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xrd角度的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦陳中中等（主編）寫的 3D打印技術及CAD建模 和蔡朋枝的 新型二氧化矽粉塵採樣器驗證IOSH95-A104都 可以從中找到所需的評價。
這兩本書分別來自化學工業出版社 和勞動部勞動及職業安全衛生研究所所出版 。
元智大學 化學工程與材料科學學系 楊博智所指導 張廷維的 含表面修飾四硫富瓦烯結構共軛高分子/硫化鎘量子點之奈米複合材料製備及其光電性質探討 （2014），提出xrd角度關鍵因素是什麼，來自於有機/無機混合太陽能電池、化學感測器、硫化鎘、奈米晶體、四硫富瓦烯。
而第二篇論文長庚大學 化工與材料工程學系 尤建華所指導 廖致民的 TiO2摻雜B/V光觸媒光降解甲苯、甲基乙基酮及甲基藍研究 （2013），提出因為有 二氧化鈦、甲苯、甲基乙碁酮、甲基藍、光降解的重點而找出了 xrd角度的解答。
3D打印技術及CAD建模
為了解決xrd角度 的問題，作者陳中中等（主編） 這樣論述：
本書系統地講述了3D列印技術的原理、應用及CAD建模，全書共5章，內容包括3D列印技術原理、金屬零件3D列印設備及原理、3D列印金屬粉末製備與檢測、3DP產品品質分析及後處理、資料處理、CAD建模及反求工程等方面。從科學、集成的角度，系統介紹了3D列印技術的理念、內容、關鍵技術和新成果，力求即時跟進科技發展動態，讓讀者領略和瞭解3D列印前沿熱點，開闊視野、拓寬知識。 本書配套有相應的電子教案、視頻資料及課後思考題答案，以方便廣大師生和讀者閱讀學習。 本書可作為高等院校理工科專業教材，也可供對3D列印技術有興趣或希望儘快進入3D列印領域的人員參考。
含表面修飾四硫富瓦烯結構共軛高分子/硫化鎘量子點之奈米複合材料製備及其光電性質探討
為了解決xrd角度 的問題，作者張廷維 這樣論述：
最近的研究發現，當共軛高分子直接與無機半導體奈米晶體結合時，奈米晶體與共軛高分子會形成很好的接觸界面，可促進奈米晶體在高分子中的分散性，也可以增強兩種材料間的光誘導電荷分離。有機/無機奈米複合材料集合了共軛高分子和奈米晶體的眾多優點，既有共軛高分子的質量輕、可撓性和適用溶劑製程等特點，也有奈米晶體的高電荷遷移率和由形狀、大小調節的光學特性等特點。量子點由於擁有優越的光電特性，近年來亦受到廣大的研究興趣。本研究將四硫富瓦烯基團修飾於硫化鎘量子點表面，製備成有機/無機複合單體(CdS-DMPA)，並利用Suzuki方法與芴單體合成有機/無機共軛高分子複合材料(CdS-DMPAF)，以此高分子複合
材料為製備成有機/無機混合太陽能電池以及化學感測器之運用。本研究所合成出之硫化鎘利用穿透式電子顯微鏡觀察CdS-DMPAF平均粒徑為7.94 nm，而包覆在外的高分子層為2.24 nm，使用紫外光-可見光光譜儀及螢光光譜儀測量CdS-DMPAF的吸收波長為421 nm，發光波長為457~604 nm。在離子辨識方面，發現CdS-DMPAF與Pb2+摻混發現有螢光增強的趨勢；而在不同酸鹼環境下做螢光測試，在弱鹼性環境下，螢光強度逐漸增強，而在強鹼環境下則沒有明顯變化，同時發現在pH為1時，CdS-DMPAF有螢光強度減弱的現象。本研究製備有機太陽能電池ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCB
M:CdS-DMPAF (5:2.5:5 wt%)/Al，並以太陽光模擬器太陽能元件效率，光電轉換效率最高為0.702 %、短路電流為0.502 mAcm-2、開路電壓為0.46 V，未添加量子點的ITO/PEDOT:PSS/P3HT:PCBM (1:1 wt%)/Al光電轉換效率則為1.17 %、短路電流為0.717 mAcm-2、開路電壓為0.35 V與外部量子效率為18.8 %，而將CdS-DMPAF完全取代P3HT與PCBM摻混，隨著PCBM比例之增加而提升效率從1.4 #westeur024# 10-3 %到1.17 #westeur024# 10-2 %。本計畫之結果可提供可再生能
源部分中異質界面摻混太陽能電池以及化學感測器的科學應用與實質製備。
新型二氧化矽粉塵採樣器驗證IOSH95-A104
為了解決xrd角度 的問題，作者蔡朋枝 這樣論述：
