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國立清華大學 動力機械工程學系 江國寧所指導 蘇清華的 數據分布於核嶺回歸模型對晶圓級封裝之可靠度預估研究 （2021），提出cpu z溫度關鍵因素是什麼，來自於有限單元法、晶圓級晶片尺寸封裝、機器學習、核嶺回歸演算法、聚類演算法。

而第二篇論文國立陽明交通大學 電子研究所 侯拓宏所指導 陳昱豪的 氧化鉿鋯鐵電記憶體之疲勞恢復與非晶氧化鎵銦鋅通道整合 （2021），提出因為有 鐵電氧化鉿、鐵電次循環行為、極化疲勞、疲勞恢復、鐵電場效電晶體、非晶氧化物半導體的重點而找出了 cpu z溫度的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

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如何安裝AMD R7-5800X處理器
冷戰硬是比R5-2600暴漲近30FPS
GOPRO HERO 9 2.7K 60FPS
#R75800X #RTX3090 #R52600X
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GPU：索泰 NVIDIA RTX 3090 24GB
CPU：AMD Ryzen7 5800X 8C16T
記憶體：美光Ballistix 16GB DDR4-3200
主機板：技嘉B450 AORUS ELITE
POWER：ENERMAX白金冰核1200W
作業系統：WINDOWS 10 64位元
00:00 GOPRO駭客片頭
00:12 預熱CPU及更換主因
01:57 選擇R7-5800X不上59系列原因
03:05 開箱AMD RGB幽靈風扇
03:31 更換處理器必備物品
04:32 讓機內CPU溫度上來的原因
04:48 開始卸除AMD R5-2600處理器
07:46 準備安裝AMD R7-5800X處理器
08:19 上AMD幽靈風扇固定底座時間
10:25 上CPU散熱膏時間
10:35 開始安裝AMD幽靈風扇
12:08 重新把RTX3090裝回去
12:56 全數安裝完畢準備測試去
14:20 決勝時刻:冷戰4K光追全開測試
14:26 RYZEN5 2600 VS RYZEN7 5800X
15:59 兩者能差到將近30FPS!!!
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數據分布於核嶺回歸模型對晶圓級封裝之可靠度預估研究

為了解決cpu z溫度的問題，作者蘇清華 這樣論述：

伴隨著人類對電子產品日益增長的需求，電子封裝逐漸向著微型化、高密度的方向發展。本篇論文所探討的晶圓級尺寸封裝(Wafer Level Chip Scale Package, WLPCSP)，其最顯著的特點就在於能夠有效減小封裝的體積。WLSCP自2000年以來經過長遠而迅速的發展,便成為了目前市場上主流的電子封裝形式之一。有別於早期傳統封裝技術，其基本的工藝思路是直接在晶圓上進行封裝製程，最後切割晶圓直接得到封裝成品。電子封裝的可靠性評估便是本篇論文的研究目的。對於WLCSP，晶片通過錫球和基板進行連接，在實際工作期間需要經受一定週期的高低溫溫度循環，器件中不同材料間的熱膨脹係數(CTE)的

失配導致錫球產生了一定的熱應力和熱應變，造成了應變能的積累，最終導致了封裝的失效。所以說，錫球的熱-機械可靠性對封裝可靠度評估的影響尤為顯著。傳統封裝可靠性評估的重要手段之一便是熱循環負載測試(Thermal cyclic test, TCT)，但由於每一次的熱循環負載測試會花費數月之久，從而大大增加時間成本，降低產品研發速率，不利於產品的市場化競爭。為了降低時間成本，一般會於封裝研發過程中採用有限單元模擬的方法來代替TCT。雖然有限單元法(FEM)相較於傳統TCT大大地降低了時間成本，但是另一方面FEM並沒有傳統實驗方法統一規定的流程，不同研究人員由於其自身能力以及建模思路和側重不同，造成相

當程度上的模擬誤差。為解決這一問題，並進一步減少FEM中建模與驗證的時間成本，本論文研究利用核嶺回歸（KRR）機器學習演算法，對晶圓級尺寸封裝進行可靠度評估。同時進一步用聚類（Cluster）算法解決在大規模數據集下，KRR機器學習演算法的CPU時間成本問題

氧化鉿鋯鐵電記憶體之疲勞恢復與非晶氧化鎵銦鋅通道整合

為了解決cpu z溫度的問題，作者陳昱豪 這樣論述：

如何以節能的方式處理大量數據是未來包括大數據、人工智能、物聯網、自動駕駛汽車和高性能計算等領域中最重要的問題。鐵電記憶體因其高CMOS兼容性、高操作速度和低能耗而被視為實現未來以數據為中心的計算之關鍵元件。對於像鐵電隨機存取記憶體或鐵電穿隧記憶體這樣的電容式鐵電記憶體，其中一個重要的挑戰是在快速且低電壓操作下由不飽和極化切換造成的嚴重極化疲勞。不飽和極化切換造成的極化疲勞可以藉由電場去除累積的電荷來回復。然而，大部分的研究只嘗試透過雙向的大電場來回復。在第二章中，我們藉由使用不同電壓，不同脈衝時間，不同操作次數以及不同方向的電場來探討極化疲勞回復的行為。我們是第一個指出操作次數是極化疲勞回復

的關鍵且極化疲勞不可被單極性的電場回復。這暗示鐵電翻轉對於移除累積的電荷扮演重要的腳色。我們引用一個鐵電翻轉引發電流注入的模型來解釋此行為。最後我們在1.5V的低操作電壓下，透過大電場回復使操作次數進步了104次到達總共1010次操作。使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體目前被視為有潛力取代快閃記憶體的人選。因為其低製程溫度可以實現具有高頻寬及高容量特性的三維層積型整合。 然而，目前許多使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體都遇到了高操作電壓以及低操作速度的問題。同時，目前針對改良使用非晶氧化物半導體的鐵電電晶體的討論非常少。在第三章中，我們全面研究了用於三維、低電壓應用、具有非晶氧化銦鎵鋅通道的單柵極

氧化鋯鉿鐵電電晶體。我們是第一個針對此元件提出考慮了電荷捕捉效應，負載電容，以及通道漂浮電壓的優化指南。

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