電流放大器的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

研究所分章題庫【電子學經典範例與歷屆試題解析】

為了解決電流放大器的問題，作者劉承,劉威 這樣論述：

　　本書適用研究所考試與公職考試，作者有14年教學與12年實作經驗，從基本電路分析到記憶體電路共分16章，深入淺出分章解析電子學實做應用與過程重點，同時提供大量經典範例與104~108年歷屆試題解析供考生演練。

電流放大器進入發燒排行的影片

利用Arduino架構設計掃描穿隧電流顯微鏡之電子控制器

為了解決電流放大器的問題，作者徐少甫 這樣論述：

本研究欲自製掃描穿隧電流顯微鏡 ( Scanning Tunneling Microscope，STM )之電子控制器( Electronic Controller )。以 Arduino 作為系統控制中樞，提供輸出樣品電壓(Sample Bias)與掃描器(Scanner)控制電壓執行掃描動作，另製作電流放大模組與絕對值模組讀取穿隧電流訊號。我們使用實驗室自製STM儀器來測試此電控器，用手動方式把探針與樣品距離拉近到10 nm以內，量測進退針時的穿隧電流訊號，並以DVD光碟片鍍金作為樣品測試掃描，讀取不同位置下電流訊號。電控器設計過程經過三個階段，分別詳述如下。第一階段使用電路模擬軟體Ti

nkercad對電路模組做模擬，驗證電路接線的正確性，減少實驗失誤而損壞設備和電子元件，降低實驗與製作的成本。第二階段使用麵包板橋接所需的電子元件，測試其電路模組之功能。最後階段才進行印刷電路板(Printed Circuit Board, PCB)製作，將元件焊接於 PCB 電路板，採用 SMA 與 RJ45作為訊號傳輸線來降低雜訊干擾。以上三階段完成後，組裝所有電路模組完成STM之電子控制器，並搭配實驗室自製STM儀器來測試電子控制器。電子控制器測驗方式詳述如下：以手動進針的方式操作STM儀器，透過轉動調節軸讓探針接近樣品，由電子控制器測得穿隧電流值。在固定探針位置不動，當樣品偏壓(Sam

ple Bias)增加時，穿隧電流亦增加，反之則量測到之電流減小。另透過 Arduinon控制提供掃描器X方向掃描電壓，在不同位置測得穿隧電流值，此時每一個不同的+ X和- X值，代表不同的探針位置，且其穿隧電流愈大，表示探針離樣品愈近，反之則愈遠。

模擬集成電路設計--以LDO設計為例（原書第2版）

為了解決電流放大器的問題，作者（美）林康-莫萊 這樣論述：

本書借由集成線性穩壓器的設計，全面介紹了模擬集成電路的設計方法，包括固態半導體理論、電路設計理論、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、線性穩壓器集成電路設計以及電路保護和特性等。本書從面向設計的角度來闡述模擬集成電路的設計，強調直覺和直觀、系統目標、可靠性和設計流程，借助大量的實例，向初學者介紹整個模擬集成電路的設計流程，並引導其熟悉應用，同時本書也適用於有經驗的電源集成電路設計工程師，不僅能幫助他們對模擬電路和線性穩壓器的理論有更深刻的理解，而且書中所呈現的線性穩壓器的技術發展也可以給予他們很多啟發，是一本難得的兼具實用性和學術價值的模擬集成電路和集成線性穩壓器設計的教科書和參考

書。Gabriel Alfonso Rincón-Mora博士，1994～2003年供職於德州儀器公司，擔任一個高級集成電路設計團隊的領導。1999年Rincón-Mora博士受聘為佐治亞理工學院的兼職教授，並在2001年受聘為全職教授，自2011年起，受聘為台灣成功大學的客座教授。他是IEEE和IET院士，同時也是38項專利的發明人/共同發明人和超過160篇論文的作者/共同作者。Rincón-Mora博士已經寫過8本着作，成功設計26余款商用電源芯片，並且獲得了多項獎勵。目前他主要致力於利用微型電池和環境能量為無線和移動設備供電的集成電路系統的研究。 譯者序 原書前言 作

