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半導體氫化表面之表面振動動力學

為了解決vram釋放的問題，作者蔡枝松 這樣論述：

此篇論文敘述利用紅外線吸收光譜(IR absorption)及表面拉曼散射(surface Raman scattering)技術來研究半導體氫化表面的表面振動動力學。經由分析光譜中的 XH/D (X=C, Si, 及 Ge) 在不同溫度下伸展振動(stretching)譜帶形狀的變化關係，研究其振動能階的能量鬆弛(energy relaxation)及去相位(dephasing)的動力學。所測定得的鑽石表面CD振動能緩解時間約為 ~3x10^-13 秒，此為所有半導體和絕緣體表面之吸附分子系統中最短者。此超快能量鬆弛速率，源自於強烈的聲子-聲子間耦合機制及其在鑽石表面的能量鬆弛過程為雙聲子

(two-phonon)釋放程序。拉曼光譜技術被應用於單晶矽及鍺氫化表面的測量, 以研究其振動去相位動力學。我們利用單式去相位模型(single-mode dephasing model)分析振動光譜的頻率移動及其線寬變化，獲得交換頻率(exchange-mode frequencies)及其耦合強度(coupling strength)。我們經由比較在矽 (100) 氫化表面的頻率及時間域上的實驗結果，而推論出多式去相位模型(multi-mode dephasing model)可以解釋兩者間之歧異。並且我們發現在 X(100) 面的XH伸展振動頻率的交換頻率與彎曲振動(bending)頻率

相吻合。另一方面，X(111) 氫化表面的交換頻率則位於晶體聲子投射於表面之頻譜(projected bulk phonon spectrum)中。此種去相位交換頻率與表面結構之相依性發現與晶格表面結構鬆弛(structure relaxation)及其對應之對稱性變化有關聯。此結果也由半導體氘化表面實驗結果進一步確認。根據吸附分子表面的對稱性，我們得以分析出其在表面聲子光譜中的交換頻率。並且利用高靈敏的拉曼光譜技術, 我們得以分析由濺射(sputtering)及退火(annealing)所製備的良序(well-ordered) Ge(111) 氫化表面的特性。