輔助記憶體的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

超人60天特攻本：數位科技概論與應用(112年統測適用)

為了解決輔助記憶體的問題，作者薛博仁 這樣論述：

　　依據108課綱，升科大/四技/二專必備專書 　　抓住重點、掌握趨勢、精選題目，考前衝刺效率更加倍！ 　　✽60單元好複習：歸納歷年得分重點 60 大單元，輕鬆運用一天一單元的架構，快速完成統測複習。 　　✽趨勢導向看清楚：依照108~111 年統測考題進行統計分析，讓考生清楚統測命題趨勢。 　　✽統測考題即時通：由統測題型重新變化出題，即時透過單元測驗檢視自己的學習狀態。 　　✽專有名詞全收錄：彙整常見專有名詞，一網打盡、迅速吸收。 　　✽單位&計算題大彙整：重要計量單位&計算題一次到位，建構致勝關鍵。 　　✽輕薄小巧好攜帶：比十吋平板還小本，便於攜

帶、隨時複習。 　　✽跨領域加深加廣：運用專業延伸，有效銜接大學課程，跨領域學習創造斜槓歷程。

輔助記憶體進入發燒排行的影片

有機記憶體光電特性之研究

為了解決輔助記憶體的問題，作者鄭郁翰 這樣論述：

本論文主要探討有機記憶體的光電特性，對不同結構的元件進行電晶體與記憶體量測，而記憶體量測上則以是否使用照光輔助區分，此論文結構分為PMMA、PMMA/2-碘芴、PMMA/Na/2-碘芴、PMMA/Na/P3HT:PS/2-碘芴。第一部分為量測上述結構的電晶體特性及暗室下的記憶體量測，在電晶體特性分析上，所有結構的元件皆擁有基本電晶體性質，而在記憶效應的量測上以對電晶體單獨施加閘極偏壓的方式探討該結構是否在暗室下擁有記憶效應。第二部分為量測上述結構在使用光輔助下的記憶效應，在施加光輔助下可使元件擁有記憶效應，本論文中較好的記憶窗口可達9.23 V，操作開關電流比達27.4，電荷保存時間約7分鐘

，可靠度達50次記憶體寫入與抹除循環。

國營事業「搶分系列」【電腦常識(電子計算機概論)】(篇章結構完整‧題庫內容超豐富‧收錄十多年數十回考古題)(11版)

為了解決輔助記憶體的問題，作者陳啟豐,倉持修 這樣論述：

　　☆國營事業一本兼用☆ 　　☆最新試題完整精解☆ 　　☆內容紮實考點盡顯☆ 　　【本書架構】 　　Part 1：內容整理，針對電腦常識（電子計算機概論）重點餒容做說明，帶領讀者洞悉命題重點。 　　Part 2：模擬試題及解析，設計3回模擬試題供考生大量練習之用。 　　Part 3：中油、台糖等相關考試歷屆試題解析，大量收錄國營事業考試相關試題共23回，供考生參考之用。 　　Part 4：自來水公司歷屆試題解析，收錄多年自來水試題，考生可藉此觀摩參考。 　　Part 5：全真模擬試題演練，特設計2回全真模擬試題，供考生考前深化實力。 　　【學習心得】 　　1.建議熟讀本

書內容，最好能搭配原文書，將相關的公式與原理重新閱讀過。最好能搭配學校所用的教科書一起閱讀，以達事半功倍之效。 　　2.原理與公式都熟習後，一定要自己動筆練習，一開始盡量先練習典型而且解答詳實的題目，切記！解析只用讀的而不動筆，一定無法發現自己盲點所在。 　　3.必須要實際熟悉一些文書軟體和微軟作業系統的操作，如WORD、EXCEL等等，依照考古題所示會有這類型題目，所以除了本書所提供一些文書軟體常用的操作外，最好能再多多記憶其它操作與圖式表達的含義，建議最好能實際開啟常用的文書軟體實際操作，會比單一背誦來的快速與印象深刻。 　　4.歷屆試題之熟悉：歷屆試題的熟悉是非常重要的，不同的考試

，命題委員會有不同的偏好。勤做相關考古題，除了可以看出命題趨勢，更可了解命題委員對題型之偏好，例如考題為測驗題共四十題，不可能每題都是需要花時間之思考題，必定會搭配一些能快速回答之觀念題或記憶題。因此，歷屆試題可方便考生評估在考場作答時之時間分配，更可搭配真實的考試時間做計時，評估出更有效率的臨場解題策略。 　　5.解題過程中，最重要的就是檢視自己對此科目內容了解的程度，提早面對自己的弱點來加強，如此一來一定比臨場出錯好得多，更可降低因為臨場緊張或其它種種因素而造成之失誤。 　　6.考試除了自身的實力加強，最好也能相約實力相當、志同好友編組讀書會，對於難懂的觀念，或是難解的試題，可由互相討