者簡介 第1章電源系統1 1.1電源管理中的穩壓器1 1.2線性穩壓器和開關穩壓器的對比2 1.2.1響應時間的折中3 1.2.2噪聲4 1.2.3功率轉換效率4 1.3市場需求5 1.3.1系統5 1.3.2集成6 1.3.3工作壽命6 1.3.4電源凈空7 1.4電源8 1.4.1早期電池8 1.4.2鋰離子電池9 1.4.3燃料電池9 1.4.4核能電池10 1.4.5能量收集器10 1.5計算機仿真11 1.6總結12 1.7復習題13 第2章線性穩壓器14 2.1工作區域14 2.2性能指標15 2.2.1精度15 2.2.2功率轉換效率25 2.2.3工作要求27 2.2.4品質因

子29 2.3工作環境30 2.3.1負載31 2.3.2穩壓點32 2.3.3寄生效應33 2.4分類34 2.4.1輸出電流34 2.4.2壓差34 2.4.3補償34 2.4.4類別35 2.5模塊級構成36 2.6總結37 2.7復習題38 第3章微電子器件39 3.1電阻39 3.1.1工作原理39 3.1.2寄生元件40 3.1.3版圖40 3.1.4絕對精度和相對精度42 3.2電容43 3.2.1工作原理43 3.2.2寄生元件44 3.2.3版圖45 3.2.4絕對精度和相對精度45 3.3PN結二極管46 3.3.1工作原理46 3.3.2寄生元件49 3.3.3版圖和匹配

50 3.3.4小信號模型52 3.4雙極型晶體管（BJT）53 3.4.1工作原理53 3.4.2縱向BJT56 3.4.3橫向BJT57 3.4.4襯底BJT58 3.4.5小信號模型59 3.5金屬-氧化物-半導體場效應晶體管（MOSFET）61 3.5.1工作原理61 3.5.2寄生電容66 3.5.3P溝道MOSFET67 3.5.4晶體管變化67 3.5.5版圖和匹配69 3.5.6小信號模型71 3.5.7MOS電容73 3.5.8溝道電阻73 3.6結型場效應晶體管(JFET)73 3.6.1工作原理73 3.6.2P溝道JFET75 3.6.3大信號模型75 3.6.4版圖和

匹配76 3.6.5小信號模型76 3.6.6相對性能78 3.7絕對精度和相對精度78 3.8總結79 3.9復習題80 第4章單晶體管基本單元82 4.1二端口模型82 4.2頻率響應83 4.2.1極點84 4.2.2零點85 4.2.3米勒分裂87 4.2.4電容-分流-電阻法88 4.3信號流89 4.3.1輸入和輸出89 4.3.2極性89 4.3.3單晶體管基本單元90 4.4共發射極/共源極跨導器90 4.4.1大信號工作90 4.4.2小信號模型91 4.4.3頻率響應93 4.4.4發射極/源極負反饋95 4.5共基極/共柵極電流緩沖器99 4.5.1大信號工作99 4.5

.2小信號模型100 4.5.3頻率響應103 4.5.4基極負反饋104 4.6共集電極/共漏極電壓跟隨器104 4.6.1大信號工作104 4.6.2小信號模型105 4.6.3頻率響應108 4.7小信號概括和近似109 4.7.1功能109 4.7.2電阻110 4.7.3頻率響應112 4.8總結113 4.9復習題114 第5章模擬電路基本單元115 5.1電流鏡115 5.1.1工作原理115 5.1.2小信號模型118 5.1.3帶基極電流校正的電流鏡119 5.1.4電壓校正共源共柵/共射共基（Cascode）電流鏡120 5.1.5低電壓Cascode電流鏡121 5.2差

