歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
DDR4 ODT的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
DDR4 ODT的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦陳蘭兵（主編）寫的 Cadence高速電路設計：Allegro Sigrity SI/PI/EMI設計指南 可以從中找到所需的評價。
另外網站Optimally Configuring DDR for Custom Boards - NXP也說明：The first QorIQ device with DDR4 is expected by end of 2013. (T1040). ... ODT. (On-die termination). No. Yes. Yes. Driver Calibration. No. Off-Chip (OCD).
國立臺灣大學 電子工程學研究所 陳信樹所指導 蘇家弘的 在SDRAM介面電路的電壓與電流模式傳輸中電源與信號完整性的影響 （2011），提出DDR4 ODT關鍵因素是什麼，來自於記憶體I/O介面、電壓模式傳輸、電流模式傳輸、防耦合電容。
而第二篇論文國立臺灣大學 電子工程學研究所 陳信樹所指導 林裕翔的 在超高速且低供應電壓SDRAMI/O電路中使用去耦合電容對電源完整性及信號完整性的影響 （2008），提出因為有 SDRAM、訊號完整性、電源完整性、I/O的重點而找出了 DDR4 ODT的解答。
最後網站Regiatered DIMM DDR4 R-DIMM Series - ACPI 承偉國際 ...則補充：Functionality and operations comply with the DDR4 SDRAM datasheet • 16 internal banks ... On-Die Termination (ODT); Temperature sensor with integrated SPD ...
Cadence高速電路設計：Allegro Sigrity SI/PI/EMI設計指南
為了解決DDR4 ODT 的問題，作者陳蘭兵（主編） 這樣論述：
本書主要介紹信號完整性、電源完整性和電磁兼容方面的基本理論和設計方法，並結合實例，詳細介紹了如何在Cadence Allegro Sigrity 仿真平台完成相關仿真並分析結果。同時，在常見的數字信號高速電路設計方面，本書詳細介紹了同步系統、DDRx（源同步系統）和高速串行傳輸的特點，以及運用Cadence Allegro Sigrity 仿真平台的分析流程及方法。本書還介紹了常用的信號完整性和電源完整性的相關測試手段及方法，簡要介紹了從芯片、封裝到電路板的系統級仿真設計方法。本書特點是理論和實例相結合，並且基於Cadence Allegro Sigrity 的設計平台，使讀者可以在軟件的實際
操作過程中，理解各方面的高速電路設計理念，同時熟悉仿真工具和分析流程，發現相關的問題並運用類似的設計、仿真方法去解決。王輝，Cadence SPB平台中國區技術經理，主要負責Cadence公司的封裝、系統級封裝、PCB、信號完整性工具的技術支持。 鍾章民，Cadence公司服務部門經理，主要負責Cadence公司封裝、電路板設計和高速產品的仿真分析服務，擁有15年高速設計及SI/PI/EMC仿真經驗，曾在Srgnty、華為等多家公司從事相關工作，曾承擔許多國內外電子設計公司的服務和培訓項目。 肖定如，Cadence公司資深產品技術專家，擁有超過25年的電子產品設計、開發和應用經驗，在Caden
ce公司工作超過12年，所涉及的主要領域包括SI、PI、EMI和RF的相關產品。 第1章 信號完整性基礎 1.1 信號完整性問題 1.1.1 什麼是信號完整性 1.1.2 數字信號的時域和頻域 1.1.3 信號的質量 1.2 信號完整性分析的傳輸線理論 1.2.1 傳輸線的定義 1.2.2 傳輸線理論基礎與特征阻抗 1.2.3 無損耗傳輸線模型 1.2.4 有損耗傳輸線模型 1.2.5 微帶線和帶狀線 1.2.6 s參數簡介 1.2.7 電磁場求解方法簡介 1.3 傳輸線分析
1.3.1 反射 1.3.2 碼間干擾 1.3.3 傳輸線與串擾 1.3.4 同步開關噪聲 1.4 信號質量控制 1.4.1 阻抗匹配 1.4.2 差分線阻抗和差分線阻抗匹配 1.4.3 走線拓撲 1.5 信號完整性分析所用器件模型簡介 1.6 信號完整性仿真分析 1.6.1 傳輸線阻抗與反射分析 1.6.2 匹配和傳輸線層疊結構 1.6.3 多負載菊花鏈 1.6.4 串擾 1.6.5 ddr3信號質量問題及仿真解決案例 1.6.6 走線阻抗/耦合檢查 參考文獻第2章 電源完整性
