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國立高雄大學 電機工程學系碩博士班 施明昌所指導 翁逸俊的 Al/SiO2/Si MIS紫外光光偵測元件的製作及光響應特性研究 （2021），提出半導體製程技術導論下載關鍵因素是什麼，來自於光響應度。

而第二篇論文國立聯合大學 化學工程學系碩士班 楊文彬所指導 高維杰的 快速自組裝法對銅微電鍍的研究 （2019），提出因為有 銅電鍍、自我組裝、有機添加劑、重金屬離子的重點而找出了 半導體製程技術導論下載的解答。

最後網站半導體製程與技術 - 課程大綱查詢- 明新科技大學則補充：01, 晶體的特性, The characterization of crystal materials ; 02, 半導體材料, Semiconductor materials ; 03, 電子元件概論, Introduction to electronic Devices ; 04 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了半導體製程技術導論下載，大家也想知道這些：

Al/SiO2/Si MIS紫外光光偵測元件的製作及光響應特性研究

為了解決半導體製程技術導論下載的問題，作者翁逸俊 這樣論述：

因此本論文主要探討一Al/SiO2 /Si MIS UV紫外光偵測器元件的製作，以及光偵測響應特性的研究，，探討在SiO2在不同薄膜厚度以及不同面積大小下，進行光照下電流-電壓特性和不同波段光響應度之光電特性研究，從實驗得知在Al(20nm)/Sio2(10nm)於300nm有著較高的光響應度有著1.06 A/W，由實驗得知光響應度隨著薄膜厚度減少而變大，且光響應度隨著面積成線性變化，並由MIS電子穿隧模型可以大致說明實驗結果，本論文可以有利於未來發展輕薄短小之紫外光光偵測器元件之參考。

快速自組裝法對銅微電鍍的研究

為了解決半導體製程技術導論下載的問題，作者高維杰 這樣論述：

本研究以自組裝法為基礎，將原本的二段式自組裝法改為一段式(快速)自組裝法，並在實驗過程中加入重金屬離子與光澤劑先行螯合，期望此方法可以降低光澤劑在陰極表面上的吸附程度，受流體剪切力影響而流入孔洞內，使欲鍍孔洞內可以加速銅還原，減緩表面還原速度，使孔洞有良好的填覆率。電化學分析以循環線性掃描伏安法(CLSV)來探討，分析結果顯示光澤劑加入重金屬離子後，銅需要的還原電位會增加，電流量也會降低了一些，表示光澤劑吸附在陰極表面的量變少，然後定電位分析的結果顯示光澤劑與重金屬離子先螯合後的確能降低原本的電流量，接著一段式自組裝法的CV圖也能發現到，加入重金屬離子後對平整劑、抑制劑的影響也不大。

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