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元智大學 資訊工程學系 黃柏鈞所指導 吳潤的 疊瓦式硬碟與快閃記憶體之復合儲存系統設計 （2015），提出seagate 1tb硬碟關鍵因素是什麼，來自於搭便車、疊瓦式硬碟、快閃記憶體、混合存儲。

而第二篇論文國立清華大學 材料科學工程學系 陳建瑞、李三保所指導 孫達皇的 磊晶與非磊晶成長垂直磁異向性L10 FePt 合金薄膜之研究 （2013），提出因為有 鐵鉑合金薄膜、垂直磁異向性、磊晶成長、非磊晶成長的重點而找出了 seagate 1tb硬碟的解答。

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疊瓦式硬碟與快閃記憶體之復合儲存系統設計

為了解決seagate 1tb硬碟的問題，作者吳潤 這樣論述：

隨著移動互聯網的發展，資訊量呈現爆炸式的增長，市场迫切需要更高容量的存储设备，疊瓦式硬碟作為目前存儲容量最高的記憶體，無疑是一個非常棒的選擇，但是寫入放大以及機械硬碟固有的機械延遲，導致了其較弱的隨機訪問性能。本文整合快閃記憶體和疊瓦式硬碟，让它们之间的优势和弱势相互弥补，以优化系统的整体性能和成本效益。我们提出了疊瓦式硬碟與快閃記憶體之復合儲存系統設計，采用类似SCAN的磁头运动方式，在垃圾回收和指令处理提出了“搭便车”的方式，减少了疊瓦式硬碟的寻道时间和写入放大。

磊晶與非磊晶成長垂直磁異向性L10 FePt 合金薄膜之研究

為了解決seagate 1tb硬碟的問題，作者孫達皇 這樣論述：

具有高磁晶異向性常數之L10 FePt合金薄膜被認為具有成為下一代超高密度記錄媒體的主流材料潛力。欲使FePt薄膜應用於垂直磁記錄媒體，就必須獲得具有垂直磁異向之L10 FePt合金薄膜。然而，fct結構之最密堆積面為(111)，因此FePt容易形成[111]從優取向使易磁化軸平行膜面。本研究探討磊晶及非磊晶成長機制對垂直磁異向性之FePt合金薄膜顯微結構與磁性質之影響。本研究第一部分是將不同厚度之單層Fe100-xPtx薄膜直接沈積在不同溫度之基板上，探討Pt含量、基板溫度及薄膜厚度對於單層FePt薄膜顯微結構和垂直磁性質之影響。研究發現在620 °C之基板溫度以臨場直流磁控共鍍30 nm

厚之序化Fe54Pt46合金薄膜時，當薄膜厚度固定在30 nm時，以非磊晶機制可使單層FePt薄膜成長出很強的[001]從優取向，並呈現相當優異的垂直磁性質(垂直方向頑磁力達14.0 kOe、飽和磁化量為473 emu/cm3及垂直方向角形比為0.96)。本研究第二部分發現引入5 nm厚之NiO薄膜於單層FePt薄膜下方會使薄膜之垂直磁異向性產生劣化。增加NiO厚度至10 nm時，FePt薄膜之垂直方向頑磁力值更大幅下降至4.2 kOe。相較於NiO底層，引入10 nm厚之MgO底層其垂直方向頑磁力值則可達12.5 kOe。將MgO底層厚度降低至5 nm，FePt薄膜之垂直磁異向性可進一步提升

，不僅垂直方向頑磁力值可高達13.6 kOe，其垂直方向角形比值更增加至1。本研究第三部分是利用高功率脈衝磁控濺鍍系統改變不同靶材尖峰功率密度將單層FePt合金薄膜直接沉積於康寧1737玻璃基板上，並將薄膜後退火熱處理於550 - 700 °C持溫30 min。研究發現將靶材尖峰功率密度從1196 W/cm2增加至3538 W/cm2，FePt合金薄膜之垂直磁異向性會被大幅提升。另一方面，將退火熱處理溫度降低至600 °C持溫30 min，10 nm厚之FePt合金薄膜呈現細小晶粒。其垂直方向頑磁力值、垂直方向角形比值、磁晶異向性常數及平均晶粒尺寸分別為6.5 kOe、0.99、3.1 × 1

07 erg/cm3及6.1 nm，具備應用於高密度垂直磁記錄媒體的潛力。

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