設計原理與仿真分析 2.1 電源完整性基本原理 2.1.1 電源噪聲形成機理及危害 2.1.2 電源分配系統構成部件 2.1.3 去耦電容特性 2.1.4 vrm模塊 2.1.5 電源/地平面 2.1.6 pdn的頻域分析 2.1.7 時域分析方法 2.1.8 直流壓降與通流問題 2.1.9 電熱混合仿真 2.2 電源分配網絡交流分析 2.2.1 板級電源完整性設計分析工具及案例 2.2.2 板級電源阻抗分析 2.2.3 平面諧振分析 2.2.4 利用speed2000進行時域電源噪
聲分析 2.3 電源分配網絡去耦電容優化 2.3.1 去耦電容的回路電感 2.3.2 優化方案示例——成本最低 2.3.3 早期去耦方案規划 2.3.4 去耦方案what-if 分析 2.4 電源分配網絡直流分析 2.4.1 直流仿真分析 2.4.2 電熱混合仿真分析 2.5 用allegro sigrity pi base 進行電源設計和分析 2.5.1 直流設計和分析 2.5.2 規則驅動的去耦電容設計方法 參考文獻第3章 高速時鍾同步系統設計 3.1 共同時鍾系統原理介紹 3.1.1 共
同時鍾系統工作原理 3.1.2 時序參數 3.1.3 共同時鍾系統時序分析 3.2 用sigxplorer 進行共同時鍾系統時序仿真 3.2.1 飛行時間仿真分析 3.2.2 計算時序裕量 3.2.3 保持時間時序裕量分析 參考文獻第4章 高速ddrx總線系統設計 4.1 高速ddrx總線概述 4.1.1 ddrx發展簡介 4.1.2 bank、rank及內存模塊 4.1.3 接口邏輯電平 4.1.4 片上端接ODT 4.1.5 slew rate dera 4.1.6 write le
ve 4.1.7 ddr4的vrefdq trai 4.2 源同步時鍾、時序 4.2.1 什麼是源同步時鍾 4.2.2 源同步時序計算方法 4.2.3 影響源同步時序的因素 4.3 ddrx 信號電源協同仿真和時序分析流程 4.3.1 ddrx接口信號的時序關系 4.3.2 使用systemsi 進行ddr3 信號仿真和時序分析實例 4.4 ddrx 系統常見問題案例分析 4.4.1 ddr3 拓撲結構規划：fly-by 拓撲還是t 拓撲 4.4.2 容性負載補償 4.4.3 fly-by 的
stub 評估 參考文獻第5章 高速串行總線 5.1 常見高速串行總線標准一覽 5.1.1 芯片到芯片的互連通信 5.1.2 通用外設連接總線標准——usb 3.0 總線/接口 5.1.3 存儲媒介總線/接口 5.1.4 高清視頻傳輸總線 5.1.5 光纖、以太網高速串行總線 5.2 高速串行通道之技術分析 5.2.1 高速收發i/o口 5.2.2 均衡器及預加重/去加重 5.2.3 ami 模型接口 5.2.4 碼型編碼及dc 平衡 5.2.5 判決指標：眼圖分析、誤碼率、浴盆曲線 5.3
通道傳輸指標分析 5.3.1 通道混模s 參數分離 5.3.2 通道沖擊響應 5.3.3 通道信噪比分析 5.3.4 通道儲能特性分析（碼間干擾isi） 5.4 高速串行通道精細化建模 5.4.1 過孔建模 5.4.2 特殊角度走線 5.4.3 長度（相位）偏差控制 5.5 高速串行通道系統仿真案例 5.5.1 芯片封裝及pcb 板上信號模型提取 5.5.2 建立信號鏈路拓撲 5.5.3 時域通道分析 5.5.4 統計通道分析 5.6 高速串行通道系統設置調節 5.6.1 濾波電
容效應 5.6.2 電源噪聲注入有無影響分析 5.6.3 電源噪聲強弱影響掃描分析 5.6.4 抖動和噪聲影響掃描分析 5.7 高速串行通道工程實例 參考資料第6章 電磁兼容設計原理和方法 6.1 emc/emi 概述 6.1.1 電磁兼容的基本概念 6.1.2 電磁兼容相關標准概要 6.1.3 接地設計原理 6.1.4 屏蔽設計原理 6.1.5 濾波設計原理 6.2 板級和系統級emc 設計基本方法 6.2.1 板級emc 設計的重要性 6.2.2 板級emc 與si/pi 的關系
6.2.3 板級emc 控制的常用方法 6.2.4 系統級emc 設計基本方法 6.2.5 emc 仿真算法簡介 6.3 cadence/sigrity 仿真工具在emi 分析中的應用 6.3.1 si/pi/emi 仿真分析工具介紹 6.3.2 cadence 的emi 仿真分析實例 6.3.3 speed2000 在emi 仿真中的應用 6.3.4 powersi 在emi 仿真中的應用 6.3.5 optimizepi 在emi 仿真中的應用 參考文獻第7章 信號完整性與電源完整性測試
