1TB GB的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

超好用Flickr：1TB雲端空間運用術

為了解決1TB GB的問題，作者手機GOGO編輯部 這樣論述：

　　放假出國玩耍拍照、朋友一起聚餐拍照、就連搭個捷運也要自拍一下……先生、小姐、阿桑、阿伯，你們還真的是很忙耶！ 　　從這邊我們似乎能夠發現－拍照這件事情已經成為大家的慣性動作，每天不拍會不舒服。既然拍照這個動作這麼重要，肯定需要一個方便的平台、超大的儲存空間，才能夠應付如此龐大的上傳量。有鑑於此，Flickr索性在5月發表了令人驚艷的服務，提供高達免費1 TB的雲端空間，且主打更龐大、更精采、更隨心的使用經驗。 　　Flickr幫大家圓了一個雲端夢，試想： 　　．當別人還在以GB為計算單位的時候，Flickr保證有實實在在的1TB（約1,024GB）空間。且完全免費。

　　．你可以和大眾分享多達50萬張原版高解析相片。準確來說是：537,731張。 　　**以每張650萬畫素計算，1TB=537,731張。 　　此外，Flickr同時也提供社群服務，可以管理好友和建立群組，成為Yahoo！力挽狂瀾的社群利器；由於受到許多國內外知名攝影師的支持，所以，我們可以在平台中看見數不清、超有Fu的大作，更有趣的是，你的攝影作品還能夠在Flickr中販售，或者是購買他人作品。還有還有，在App Garden中，我們能夠看到跟山一樣高的Flickr相關Apps及應用，即使是行動中也可以傳不停、完不停！ 　　現在，你知道為什麼我們要擁抱Flickr了吧！  

1TB GB進入發燒排行的影片

三維電荷擷取式NAND快閃記憶體中單一電子效應及臨界電壓分佈之研究

為了解決1TB GB的問題，作者周佑亮 這樣論述：

本論文主要探討三維電荷擷取式NAND快閃記憶體(3D charge trap NAND flash memory)中，單一電荷及臨界電壓分佈引致之可靠度議題，吾人研究多晶矽缺陷所造成的隨機電報雜訊(RTN)對元件特性之影響，藉由讀取電流與讀取電壓之掃描，分析出缺陷位置對於同一條串聯連接線讀取電流之影響。此外，吾人亦提出一種利用隨機電報雜訊之新穎方法來描述在同一條串聯連接線之多晶矽缺陷位置及特徵。個別之寫入電荷流失現象所致臨界電壓變化在本論文中亦有進一步之分析與探討。最後，吾人透過三維模擬及實驗分析探討接地選擇線(Ground select line)元件及邊際虛擬單元(Edge dummy

cell)元件之臨界電壓分佈。第一章首先介紹近年來NAND快閃記憶體的技術發展演進以及現今三維快閃記憶體(3D NAND flash memory)在尺寸微縮與單元儲存階層狀態倍增之現況。其次，三維垂直通道(vertical channel)電荷擷取式快閃記憶體之可靠度議題將在此章節說明。另外，吾人亦提及主要影響臨界電壓分佈寬度之因素，並指出單一電子所致電流變化及三維快閃記憶體特有結構之重要影響。本章節的最後一部分針對此論文之整體架構做概略性的介紹。第二章研究多晶矽通道元件中多晶矽缺陷所產生之RTN特性，從讀取電流和讀取電壓之觀測，可以在較大範圍的讀取電壓上看到RTN之影響，研究結果顯示多晶矽

缺陷所致之RTN，不論缺陷位置在讀取元件內外，皆會對整條串聯連接線之讀取電流有影響。第三章中，吾人提出一方法來確認多晶矽缺陷在同一條串聯連接線內之位置與特性，並且研究不同讀取電流之相對RTN振幅特性。研究結果顯示晶粒邊界缺陷所致之電流路徑滲透作用及載子屏蔽效應可解釋RTN振幅特性。另外，不同操作電壓下之RTN振幅特性也可予以解釋。在第四章，吾人觀測小面積電荷擷取式(SONOS)快閃記憶體中氮化矽內部個別電荷垂直流失現象，且發現臨界電壓對時間關係以階梯式的圖像呈現。分析結果顯示:(1)臨界電壓變化之統計呈現指數機率分佈，此特性歸因於寫入電荷及摻雜載子分佈所致之電流路徑滲透作用。(2)在不同記憶體

元件及不同寫入抹除操作週期之情況下，資料流失所致之臨界電壓散佈特性也歸因於電流路徑滲透作用，吾人利用電流路徑滲透作用(current-path percolation effect)及電荷垂直流失模型，實行蒙地卡羅模擬成功預測在不同儲存時間下資料流失所致臨界電壓分佈之結果。第五章主要研究邊際虛擬單元(Edge dummy cell)元件及接地選擇線(Ground select line)元件之臨界電壓分佈。藉由不同製程及量測電壓分析臨界電壓分佈，發現在某些製程及操作條件下，上述兩元件之臨界電壓分佈較一般記憶單元元件之臨界電壓分佈更寬，其對應之成因分別為晶界缺陷隨機分佈於非閘極控制區及磊晶矽摻雜

能量高低對應之摻雜濃度分佈。吾人亦藉由三維模擬輔助，進一步分析晶界缺陷分佈於非閘極控制區對邊際虛擬單元元件讀取電流特性之影響，並且探討摻雜濃度分佈於磊晶矽中對接地選擇線元件讀取電流特性之影響，從模擬結果之分析與比較，吾人藉由導入優化製程(減少晶界缺陷濃度,調整摻雜濃度分佈)及調整操作電壓可成功改善邊際虛擬單元元件及接地選擇線元件之臨界電壓分佈。最後於第六章，吾人將對本論文做個總結。