電源供應器瓦數怎麼看的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

氮化鎵與碳化矽半導體材料之應用趨勢

為了解決電源供應器瓦數怎麼看的問題，作者廖宇涵 這樣論述：

寬能隙（Wide Band Gap；WBG）亦稱為第三代半導體(The third-generation semiconductor)，決定了一種材料所能承受的電場，氮化鎵（Gallium Nitride；GaN）的能隙寬度為 3.4eV，碳化矽（Silicon Carbide；SiC）的能隙寬度為3.05eV，是矽的3倍多，所以說GaN和SiC擁有寬能隙的特質又稱為第三代半導體。GaN相比矽，在同樣的元件尺寸能承受更大的電場，並且提供更快的開關切換速度。此外，還可以在更高的溫度的環境下運作。隨高頻通訊、電動車的應用，化合物半導體市場成了新起之秀，WBG材料適合於運用在高溫高頻、大瓦數及抗輻

射的元件，其重要應用產品例如5G通訊晶片、微型電源轉換器、及車用高電壓電源供應器等。本研究以深度訪談方式，從材料面、製程方面、應用等做第三代半導體材料應用趨勢的分析與探討，可協助對有興趣從事WBG的相關人員及廠商參考。