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2023電子學(含實習)完全攻略：根據108課綱編寫(升科大四技二專)

為了解決c類放大器的問題，作者陸冠奇 這樣論述：

　　◎藍字標示核心概念，豐富試題練習 　　◎拍攝器材實照，結合實務操作及運用 　　◎大量電路圖，必讀關鍵全在這一本 　　本書特請國立大學教授編寫，作者潛心研究108課綱，結合教學的實務經驗，搭配大量的電路圖，保證課文清晰易懂，以易於理解的方式仔細說明。各章一定要掌握的核心概念特別以藍色字體標出，加深記憶點，並搭配豐富題型作為練習，讓學生完整的學習到考試重點的相關知識。另外為了配合實習課程，書中收錄了許多器材的實際照片，讓基本的工場設施不再只是單純的紙上名詞，以達到強化實務技能的最佳效果。 　　根據教育部107年4月16日發布的「十二年國民基本教育課程綱要」以及技專校院招生策略委員會10

7年12月公告的「四技二專統一入學測驗命題範圍調整論述說明」，本書改版調整，以期學生們能「結合探究思考、實務操作及運用」，培養核心能力。 　　電子學的內容相當廣泛，從直流偏壓到交流訊號的分析，從半導體元件到電路系統的概念，相信是許多同學的夢魘。所幸四技二專統測僅考選擇題，故艱深偏僻之題目反不常見，使得考試難易度並不如想像中的困難。此科目出題的年代相當久遠，只要將歷屆試題多予演練加以分析，很容易找出考題的範圍。而電子學實習與電子學考試範圍和內容相當類似，一起準備可收事半功倍之效，故本書將此兩科目一併收錄，以便同學使用。 　　本書希望以最精簡的篇幅，輔助學生考上理想的目標學校，去蕪存菁，刪除不

曾考過或極少出現的內容，期待同學能以最有效率的方式，以有限的時間及精力專注在曾經考過以及可能會再考的範圍上。乍看之下，同學可能會認為本書內容非如坊間一般以厚取勝的參考書豐富，但若能熟讀，效果必定有過之而無不及。 　　整體而言，電子學和電子學實習要考滿分並不困難，但是天下事沒有不勞而獲的，正所謂一分耕耘，一分收獲，各位讀者除藉由本書掌握重點外，建立正確的讀書方法，充分且有效規劃您的複習計劃，努力不懈，才能事半功倍，邁向成功。   　　有疑問想要諮詢嗎？歡迎在「LINE首頁」搜尋「千華」官方帳號，並按下加入好友，無論是考試日期、教材推薦、解題疑問等，都能得到滿意的服務。我們提供專人諮詢互動，更能

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c類放大器進入發燒排行的影片

應用於K-Band高增益功率放大器及Ku-Band 高隔離度降頻混頻器設計

為了解決c類放大器的問題，作者鄭繕譯 這樣論述：

本論文以K-band、Ku-band系統射頻前端電路為研究主題，設計完成的電路元件有功率放大器與降頻混頻器。研究項目分成三個部份:第一部分為功率放大器，操作頻率為24 GHz，使用台積電0.18-μm CMOS製程技術，主要特色為使用電路在利用架構來降低功率消耗與提高增益，有低功率消耗及高增益的優點。經模擬(Post-sim)後得到:輸入反射係數小於-20 dB、輸出反射係數小於-19.3 dB、22.1 dB 的增益、11.7 dBm的輸出功率、7 dBm的線性度、消耗功率119 mW以及11.9 %的效率，晶片面積為1.104 X 0.897 mm2。第二部分也是功率放大器，操作頻率為2

4 GHz，使用台積電0.18-μm CMOS製程技術，在電路中使用變壓器來減少晶片中的電感面積經模擬(Post-sim)後得到: 輸入反射係數小於-25 dB、輸出反射係數小於-24 dB、23.3 dB的增益、6 dBm的線性度、12 dBm的輸出功率、115 mW的功率消耗以及13.6 %的效率，晶片面積為1.154 X 0.897 mm2。第三部分為降頻混頻器，頻率覆蓋範圍從24 GHz到31.5 GHz，使用台積電0.18-μm BiCMOS SiGe製程技術，電路架構使用雙平衡式混頻器架構，使用自製耦合變壓器將LO開關級隔開，這設計優勢提升隔離度。此外並在輸入端加上自製巴倫器將訊號

轉換成雙端，且減少匹配電路面積。混頻器模擬供應電壓為1V，最大轉換增益10 dB，雙邊帶DSB雜訊指數14.4~15.9 dB，RF-IF、LO-RF、LO-IF隔離度分別為:50~55 dB、51~54 dB、74~78 dB，線性度(IIP3)為-8~-11 dBm，消耗功率為2.58 mW。混頻器量測頻率範圍為16 GHz到19 GHz，轉換增益為4.7 dB。單邊帶SSB 雜訊指數18.6~21 dB。RF-IF、LO-RF、LO-IF隔離度分別為:57~62 dB、51~59 dB、20~24.8 dB。線性度(IIP3)為-2 dBm，1.8V電源電壓下功耗為19 mW，晶片面積為

1.11 X 0.843 mm2。

應用電子學(第二版)(精裝本)

為了解決c類放大器的問題，作者楊善國  這樣論述：

　　作者依教學經驗及專業知識，並為兼顧學習內容及學習效果，本書由最基礎的半導體材料及PN接面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路包括：運算放大器構成之應用電路、電壓調整器、主動濾波器、功率放大器等，使學生可習得電子元件及其構成電路的基礎知識。另修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有所不同，為顧及對電學較生疏學生的需要，特別增加「電學基本概念複習」一章(第零章)，使學生具有起碼的電路基礎，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。    本書特色   　　1.本書由最基礎的半導體材料及PN接

面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路，使學生可習得電子元件及其所構成電路的基礎知識。   　　2.修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有不同，特別增加「電學基本概念複習」，使學生具有基礎的電路概念，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。   　　3.本書適用大學、科大機械、自動化科系『應用電子學』、『電子學』課程使用。

氮化鎵射頻功率電晶體之熱模型

為了解決c類放大器的問題，作者洪志嘉 這樣論述：

論文內容含括電晶體參數萃取流程，萃取寄生電阻與寄生電感、提取偏壓相依的電流源參數，及偏壓相依電容的參數萃取。再藉由實體拍攝封裝電晶體正視圖以及側視圖，考慮封裝實際等效對地電容，打線線長所造成的電感效應，以及電晶體裸晶本身閘極、汲極對地電容效應。並使用熱模擬軟體，比較在不同散熱塊大小時，估算電晶體運作時所造成的溫度變化，以此求出電晶體實際熱阻，其值為2.5 oC/W。最後藉由裸晶小訊號驗證，與目標電晶體S參數在頻帶內的誤差值約為10%，相位在目標頻帶內誤差約為2度內，而大訊號負載推拉系統模擬驗證下增益誤差在1 dB，PAE則是在5%的誤差範圍內。而封裝電晶體目標頻帶範圍內的S參數誤差較大，而在

大訊號負載推拉系統模擬(Load-pull)驗證下，與目標電晶體增益誤差為1 dB，效率則是控制在10%的範圍內，最後則藉由AB類與C類放大器組成的Doherty架構之功率放大器進行特性驗證，藉由不同熱阻值的大訊號模擬驗證，低熱阻效率較無散熱塊之熱阻高約4%。相較於Cree公司所提供之模型，比較模擬與量測的增益誤差約為2dB，PAE誤差約為20%。