結晶型二氧化矽之環境測定因受限分析方法繁複及材料成本因素，而有推行上之困難。本研究研發最佳設計新型濾紙握持器配合現有可呼吸性粉塵採樣器，使粉塵均勻沉積於濾紙上，直接以XRD進行結晶型二氧化矽之定量分析。本研究首先利用NIOSH-7500分析方法處理鑄砂樣本（dae=5 μm），發現銀膜濾紙氣膠之均勻性為0.78，故以此本研究濾紙握持器之設計均勻性目標。本研究將濾紙握持器之改良分為三階段：第一階段改良濾紙握持器出氣端角度（60°、90°、120°）；第二階段改良濾紙握持器長度（12.5、25、50 mm）；第三階段改良濾紙握持器進氣端角度（60°、90°、120°）。第一階段之濾紙握持器
改良，結果發現Nylon 旋風分離採樣器其樣本之均勻性於改良後皆較未改良前（0.39）為佳，出氣端角度增加其均勻性有上升之趨勢（依序為0.43、0.44及0.52）；另 SKC 旋風分離採樣器亦發現如前述相同之趨勢（依序為0.59、0.64、0.66及0.70），唯二者未達本研究之均勻性目標。第二階段改良，發現握持氣長度為12.5 mm時，發現Nylon 旋風分離採樣器之三種出氣端角度之均勻性均有上升之趨勢（依序為0.54、0.58及0.66）；相同之結果亦可於SKC 旋風分離採樣器被發現相同之趨勢（依序為0.68、0.73及0.76）。本研究亦發現，Nylon 旋風分離採樣器（出氣端角度12
0°），其均勻性隨濾紙握持器長度之增加亦有增加之趨勢（依序為0.66、0.70、及0.79）；相同之結果亦發現於SKC旋風分離採樣器（依序為0.76、0.80、及0.85）。最後本研究發現出氣端角度120°及長度50 mm可使均勻性達設計標準。現場驗證中發現Nylony以旋風分離器採樣器搭配前錄設計濾紙握持器採樣，結果發現造模區、拆模區、及噴砂區質樣本均性平均為0.83，較使用傳統濾紙匣佳（0.51）；於SKC旋風分離採樣器亦發現相同之結果（0.87及0.62）。且不論Nylon及SKC於三作業場所其樣本均勻性皆符合本研究之均勻性目標。另本研究亦發現於拆模區所得之樣本分別用NIOSH-7500
及Kohyama分析法分析，結晶型二氧化矽含量平均分別為26.9 %及23.9%，二者未具統計顯著差異，由此可知所研發之採樣器將可有效改善NIOSH-7500樣本處理及成本上之困擾。
TiO2摻雜B/V光觸媒光降解甲苯、甲基乙基酮及甲基藍研究
為了解決xrd角度 的問題，作者廖致民 這樣論述：
目錄指導教授推薦書 i口試委員會審定書 ii致謝 iii摘要 ivAbstract v目錄 vii圖目錄 xii表目錄 xv第一章 緒論 11-1 研究動機 11-2 研究目的 2第二章 文獻回顧 32-1 二氧化鈦介紹 32-1-1 二氧化鈦簡介 32-1-2 二氧化鈦結構 32-2 二氧化鈦光觸媒機制 42-3 光觸媒改質 62-3-1 金屬改質 62-3-2 非金屬改質 72-3-3 金屬和非金屬 82-3-4 非金屬和非金屬 92-4 光觸媒製備方法 1
02-4-3 含浸法(Impregnation) 112-4-4 沉澱法(Precipitation) 112-4-5 物理氣相沉積法(Physical vapor deposition) 122-4-6 化學氣相沉積法(Chemical vapor deposition) 132-5 揮發性有機物處理方式 142-5-1 光觸媒催化法 142-5-2 吸附法 172-5-3 吸收法 172-5-4 冷凝法 172-5-5 燃燒法 182-5-6 生物處理法 182-6 光催化反應理論 192-7 光催化處理程序影響因素
192-7-1 光觸媒負載量 192-7-2 相對溼度 202-7-3 初始濃度 202-7-4 光照強度 212-8 水汙染簡介 212-9 揮發性有機物(Volatile Organic Compounds) 22第三章 研究方法與實驗設備 253-1研究方法 253-1-1光觸媒降解甲苯研究: 253-1-2光觸媒降解甲基乙基酮研究: 263-3 甲基藍光降解實驗裝置 323-4 甲基藍研究方法 323-5 甲基藍光降解實驗步驟 333-6 實驗製備方法 353-6-1 觸媒製備 353-6-
2 光觸媒膜製備 353-7 光觸媒特性分析 363-7-1 UV-Vis吸收光譜分析 363-7-2 PL螢光光譜分析 363-7-3 XRD晶體結構分析 363-7-4 ICP-OES金屬元素分析 373-7-5 FTIR光譜分析 373-7-6 SEM表面分析 383-8 實驗藥品: 383-9 實驗設備 39第四章 結果與討論 414-1光觸媒性質分析 414-1-1 UV-Vis吸收光譜 414-1-2 PL螢光分析光譜 454-1-3 傅利葉紅外線 (FT-IR) 光譜分析 464