動對123 5.2.1大信號工作124 5.2.2差分信號125 5.2.3共模信號127 5.2.4發射極/源極負反饋128 5.2.5CMOS差動對129 5.3基極/柵極耦合對130 5.3.1大信號工作130 5.3.2小信號響應132 5.3.3輸入參考失調和噪聲134 5.4差動級136 5.4.1大信號工作137 5.4.2差分信號138 5.4.3共模信號140 5.4.4輸入參考失調和噪聲143 5.4.5電源抑制145 5.4.6折疊式Cascode147 5.5總結151 5.6復習題152 第6章負反饋154 6.1反饋環路154 6.1.1環路構成154 6.1.2調

整155 6.1.3輸出轉化156 6.2反饋效應156 6.2.1靈敏度156 6.2.2阻抗157 6.2.3頻率響應160 6.2.4噪聲162 6.2.5線性度163 6.3負反饋結構166 6.3.1跨導放大器166 6.3.2電壓放大器167 6.3.3電流放大器168 6.3.4跨阻放大器169 6.4分析170 6.4.1分析過程170 6.4.2疊加器173 6.4.3采樣器174 6.4.4跨導放大器175 6.4.5電壓放大器179 6.4.6電流放大器183 6.4.7跨阻放大器188 6.5穩定性193 6.5.1頻率響應193 6.5.2補償195 6.5.3反相零

點200 6.5.4嵌入式環路202 6.6設計202 6.6.1設計概念202 6.6.2系統結構設計203 6.6.3頻率補償204 6.7總結204 6.8復習題205 第7章偏置電流和基准電路207 7.1電壓基元207 7.2PTAT電流208 7.2.1交叉耦合四管單元209 7.2.2鎖存單元210 7.3CTAT電流213 7.3.1電流采樣BJT214 7.3.2電壓采樣二極管214 7.4溫度補償215 7.4.1帶誤差補償的BJT電流基准源216 7.4.2基於二極管的電流基准源217 7.4.3帶誤差補償的基於二極管的電流基准源218 7.5啟動電路218 7.5.1連

續導通啟動電路219 7.5.2按需導通啟動電路220 7.6頻率補償222 7.7電源噪聲抑制223 7.8帶隙電流基准源224 7.8.1基於BJT的帶隙電流基准源224 7.8.2基於二極管的帶隙電流基准源225 7.9帶隙電壓基准源226 7.9.1電流-電壓轉換226 7.9.2輸出電壓調整227 7.10精度230 7.11總結231 7.12復習題232 第8章小信號響應234 8.1小信號等效電路234 8.2無補償時的響應236 8.2.1相關電容和電阻236 8.2.2環路增益236 8.3頻率補償239 8.3.1輸出端補償240 8.3.2內部補償242 8.4電源抑制

245 8.4.1分壓器模型246 8.4.2饋通噪聲247 8.4.3米勒電容253 8.4.4分析255 8.4.5結論261 8.5補償策略對比261 8.6總結262 8.7復習題264 第9章集成電路設計265 9.1設計流程265 9.2功率晶體管266 9.2.1備選方案266 9.2.2版圖269 9.3緩沖器276 9.3.1驅動N型功率晶體管276 9.3.2驅動P型功率晶體管278 9.3.3版圖290 9.4誤差放大器290 9.4.1凈空291 9.4.2電源抑制294 9.4.3輸入參考失調296 9.4.4版圖299 9.5總結307 9.6復習題309 第10章

線性穩壓器310 10.1低壓差穩壓器310 10.1.1輸出端補償的PMOS穩壓器310 10.1.2米勒補償的PMOS穩壓器314 10.2寬帶穩壓器318 10.2.1內部補償的NMOS穩壓器319 10.3自參考穩壓器322 10.3.1零階溫度無關性322 10.3.2溫度補償323 10.4性能增強330 10.4.1功率晶體管330 10.4.2緩沖器333 10.4.3環路增益335 10.4.4負載調整率336 10.4.5負載突變響應339 10.4.6電源抑制340 10.5電流調整343 10.5.1電流源343 10.5.2電流鏡344 10.6總結347 10.7復

