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國立陽明交通大學 電子物理系所 趙天生所指導 陳威諺的 應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響 （2021），提出type c dac晶片關鍵因素是什麼，來自於多晶矽、應力、閘極全環繞電晶體、結晶性、可靠度。
而第二篇論文元智大學 電機工程學系甲組 林鴻文、彭朋瑞所指導 林江瑋的 具有五階前饋式等化器之四階振幅脈衝八位元數位類比轉換器之112-Gb/s傳送機於四十奈米CMOS製程 （2021），提出因為有 傳送機、數位類比轉換器、四階脈衝振幅調變、取樣轉態點的重點而找出了 type c dac晶片的解答。
type c dac晶片進入發燒排行的影片
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ROG Delta S 顧名思義就是 Delta 系列的升級版，保留前一代的 USB Type-C 連接線以及虛擬 7.1 環繞聲道之外，這次的重點就是那顆內建的 ESS 9281 Pro 四核心 DAC 晶片，藉此充分解析 MQA 高音質音源。
雖說可以解析 MQA 但也不是隨便就能開啟仍有條件在，這次影片除了從影音娛樂揭露 ROG Delta S 的規格與優缺點，也同場加映 AI Noise-Canceling Mic Adapter 外接式降噪音效卡，讓你家的 3.5mm 耳麥都能享受 AI 降噪帶來的寧靜！
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::: 章節列表 :::
➥ 外觀 & 配戴
00:00 ROG 宇宙
00:51 耳機開箱
01:19 外觀布局
03:19 配戴收納
➥ 規格 & 實測
03:46 通話實測
05:46 音質實測
07:00 遊戲延遲
07:56 影音體驗
➥ 最後總結
08:21 最後總結
::: ASUS ROG Delta S 規格 :::
建議售價：NT$5,890
產品保固：2 年
有線連接：
USB-C 線 ─ 線長 1.5m
USB 2.0 轉接線 ─ 1m
單體大小：50mm ASUS Essence 動圈
耳機訊噪比：130dB
耳機阻抗：32Ω
頻率響應：20 - 40kHz
Hi-Fi DAC：ESS 9281 Pro 四核心
麥克風類型：AI Noise Cancelling Microphone
麥克風單體：6mm
麥克風類型：單指向性
麥克風靈敏度：-40 ± 3dB
其他功能：虛擬 7.1 聲道、MQA 解碼、Aura RGB 燈效、支援多平台相容
::: ASUS AI Noise-Canceling Mic Adapter 規格 :::
建議售價：NT$1,690
產品保固：2 年
連接方式：3.5mm to Type-C / USB 2.0
輸出訊號：96 / 88.2 / 48 / 44.1kHz / 24-bit DAC
輸入訊號：48 / 44.1kHz
降噪技術：AI Noise Cancellation 內嵌式降噪晶片
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應力對於側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體結晶性及可靠度之影響
為了解決type c dac晶片 的問題，作者陳威諺 這樣論述：
多晶矽因為其易堆疊性與低製程熱預算而被視為未來有機會實現三維晶片的材料，然而，多晶矽因結晶性較差而有較低的載子遷移率，進而影響其電性表現。為了使多晶矽元件能達到三維晶片電性需求，提升多晶矽結晶性成為實現三維晶片的重要的課題。在本篇論文中，我們成功製作出側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體，並利用改變上層氮化矽厚度施加更大的應力於通道，藉此製作出結晶性更佳的電晶體。我們製作出上層氮化矽為 40 奈米、60 奈米及 80 奈米的多晶矽電晶體，並透過材料分析與電性比較來研究應力與結晶性的關係。研究發現，上層氮化物為 60 奈米之元件因其在結晶時感受到最大的應力，所以結晶速度最慢，最慢的結晶速度能成長出
最大的晶粒與最少的結晶缺陷。透過材料分析與電性量測，我們證實了上層氮化物為 60 奈米之元件有最好的結晶性與電性。此外，我們對不同上層氮化物厚度的側壁鑲嵌式閘極全環繞多晶矽電晶體的溫度穩定性、閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度做了深入的研究。上層氮化物為 60 奈米之元件因其結晶性較佳所以有較好的通道與閘極氧化層介面，因此在高溫時有較少的次臨界擺幅衰退；也因其有較佳的結晶性與較少的晶界，晶界導致的電場加強效應較不明顯，因此展現出較佳的閘極偏壓可靠度與熱載子可靠度。此外，因為熱載子造成的碰撞解離相比於閘極偏壓時的主要衰退機制-氧化層電荷捕獲有更低的活化能，因此熱載子可靠度對結晶性有更高的敏感度。總結來
說，調變應力能大幅提升元件電性與可靠度，適合應用於未來三維晶片製程。
具有五階前饋式等化器之四階振幅脈衝八位元數位類比轉換器之112-Gb/s傳送機於四十奈米CMOS製程
為了解決type c dac晶片 的問題，作者林江瑋 這樣論述：
本論文提出之112-Gb/s 四階脈衝振幅調變傳送機，整體架構採用數位轉類比式設計，其優點透過調整數位電路的運算，能靈活地更改訊號的調變模式(本論文設計包含不歸零模式及四階脈衝振幅調變模式)，且能設計出任意數量標記的補償功能，而此次論文之前饋式等化器設計為五個標記，來確保輸出端之補償性。傳送機詳細電路設計分為數位及類比兩部分，數位部分包含偽隨機二進位數列產生器及五標記有限脈衝響應產生器，類比部分包含64:8多工器、8:4多工器、單端轉差動轉換器、4:1多工器、電流模態驅動器、相位內插器、工作週期校正器、四相位除頻器。而本次提出之4:1多工器，有幾個特點，第一，在差動對源極端加入一顆P型電晶體
，以加速差動對電晶體關閉速度來提升頻寬，第二，使用了25%工作週期的脈衝來取樣資料的轉態點，以此降低時脈路徑上的功率消耗。傳送機採用40-nm技術製造，晶片量測時使用晶片直接封裝(Chip On Board, COB)的方式進行量測，晶片面積為0.7482 mm^2，112-Gb/s 四階脈衝振幅調變傳送機各功能皆正常運作，速度操作在最高速112-Gb/s時功耗為268-mW，電源效率為2.39 pJ/bit，而改為不歸零模式時56Gb/s時功耗為247-mW。