-1-4 ICP-OES 硼及釩分析 474-1-5 SEM表面分析 484-1-6 XRD晶體分析圖譜 504-2空白實驗 554-3 光催化反應實驗 574-3-2 可見光照射下之光催化實驗 604-4 實驗參數探討 644-4-1 進料初始濃度影響 644-4-2 滯留時間與濕度影響 674-4-3甲基乙基酮紫外光照射下之光催化實驗 704-4-4甲基乙基酮可見光照射下之光催化實驗 724-3-3 反應動力式參數計算 734-4-5 甲基藍無UV/VIS照光下吸附 764-4-5 探討甲基藍光催化及反應常數
79第五章 結論 82第六章 參考文獻 84圖目錄圖2-1 銳鈦礦和金紅石結構 4圖2-2光觸媒電子電洞對產生示意圖 5圖2-3常用半導體能隙 5圖2-4 光催化機制 9圖2-5 化學氣相裝置 13圖3-1 本實驗研究流程圖 27圖3-2反應器示意圖 29圖3-3實驗系統裝置 30圖3-4甲苯檢量線 30圖3-5甲基乙基酮檢量線 31圖3-7 甲基藍檢量線 34圖3-8 甲基藍實驗裝置 34圖4-1 P25摻雜不同比例硼UV-Vis吸收光譜 42圖4-2 P25摻雜不同比例釩UV-Vis吸收光譜
43圖4-3 P25固定硼含量共摻雜不同比例釩UV-Vis吸收光譜 43圖4-4 P25固定硼含量共摻雜不同比例釩於400~700nm UV-Vis光譜 44圖4-5 P25固定硼含量共摻雜不同比例釩利用UV-Vis吸收光譜計算其能隙值示意圖 44圖4-6 P25摻雜固定硼不同比例釩之螢光吸收光譜 45圖4-7 P25摻雜硼和釩光觸媒FTIR光譜分析 46圖4-8 SEM 表面分析-倍率1000倍 48圖4-9 SEM 表面分析-倍率3000倍 49圖4-10 P25摻雜不同比例硼之XRD分析圖譜 51圖4-11 P25摻雜不
同比例硼之XRD角度20°-30°分析圖譜 51圖4-12 P25摻雜不同比例釩之XRD分析圖譜 52圖4-13 P25摻雜不同比例釩之XRD角度20°-30°分析圖譜 53圖4-14 P25固定硼共摻雜不同比例釩之XRD分析圖譜 53圖4-15 固定硼共摻雜不同比例釩之XRD分析圖譜角度20°-30° 54圖4-16 甲苯反應器入出口 55圖4-17 MEK反應器入出口 56圖4-18 P25摻雜不同比例硼於紫外光下降解效率圖 58圖4-19 P25摻雜不同比例釩於紫外光下降解效率圖 58圖4-20 固定硼比例共摻雜不同比例
釩於紫外光下降解效率圖 59圖4-21 P25共摻雜不同比例硼於可見光下降解效率圖 61圖4-22 P25共摻雜不同比例釩於可見光下降解效率圖 62圖4-23 P25固定硼共摻雜不同比例釩於可見光下降解效率圖 62圖4-24 5%B-1%V-P25不同進口濃度於紫外光催化效率圖 65圖4-25 5%B-0.5%V-P25 不同進口濃度於可見光催化效率圖 65圖4-26 5%B-1%V甲苯初始濃度:100ppmv 68圖4-27 5%B-0.5%V甲苯初始濃度:100ppmv 68圖4-28 5%B-1%V在不同流量與濕度於紫外光下
去除率圖 69圖4-29 不同濕度下5%B-1%V與P25去除率圖 70圖4-30 不同B/V-P25比例與P25去除率圖 71圖4-31 不同B/V-P25比例與P25去除率圖 72圖4-32 動力方程式線性迴歸曲線 74圖4-34 P25摻雜硼於暗室下吸附及光降解甲基藍實驗 76圖4-36 P25共摻雜硼釩於暗室下吸附及光降解甲基藍實驗 77圖4-37 P25摻雜不同比例硼可見光下降解甲基藍 80圖4-38 P25摻雜不同比例釩可見光下降解甲基藍 80圖4-39 P25固定硼共摻雜不同比例釩於可見光下降解甲基藍 80表目
錄表2-1 利用改質後TiO2光降解水污染物整理表 15表2-2 利用改質後TiO2光降解有機揮發汙染物 16表2-3 甲基乙基酮 物質安全資料表 23表2-4 甲苯 物質安全資料表 24表3-1 反應器規格 31表4-1 光觸媒硼及釩含量分析 47表4-2 不同比例硼摻雜量下紫外光之最高去除效率整理表 59表4-3 不同比例釩摻雜量下紫外光之最高去除效率整理表 59表4-4 不同比例共摻雜硼與釩紫外光下之最高去除效率整理表 60表4-5 不同比例硼摻雜量下可見光之最高去除效率整理表 63表4-6 不同比例釩摻雜量下可見光之
最高去除效率整理表 63表4-7 不同比例共摻雜硼與釩可見外光下之最高去除效率整理表 63表4-8 5%B-1%V-P25紫外光催化下不同濃度去除率整理表 66表4-9 5%B-0.5%V-P25可見光催化下不同濃度去除率整理表 66表4-10 不同濕度範圍共參雜觸媒對甲苯去除率整理表 69表4-11 可見光下反應常數k值整理表 81表4-12 可見光下反應常數k值整理表 81