習題347 第11章保護與特性349 11.1保護349 11.1.1過電流保護349 11.1.2熱關斷353 11.1.3反向電池保護355 11.1.4靜電放電保護356 11.2特性358 11.2.1模擬負載359 11.2.2調整性能360 11.2.3功率性能366 11.2.4工作要求368 11.2.5啟動370 11.3總結371 11.4復習題371 片上系統（SystemonChip，SoC）集成需求正不斷增大，由於線性穩壓器具有噪聲小、對負載突變的響應速度快等優點，在模擬和混合信號芯片中占據越來越重要的地位。本書是佐治亞理工學院Rincón-Mor

a教授的最新著作，是作者20多年的商用電源微電子芯片開發經驗以及引領電源和能量調節集成電路領域技術發展的傑出研究工作的總結。本書組織嚴謹，內容豐富，涵蓋了包括固態半導體理論、電路設計、模擬電路基本單元分析、反饋和偏置電路、頻率響應、集成電路設計以及電路保護等模擬集成電路設計的所有基本方面。並且，在講授這些內容時，本書十分強調直覺和直觀，通過本書的學習，可以培養讀者對於模擬電路的洞察力。本書的另一個特色是，整本書就是一個自頂向下再到頂（top-down-top）的設計實例，以線性穩壓器設計的角度，從抽象視角開始系統分析，然后進入器件級進行基礎分析，之后逐漸上升到電路設計，最后再到系統設計，但最終

設計以晶體管級的形式實現。因此，本書是一本十分難得的兼具實用性和學術價值的參考書籍。本書由華中科技大學的陳曉飛組織翻譯，參加翻譯工作的人員主要有陳曉飛、鄒望輝、劉政林和鄒雪城。在本書的翻譯工作中，華中科技大學超大規模集成電路與系統研究中心的劉小瑞、張纓潔、王玄、許澤華、資海平、董一帆、鄒大鵬等研究生同學提供了許多幫助並參加了部分內容的翻譯，機械工業出版社劉星寧老師給予了很大支持，在此一並表示衷心的感謝。譯者2016年4月

二硫化鉬/黑磷/二硒化錸之垂直式雙極性接面電晶體並探討其異質結構與傳輸效應

為了解決電流放大器的問題，作者呂悅如 這樣論述：

本實驗利用機械式剝離法將少數層的二維材料從塊材中取下，再採用本實驗室自行開發的堆疊對準機將二硫化鉬、黑磷、二硒化錸依序堆疊至矽晶圓上，形成凡德瓦爾接面並製成垂直式場效電晶體與雙極性接面電晶體，量測方式主要分為個別材料的電性特性、異質接面與傳輸機制與雙極性接面電晶體三種。首先探討個別二維材料的電性特性與厚度，其中黑磷為p型半導體導電機制、二硫化鉬與二硒化錸為n型半導體導電機制，並探討載子遷移率、電流開關比及載子濃度等電性表現。接著探討兩種異質接面，分別為由黑磷與二硫化鉬組成的異質接面、黑磷與二硒化錸組成的異質接面，透過背向閘極電壓來調控載子濃度大小，觀察p型通道與n型通道同時開啟時的閘極電壓之

區域，並發現此區域中具有二極體的整流特性，但是經過數據計算與整理所得的理想因數並非在1至2之間，因此無法藉由Shockley equation 解釋。然而，源極-汲極電壓電流曲線可分為三個區域，分別以直接穿隧傳輸、Fowler-Nordheim穿隧傳輸與空間電荷限制電流模型來分析電性表現，並計算出兩者異質接面的閘極電壓與內建位障之關係。最後探討雙極性接面電晶體，將電路連接成共射極之模式並量測各端電流大小再計算出電流增益值，由於本實驗元件由二維材料堆疊至二氧化矽/矽基板，因此可以在雙極性電晶體額外施加背向閘極電壓，發現藉由背向閘極電壓來調控電流增益值大小，並大幅提升了電流增益值，改善傳統的雙極性

電晶體元件作為電流放大器之用途。