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另外網站USB Mass Storage Linux driver installation也說明：The following instructions can be applied for USB Mass Storage devices (Bulk Only Transport Devices) only. 1. Log in as root. 2. Plug in the device.

輔仁大學 應用科學與工程研究所博士班 白英文所指導 鄭竣鴻的 降低筆記型電腦內系統模組的功耗 （2018），提出usb mass storage dev關鍵因素是什麼，來自於筆記型電腦、模糊控制、光感測器、電池續航力、降低功耗、節約能源。

而第二篇論文國立中興大學 材料科學與工程學系所 薛顯宗所指導 邱聖哲的 不同製程參數對以電漿輔助化學氣相沉積法製備氟化非晶質碳膜性質之影響 （2010），提出因為有 電漿輔助化學氣相沉積、氟化非晶質碳、疏水性、微結構的重點而找出了 usb mass storage dev的解答。

最後網站Issues with USB Mass Storage Device and Windows 10則補充：Go to your device manufacturer's website, and use the drivers provided by them. Also, I do not open attachments from third party sites.

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了usb mass storage dev，大家也想知道這些：

降低筆記型電腦內系統模組的功耗

為了解決usb mass storage dev的問題，作者鄭竣鴻 這樣論述：

本論文研究的靈感則是針對筆記型電腦的架構上去改善能源消耗的問題。若是能在設計上進一步的考量，在某種程度上也有效改善功率消耗減少不必要的能源損失，則對筆記型電腦而言會間接帶來電池續航力的改變，藉由降低功耗來間接延長本身的電池續航力是值得去探討研究。由於高峰時段的電費較高，第2章我們提出了新的設計，以自動方式將充電時段轉移到非高峰時段。 另外，該設計為電池設定了上限，從而保護電池並防止電池保持在高溫和高電壓的連續狀態。 該設計使用低功耗嵌入式控制器（EC）和模糊邏輯控制器（FLC）控制方法作為主要控制技術以及RTC IC。 EC的感測值和參數的設定用於控制AC / DC模組的轉換。 該使用者界面

設計允許用戶不僅設置峰值/非峰值時段而且還設置電池的上限使用限制。在第3章，我們在筆記型電腦裡加入BIOS與低功率嵌入式控制器（EC），以實現動態調整並且維持筆記型電腦在電池模式的效能水準。為了延長電池模式下的操作時間，通常筆記型電腦將直接降低CPU頻率然後降低其效能。我們的設計可以通過同時使用EC和BIOS來實現CPU和GPU頻率的動態控制，將系統效能保持在足夠高的水準，在高解析的遊戲中獲得效能和系統功耗的平衡效果。相比之下，為了保持一定的筆記型電腦效能，就電池壽命而言，有必要進行一些取捨。在第4章中，我們提出改進的設計使用了一個模糊邏輯控制器（FLC），它使用了光感測器，另外還有一個嵌入式

控制器（EC）來感應環境亮度並自動調整移動式電腦的背光亮度等級，讓使用者的眼睛在任何不同的環境亮度下都會感到舒適。此外，其他的應用程序模組同時在後台模式下執行，以補償方式使用FLC控制會導致輕微對比度降低和LCD面板的顏色變化。在電腦系統中利用光感測器，可以感測任何環境的亮度，我們也提供FLC方法來做自動調節背光亮度的設計。通過將光感測器連接到低功率嵌入式控制器(EC)，該設計通過光感測器和FLC的輸入亮度值來做測量環境亮度，並與EC一起調節背光亮度，並藉由輸出值發送相對應的輸出值環境亮度，範圍從25％到90％。總而言之，這種設計降低了移動計算機的LCD面板的功耗而不降低顯示品質。在第5章中，

我們設計了EC控制功能，以動態調整USB Type-C裝置的輸出電流。該設計方法已應用於智慧型手機的充電控制功能。因此，本文提出的設計方法具有降低筆記本電腦的設計成本並用EC取代舊有硬體電路的優點。新增了動態電流限制控制，允許智慧型手機以不同的方式充電，充電電流的高或低，取決於USB Type-C裝置的功耗。

不同製程參數對以電漿輔助化學氣相沉積法製備氟化非晶質碳膜性質之影響

為了解決usb mass storage dev的問題，作者邱聖哲 這樣論述：

本文主要是以電漿輔助化學氣相沉積法製備氟化非晶質碳膜(a-C:F)，並探討a-C:F碳膜性質之影響。以六氟乙烷(C2F6)、乙炔(C2H2)以及氬氣(Ar)做為前驅氣體。工作壓力、基板溫度以及射頻功率分別設定為33.3 Pa、293 K(20℃)以及100 W。此外，將C2H2以及(C2F6+Ar)之流量分別固定為10 sccm與10 sccm， 而C2F6/(C2F6+Ar)比例分別為0、20、40、60、80與100 %。實驗結果顯示，當C2F6/(C2F6+Ar)比例由0 %增加至100 %時，沉積速率會由111 nm/min增加至215 nm/min。當C2F6/(C2F6+Ar)比

例由0 %增加至20 %時，C-C以及C-Hx鍵結會轉變為C-F鍵結。然而，當C2F6/(C2F6+Ar)比例由20 %增加至100 %時，C-F鍵結會轉變為C-F2以及C-F3鍵結。當C2F6/(C2F6+Ar)比例由0 %增加至100%時，光學能隙值會從0.84 eV上升至2.39 eV，水接觸角度會由61°增加至90°，不過表面能會從45.0 mN/m下降至20.6 mN/m。結果指出當C2F6加入至C2H2中，a-C:F薄膜會轉變為類高分子結構且變得更加具有疏水性。當C2F6/(C2F6+Ar)比例為100 %時，射頻功率從50 W增加至150 W時，碳膜的沉積速率從159 nm/mi

n增加至230 nm/min；碳膜結構中的C-Fx鍵結會增加，而光學能隙值會從2.25 eV上升至2.56 eV。此外，當射頻功率從150 W增加至250 W時，碳膜的沉積速率從230 nm/min減少至90 nm/min；碳膜結構中的C-Fx鍵結會減少而F2C=C鍵結會增加。光學能隙值從2.56 eV下降至2.00 eV，碳膜結構會趨向類石墨化結構。當C2F6/(C2F6+Ar)比例為100 %時，工作壓力從33.3 Pa增加至66.7 Pa時，電漿中的氣體自由平均路徑變小，導致結構較為無序化。而在工作壓力為66.7 Pa時，碳膜具有一最大水接觸角度102.3°，這個結果指出碳膜會趨向於疏水

性質。

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