工研院電光所的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

專利分析及運用概論：創意、發明、專利(二版)

為了解決工研院電光所的問題，作者余昱辰,朱新瑞,郭禎麟,陳振坤,張志佳,林詩怡,戴志翰 這樣論述：

　　本書是一本好的專利入門書，讓讀者可以無師自通地了解何謂專利、專利的起源、專利所保護的範圍、專利的基本格式等。更藉由書中的實際案例分析，帶領讀者進入專利分析的領域，學習專利分析的概念，進而使我們將創意的想法，轉變成專利，創造出最大的效益。－王美花（經濟部智慧財產局局長） 　　全書先介紹專利的概念、專利說明書的閱讀及進入專利領域不可缺少的「基本配備」，逐漸地導入專利分析主題。再配合不同類型的案例，深入淺出地將一套專利分析步驟介紹給讀者。－蔡練生（中華民國全國工業總會秘書長） 　　本書最特別的部分是透過幾個不同領域的例子：生活用品、光電通訊、LED照明、3D列印等實際案例

，以深入淺出的方式來告訴大家，如何透過對專利的了解分析，去蕪存菁、分門別類，將自己的發明去申請專利。－蔡坤財（中華民國專利師公會理事長） 　　本書中心思想為「人人皆可成為發明家」，最大的目的在鼓勵每個人將創意轉化為發明，再藉由專利申請讓每個讀者都可以成為發明家，從專利中致富獲利，同時為社會創造福祉，為國家繁榮經濟民生！ －劉江彬（磐安智慧財產教育基金會董事長）

工研院電光所進入發燒排行的影片

三端自旋軌道磁矩記憶體讀寫特性之研究

為了解決工研院電光所的問題，作者余家賢 這樣論述：

本研究與工研院電光所合作，主要針對其開發之三端自旋軌道磁矩記憶體(three-terminal iSOT-MRAM)元件進行讀取、寫入及讀寫交互影響所產生的特性分析。針對讀取的方面，首先就自旋轉移磁矩記憶體(STT)端進行分析，採用改變磁場對元件的角度並比較於外加磁場下其翻轉行為是否與尺寸較小之STT-MRAM元件有所不同。將所得到之不同角度下的翻轉場作圖並與不同模型進行比對，發現小尺寸的STT-MRAM元件可以得到Stoner-Wohlfarth單磁疇翻轉的模型，而大尺寸的iSOT-MRAM元件則可得到Kondorsky多磁疇翻轉的模型。接著在寫入端則就SOT端進行分析，透過RVS、CVS

分析重金屬層可承受的極限電壓，並改變電流方向及大小，可看到其翻轉方向會隨自旋電流方向而有所變化。最後，由於此元件為three-terminal 的2T1R的設計，本研究就three-terminal這部分進行分析，同時在STT及SOT兩端通電，得到SOT隨著電流方向不同是可以和STT相互競爭或加乘的結論，元件約在STT端通過10mV下會產生反向翻轉，並分析得到SOT的貢獻是影響此效應的主要原因。而綜合上述實驗結果也可得出在次微米大小的元件中在STT端通過100mV進行讀取較為合適，且各尺寸的元件性質差異不大，若蝕刻技術允許可嘗試繼續微縮尺寸，以期使未來實際應用更為方便。

光機電產業設備系統設計

為了解決工研院電光所的問題，作者李朱育,劉建聖,利定東 這樣論述：

　　我國半導體光電產業經過二十餘年來的發展，已經形成完整的供應鏈體系。在這半導體光電產業鏈中，製程設備與檢測設備是最關鍵的一環。這些設備的性能，關係著生產的成本及品質。「設備本土化」將是臺灣半導體製程設備相關產業發展的重要根基。這也提醒了我們，提高產業的設備自製率、掌控關鍵技術與專利，才能有效降低生產成本，提高國家競爭力。       　　本書內容可分為兩部份，第一部份是由第一章至第六章所組成的基本技術原理介紹，內容包括各種光機電元件的介紹，電氣致動、氣壓致動、各式感應元件與光學影像系統的選配等。第二部份則是由第七章至第十章所組成的光機電實體機台與系統應用，內容包括雷射自動聚焦應用

設備，觸控面板圖案蝕刻設備，LED燈具量測系統與積層製造設備等。    本書特色 　　本書的編撰人員除學界老師外，特別邀請工研院的專家學者，將其研發經驗，尤其是針對實體機台的設計製作等實務經驗，撰寫成相關章節收錄其中。本書除了詳細的學理知識外，更包含廣泛實務的應用，提供有志於光機電產業的讀者入門之參考。  

Lithography智慧財產專利研究分析

為了解決工研院電光所的問題，作者陳亮學 這樣論述：

隨著數位電子產品的出現，IC(Intergrated circuit)已成為大部份消費性電子產品中的核心(CPU、GPU)。也受惠於智慧型手機使用的CPU，或是玩電腦遊戲使用的GPU，以及伺服器，等等，如顯示卡上的晶片(Video chipset)又稱GPU，可以進行高畫質的遊戲體驗，或是觀看高畫質的電影，使得消費市場需求增加迅速。各加廠商除了投入大量的資金並積極擴廠外及併購相 關產業，更積極研發7奈米、5奈米，甚至3奈米的技術，可以做出更微小，性能更高的IC。 伴隨著半導體微影技術製程邁入7奈米以下、製程從16奈米、波長13.5奈米到5奈米，3奈米的發展過程，為了降低成本、並提升效能、被更

廣泛的應用，因此過程必的會遇到瓶頸或技術上的限制。在面對這激烈的競爭各家大廠投入大量資金在研發更高規的技術，跟更新機台設備上面，除了如何突破關鍵技術領先並避開各項專利技術，以免侵權。藉由本論文使用專利分析法並透過M-Trends專利分析平台針對Lithography產業進行專利趨勢分析，本次研究結果顯示1994-2019年間有2,023件專利申請件數，由2001年開始有明顯增加，2012~2018年間最為蓬勃發展，但自2019年開始各國專利申請件數都有明顯降低的趨勢，是否表示研發技術遇到瓶頸或是轉去研發新技術，可由後續研究人員持續觀察。透過各項檢索結果來看，臺灣在專利雖然都能擠進前五大國家內，

但分析專利權人與發明人和公司別等檢索資訊後可發現，臺灣在專利發展上較集中於特定公司或是發明人身上，研發投入能量與其他國家比較起來也是較低，此部分在後續研究的方向可繼續觀察。