論的方式解決，如此教學互長，必然有所裨益。當仍有問題無法解決，建議詢問學有專精的老師或是先進。 　　【購買本書重要須知】 　　凡購買本書者，請於購買當下或購買後，將本書快速瀏覽一遍，若發現本書有錯頁、空白、污損等情事發生，請於最短時日內向本社退換書，以免影響您學習之權益與上榜可能之機會！ 　　試閱內容為電子書版本，紙本書籍為單色印刷。 本書特色 　　依照考試命題方向，建立全真模擬試題，增加演練機會。較難試題附有解析，協助讀者掌握考試重點。 　　完整收錄中油僱員、自來水評價人員及台糖工員近年相關試題，使讀者全盤掌握考試趨勢。

駐極體之極化效應在有機場效記憶體元件的研究

為了解決輔助記憶體的問題，作者王鵬翰 這樣論述：

本論文主要藉由摻雜具有載子捕獲能力與高介電係數之矽環氧材料在聚亞醯胺中(polyimide,PI)，藉此提升材料的介電常數並透過控制製程參數使材料產生相分離現象，提升薄膜表面之極性能，探討極性官能基團的分佈對於有機記憶體元件之電特性與記憶特性的相關性，其中半導體材料使用P型半導體材料五苯環(pentacene)與本實驗自行合成之N型半導體材料十三烷基駢苯衍生物(PTCDI-C13H27)，實驗中利用改良型高分子聚亞醯胺作為記憶體元件之介電修飾層與載子捕捉層，並摻入1 wt%的矽環氧分子，調控旋轉塗佈之成膜參數製作出具有不同表面極性的薄膜，分別為具極性基於表面的薄膜(RA9002+1%

H3)與沒有相分離極性基於表面的薄膜(RA9002)，並分別製作P型及N型之有機非揮發電晶體式記憶體。首先經由FTIR分析證實PI-RA9002+1%H3薄膜具有較強的羥基(-OH)振動，顯示材料有效的摻混於薄膜中，經由薄膜表面能及歐傑電子能譜儀分析驗證了PI-RA9002+1%H3材料於成膜過程的確有材料相分離的現象發生，具高極性的矽環氧材料會遷移至薄膜表面，在低轉速旋塗成膜時相分離程度最佳，極性基團埋於薄膜內，而在高轉速旋塗成膜時極性基團分佈較均勻，極性基則朝向薄膜表面，在元件電特性參數方面，無論是在P型或N型記憶元件在PI-RA9002+1%H3成膜轉速為6000 r.p.m.時皆有較佳

的電特性，此結果與半導體薄膜特性分析之結果相符，極性基有助於半導體分子堆疊較緻密，增加分子間的耦合能，在施加一外加電場時，會使極性官能基團形成偶極場，在通道中提供額外的累積電荷，使電晶體之載子遷移率上升。在記憶體特性的部分，P型記憶體的寫入電洞能力較佳，可使臨界電壓產生20V之偏移，而又以RA9002+1%H3的寫入能力最佳，此型號的PI薄膜具有許多深層的電洞捕獲位置，加上極性基團提供的載子捕獲位置，使得載子較難以清除，因此對於一寫多讀(WORM)型的記憶體元件有很好的應用潛力；而當極性基在薄膜表面時會影響N型記憶體電子寫入的能力，造成N型記憶體記憶窗口降低。雖然薄膜表面的極性基都沒有使P型及

N型的記憶窗口提升，但由電容電壓曲線分析，由於施加電壓造成極性基活化產生偶極場，對於半導體在介面累積載子能力有所提升，使元件飽和電流上升，當表面極性基團分佈較多時，電晶體元件之時間-輸出電流特性圖會產生電流增益的效應(N type)。本實驗利用光輔助的方式操作記憶元件，可大幅提升記憶窗口，在N型元件中，記憶窗口可提升至50V，在高轉速成膜時，矽環氧均勻分布薄膜內，有許多載子被陷捕於深層能帶中，且本研究中所使用之矽環氧材料主要提供電洞的捕獲位置造成電子寫入不易，故記憶窗口較小；於P型時，可將記憶窗口提升至20V，當極性基於表面分佈較少時，雖然增加的寫入能力較少，但因為極性基多分佈於薄膜表層，故利

用光輔助能有效清除電洞載子，造成較大的記憶窗口，但於高轉速成膜時材料摻混較均勻或使得部分電洞載子被捕獲在深層能帶，會使電洞較難釋放，造成較小的記憶窗口。本研究驗證了高分子駐極體材料中的極性官能基是影響半導體的成長、電晶體電特性及記憶特性的要素之一，並透過摻混矽環氧材料提升電晶體元件之電特性。