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輔助記憶體的存取速度的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
輔助記憶體的存取速度的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦李志明,吳國安,李翔寫的 Intel大師帶你架設AI底層：持久記憶體架構服務實作 和段鋼的 加密與解密：軟體保護技術攻防指南都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自深智數位 和深石所出版 。
國立雲林科技大學 電子工程系 許明華所指導 林見名的 用於近臨界操作之單端區域位元線5T靜態隨機存取記憶體 （2021），提出輔助記憶體的存取速度關鍵因素是什麼，來自於單端、靜態隨機存取記憶體、區域位元線、近臨界電壓操作。
而第二篇論文國立中正大學 電機工程研究所 王進賢所指導 張士欣的 低電壓 DSC 6T SRAM 之抗變異分析與設計 （2021），提出因為有 低電壓、靜態隨機存取記憶體、雜訊容忍的重點而找出了 輔助記憶體的存取速度的解答。
Intel大師帶你架設AI底層：持久記憶體架構服務實作
為了解決輔助記憶體的存取速度 的問題，作者李志明,吳國安,李翔 這樣論述：
有記憶體的極速，有M.2 SSD的非揮發性， 持久性記憶體打破現有架構，是量子電腦真正出現之前的最偉大發明！ Intel作者群帶你進入持久化記憶體的世界 分層記憶體架構是現代電腦的基石，從CPU之內的L1、L2、L3快取以降，一直到DDR4/5的主記憶體，速度從快到慢，但真正阻礙電腦速度的最大瓶頸，就是下一層的非揮發性儲存了。雖然PCIE Gen4的M.2 SSD已達到7000MB/s的驚人讀取速度，但和處理器內的記憶體來說還是有1000倍以上的差距。為了彌補這個鴻溝，Intel推出了全新的記憶體架構，再揮發性記憶體子系統和發揮發性儲存系統之間，新增了一個新的層次，既能滿足高速的記
憶體資料傳輸，又能保有可儲存性的優點，這個稱之為3D-XPoint的技術，再度造成了整個電腦系統的世代革命。當電腦的主架構發生了天翻地覆的改變時，應用程式、伺服器、資料庫、大數據、人工智慧當然也出現了必需性的變化。在設計巨量資料的服務系統時，傳統針對記憶體斤斤計較的場景不再出現，取代的是大量運用新的持久性記憶體架構來降低系統I/O的頻寬。這對新一代的雲端運算資料中心的影響更是巨大。包括了虛擬機、容器、進而對於應用程式如軟體開發、資料庫、NoSQL、SAP/Hana，Hadoop/Spark也產生了巨大的影響。 本書是國內第一本中文說明這種新型應用的書籍，閱讀本書之後，對大型系統的運維已
不再是TB級而達到PB的記憶體等級了，想想一個巨型的系統服務不需要水平擴充(Scale-out)r而是可以垂直擴充(Scale-up)，這完全打破了我們從前的概念，本書將是你在進入量子電腦世代來臨前最迫切需要獲得的知識。 本書特色 1.在英特爾公司任職的多位專家們齊聚一堂，共同創作了這本持久化記憶體的實戰書籍。 2.仔細講解、深入淺出，搭配圖表輔助說明，好看好讀好吸收。 3.台灣第一本詳細解說持久記憶體的電腦書，讓你迅速精進，保持業界頂峰的地位。 名人推薦 「借助英特爾傲騰持久記憶體，我們在記憶體--儲存子系統中創建了一個新層次，這使整個產業都會受益。持久記憶體
基於革命性的英特爾3D-XPoint 技術，將傳統記憶體的速度與容量和持久性結合在一起。」──阿爾珀·伊爾克巴哈（Alper Ilkbahar），英特爾公司資料平台事業部副總裁、記憶體和儲存產品事業部總經理
用於近臨界操作之單端區域位元線5T靜態隨機存取記憶體
為了解決輔助記憶體的存取速度 的問題，作者林見名 這樣論述：
隨著科技進步，靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)因存取速度較快並在製程實現上較無特殊製程需求，在高效能處理器與嵌入式系統中被廣泛的使用。另外隨著智慧式行動裝置盛行，低功率消耗、低操作電壓的設計成為系統單晶片(System on a Chip, SoC)的發展趨勢，而6個電晶體(6T) SRAM因其架構簡單及高密度的特點，仍廣被業界使用。隨著SRAM架構的發展，單端(Single-ended)架構SRAM被提出，相較於傳統SRAM互補的位元線(Bit-line, BL)，單端架構因減少一條位元線，而具有功率消耗較低的優點，但在沒有寫入輔助技