7.1 10gbps 以上數字系統中信號完整性測量綜述 7.1.1 背景 7.1.2 10gbps以上高速背板測量 7.1.3 10gbps以上serdes 信號品質測量 7.1.4 工業標准總線測試 7.1.5 供電網絡的測量 7.1.6 時鍾測量 7.1.7 其他測試 7.1.8 小結 7.2 抖動測量 7.2.1 測量背景簡介 7.2.2 抖動的定義及抖動與相位噪聲、頻率噪聲的關系 7.2.3 周期抖動、周期間抖動? 7.2.4 抖動成分的分解及各個抖動成分的特征及產生原因 7
.2.5 使用浴盆曲線和雙狄拉克模型預估總體抖動 7.2.6 高級抖動溯源分析方法 7.2.7 抖動傳遞函數及其測量 7.2.8 50fs 級參考時鍾抖動的測量技術 7.2.9 抖動測量儀器總結 7.3 眼圖測量 7.3.1 眼圖概念 7.3.2 眼圖模板 7.3.3 眼圖測試對儀器的要求 7.3.4 眼圖測試中的時鍾恢復 7.3.5 眼圖參數的定義 7.3.6 有問題眼圖的調試 7.4 pcb 阻抗測量 7.4.1 pcb 阻抗測試方案及原理 7.4.2 tdr 測量儀器系統的校
准 7.4.3 tdr 分辨率的概念 7.4.4 pcb 阻抗測量操作流程 7.4.5 tdr 測量儀器靜電防護 7.4.6 對tdr 測量的其他說明 7.5 電源完整性測量 7.5.1 電源完整性測量對象和測量內容 7.5.2 電源紋波和噪聲測量 7.5.3 pdn 輸出阻抗和傳輸阻抗測量 7.5.4 消除電纜屏蔽層環路誤差 7.5.5 校准過程和參考件 7.5.6 電路板系統級pdn 測量 7.5.7 小結 7.6 ddr 總線一致性測量 7.6.1 工業標准總線一致性測量
概述 7.6.2 ddr 總線概覽 7.6.3 ddr 時鍾總線的一致性測試 7.6.4 ddr 地址、命令總線的一致性測試 7.6.5 ddr 數據總線的一致性測試 7.6.6 ddr 總線一致性測試對示波器帶寬的要求 7.6.7 自動化一致性測試 7.6.8 ddr 一致性測試探測和夾具 7.6.9 小結 7.7 參考文獻第8章 芯片級全流程仿真分析 8.1 芯片級全流程仿真的意義 8.2 芯片級系統仿真的要點 8.3 模型的准備 8.3.1 晶體管模型和ibis模型 8.3.2
芯片金屬層模型 8.3.3 封裝模型 8.3.4 pcb 模型 8.4 並行總線和串行信道的仿真 8.4.1 並行總線仿真 8.4.2 信道仿真 8.5 芯片封裝pcb 的電源完整性 8.5.1 芯片-封裝-pcb 的直流壓降 8.5.2 芯片-封裝-pcb 的交流阻抗分析 8.6 芯片-封裝-pcb熱設計 參考文獻
在SDRAM介面電路的電壓與電流模式傳輸中電源與信號完整性的影響
為了解決DDR4 ODT 的問題，作者蘇家弘 這樣論述：
近年來，晶片與晶片通訊速度的提升，造就了整體系統的速度也相對的提升，因此在高速系統下，其雜訊干擾已是不可忽略，本文將對介面電路的電源與訊號完整性做一系列的探討。本論文闡述兩個介面電路，分別為電壓(VMOCD)與電流(CMOCD)的I/O 介面傳輸，都是操作在 1.1 伏特及傳輸速度為3.2Gbps 的DDR4 I/O 介面傳輸電路，並以聯電90-nm CMOS 製程製作。在晶片中均包含了傳輸器以及接收器電路，也加入了多組的去耦合電容以及額外的傳輸器電路，並觀察在各種不同的情況下的眼圖變化，來探討電源與訊號完整性的議題。由於在本文中有探討兩種不同的I/O 介面電路，在各自做完模擬與量測後，再互
相做比較，由結果得知電流傳輸模式對雜訊干擾的抑制效果比較好，其功率消耗也相對的較低。根據我們發現了模擬與實際測試板的量測的差異性，得知在高速電路下封裝及電路板模型建立的重要性，因此我們也加入了模型的建立來進行模擬，並在最後呈現我們的模擬及量測的結果。
在超高速且低供應電壓SDRAMI/O電路中使用去耦合電容對電源完整性及信號完整性的影響
為了解決DDR4 ODT 的問題，作者林裕翔 這樣論述：
本論文闡述一個操作在1.1伏特傳輸速度為3.2Gb/s的DDR4 I/O介面傳輸電路，並以聯電90-nm CMOS製程製作。在此晶片中包含了傳輸器以及接收器電路，並加入了多組的去耦合電容以及傳輸器電路，用來探討電源完整性的議題。另外在文中也會考慮此傳輸接收器在不同的情況下所產生的眼圖及傳遞延遲時間，討論電路的信號完整性。由於在本文中有探討關於不同製程、電壓、溫度的影響下且用不同的模型，其中包含晶片、晶片加上封裝、晶片加上封裝及電路板的模型所模擬出來的結果，發現在不同製程、電壓、溫度下電路的效能雖然會有影響，但其影響皆沒有我們加入了封裝及電路板的模型進行模擬後的差異來的大，由此可知在高速電路下
封裝及電路板模型建立的重要性，因此在此高速電路下我們也針對了板子的特性進行了模型的建立來進行模擬，並在最後比較我們量測及模擬的結果。