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國立交通大學 材料科學與工程學系 許鉦宗所指導 黃柏鈞的 多晶矽奈米線環繞式閘極薄膜電晶體之研究 （2011），提出vga線1m關鍵因素是什麼，來自於薄膜電晶體、環繞式閘極、矽奈米線。
而第二篇論文國立臺北科技大學 光電工程系研究所 林世穆所指導 劉侑昕的 3D取像鏡頭設計 （2010），提出因為有 3D鏡頭、立體鏡頭、鏡頭設計的重點而找出了 vga線1m的解答。
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ThinkPad使用大全：商用筆電王者完全解析
為了解決vga線1m 的問題，作者GalaxyLee 這樣論述：
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多晶矽奈米線環繞式閘極薄膜電晶體之研究
為了解決vga線1m 的問題，作者黃柏鈞 這樣論述：
在本論文中探討了一些技術來達到在系統面板上對高效能的低溫多晶矽薄膜電晶體的需求。主要的概念是利用多重閘極(multiple gate)的結構配合氨電漿(NH3 plasma)的處理來改善元件特性。本論文探討了多晶矽奈米線環繞式閘極薄膜電晶體(gate-all-around polycrystalline silicon nanowire thin-film transistors)的特性。和傳統的薄膜電晶體相比，提出的環繞式閘極薄膜電晶體對氨電漿處有更好的效率並展現出了優越的特性，如較低的臨界電壓(-0.38 V)、陡翹的次臨界斜率(114 mV/dec)、高電流開關比(>108)、和較低的
汲極引發能障降低效應(13 mV/V)。此外由於低溫多晶矽薄膜電晶體本身材料的限制，元件和元件間的特性差異變的特別嚴重，而這也限制了其在系統面板上的應用。針對這個問題，本論文也探討了多重閘極和多通道結構對元件變異性的影響。由實驗結果發現除了閘極結構對變異性會有影響，結合增加通道的數目可以更進一步有效的降低元件間的電性差異。由本實驗發現當利用環繞式閘極結構並配合16個以上的通道可以使元件特性有最低的標準差(臨界電壓和次臨界斜率的最低標準差分別是30 mV和11.4 mV/dec)。此外，本研究也實現了有記憶體功能的SONOS (Silicon-Oxide -Nitride-Oxide-Silic
on)型式的環繞式閘極薄膜電晶體。由於角落電場效應(corner effect)， 提出的SONOS型式的環繞式閘極薄膜電晶體在記憶體的寫入抺除特性上有良好的表現。其中在寫入特性上，閘極電壓16 V且操作時間16 μs下可以有1.27 V的臨界電壓變化。而在抺除特性上，可以在閘極電壓-17 V且操作時間1 ms下可以有0.5 V的臨界電壓變化。
3D取像鏡頭設計
為了解決vga線1m 的問題，作者劉侑昕 這樣論述：
本篇論文主要是設計出以一套光學系統和一個影像感應器來擷取二個影像產生3D立體的取像光學鏡頭。3D立體取像光學系統主要分為兩個部分：雙鏡頭和主鏡頭。雙鏡頭採用伽利略式的無焦光學系統，主鏡頭則採用雙高斯結構。3D光學系統會使左右視場影像分別成像在一個影像感應器的左右兩側。影像感應器以空間多工的方式，也就是一畫框二畫面式，使左右影像畫面成像在一個影像感應器上。主要是把影像感應器分成左右兩個畫面，可以達到同時左右影像攝影。 探討3D鏡頭的設計原理，從鏡頭間距、選定光角到3D系統設計。由影像感應器提供的規格為設計出發點，分別設計出VGA、1M和2M等級的3D鏡頭。本論文的實施例適合應用在3D相機
和3D攝影機的設計上，提供一種3D鏡頭的設計方案。