術的情況下會有無法寫入“1”的問題。在本論文中提出了單端SRAM區域位元線(Local Bit-Line, LBL)設計架構，該架構以5T SRAM為基礎進行設計，並使用雙邊控制下拉切斷(Dual-control pull-down cutting)輔助技術。本架構以單端區域位元線架構操作在近臨界電壓(Near-Threshold)區域來實現加強讀寫能力並達到較低的功率消耗。以數個記憶體單元(Memory cell)共用一個區域位元線來降低位元線的雜散電容來達到較高的讀取穩定性(Read stability)，在讀取操作上可以消除記憶體單元的漏電流導致的位元線讀取錯誤(Bit-line lea
kage-induced read failure)；在寫入操作方面則是透過切斷儲存節點的回授路徑來解決5T無法寫入“1”的問題並提高寫入能力(Write ability)。本論文的1kb SRAM macros架構以TSMC-40nmGP製程實現，在工作電壓400mV操作頻率20MHz時，讀寫能量消耗分別為0.20pJ和0.17pJ，平均能量消耗及漏電流功率消耗與SLB6T相比減少了15.9%及58.1%。
加密與解密：軟體保護技術攻防指南
為了解決輔助記憶體的存取速度 的問題，作者段鋼 這樣論述：
基礎知識的介紹包含Windows 例外機制、核心基礎、偵錯器、加密演算法等，核心技術方面則有反組譯技術、靜態分析技術、動態分析技術、程式植入技術、Hook 技術、漏洞分析技術、脫殼技術等；以軟體逆向為切入點，講述了軟體安全領域相關的基礎知識和技能。讀者閱讀本書後，很容易就能在逆向分析、漏洞分析、安全程式設計、病毒分析等領域進行擴展。這些知識點的相互關聯，將促使讀者開闊思路，融會貫通，領悟更多的學習方法，提升自身的學習能力。 本書特色 本書技術覆蓋面廣、可操作性強，詳細而透徹地說明了系統底層的基礎知識和安全核心技術的實作技能，適合安全技術相關工作者、對逆向調試技術
/軟體保護感興趣之人員，及關注個人資訊安全、電腦安全技術並想瞭解技術內幕的讀者閱讀。
低電壓 DSC 6T SRAM 之抗變異分析與設計
為了解決輔助記憶體的存取速度 的問題，作者張士欣 這樣論述：
隨著穿戴式裝置的蓬勃發展，低功耗靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)的需求日益漸增，降低功率消耗最有效的方法是減少操作電壓，卻會導致記憶體細胞元的雜訊容忍度降低，因此低電壓讀寫輔助電路陸續被提出，其中只有雙分離式6T ( Dual-Split-Control 6T , DSC 6T ) 擁有低電壓高速操作的潛力。然而製程微縮、載子參雜濃度加重都使得晶片變異更加嚴重，因此抗變異設計成為SRAM的設計目標之一。本研究對DSC 6T 架構及輔助電壓CVSS產生器(CVSS Generator, CVSSG)進行變異分析，分析出電荷分享式輔助電壓產
生器(Charge Sharing Voltage Generator, CSVG)不僅會受製程、電壓、溫度影響，還會受列位置、參考電壓變異、漏電流影響，使輔助電壓準位偏移及影響操作速度，相比之下，回授控制式輔助電壓產生器(Feedback Voltage Generator, FBVG)受變異影響較小、操作速度較快，適合作為低電壓DSC6T 輔助電壓產生器，然而因DSC6T 架構在操作時會生虛擬地彈跳，經本研究證實虛擬地彈跳會影響細胞元穩定度，且無法在靜態雜訊容忍分析精準考量。本研究提出保持動態雜訊容忍分析，考量了CVSSG和寫入輔助電路對半選擇行細胞元的影響，同時進行讀取動態雜訊容忍分析，
來考量虛擬地彈跳對細胞元的穩定度影響。對22nm 128×128 DSC 6T SRAM Macro 進行動態雜訊容忍分析，分析出滿足設計標準下的最低操作電壓為0.45V，並由模擬及量測獲得驗證。