖大志的年輕工程師，一步步借力使力、知人善任，終於成就夢想的企業家奮鬥傳記，也是一本記憶台灣半導體科技發展史的真實記事，非常推薦閱讀。─

─ 前科技部部長、台大電機系講座教授  陳良基

Increasing the Fault Tolerability of 3D NAND Flash In-memory Computing Architecture with MDS Coding for DNN Inference

為了解決快閃記憶體的問題，作者高懷謙 這樣論述：

記憶體內計算(Computing in Memory)近年來逐漸成為神經網路的硬體加速策略中一個重要的領域，透過打破傳統馮紐曼(Von Neumann)計算機架構的記憶體牆帶來更好的計算效率。3D NAND Flash在眾多記憶體材料中以其非揮發性以及高記憶體密度的特性，在神經網路的應用上有相當大的潛力成為記憶體內計算的實現平台。然而3D NAND Flash先天的資料可靠度議題在記憶體內計算的應用中對計算穩定度形成一定的風險，而傳統的錯誤糾正碼(Error Correction Code, ECC)在神經網路這類讀取頻繁的應用中也造成相當大的讀取成本。為了探索應用於記憶體內計算改善計算可靠

度的方法，本論文探討過去以單層單元(Single Level Cell, SLC)為主的記憶體內計算架構的可靠度特性，並提出多層單元可行的記憶體內計算架構，並針對多層單元的記憶體內計算架構提出基於MDS Code的估計算法，透過改善計算中對於Error Bit的承受能力以延緩資料反覆更新造成的記憶體壽命下降議題。為了從提高計算容錯能力改善計算可靠度以解決NAND Flash反覆更新資料造成的壽命下降議題，我們提出MDS Coded Approximate MAC Operation方法，透過資料編碼以及3D NAND Flash記憶體內計算的平行化達到高吞吐量的估計算法，並針對我們的方法提出一

系列的最佳化策略。實驗結果表明，我們的方法可一定程度修正矩陣運算的結果，在Error rate為0.1%修復約26%的矩陣乘法誤差，並且延長資料須重新寫入的週期，在3D TLC NAND Flash延長約7天，在3D MLC NAND Flash延長約210天。