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明志科技大學 材料工程系碩士班 張奇龍所指導 黃世宇的 高功率脈衝磁控濺射製程靶材輸出與同步偏壓脈衝時序沉積氮化物性能之效應 （2021），提出stellite中文關鍵因素是什麼，來自於高功率脈衝磁控濺鍍、氮化鈦、氮化鋁鈦、同步偏壓、觸發延遲、偏壓脈衝寬度。
而第二篇論文正修科技大學 機電工程研究所 李政男所指導 葉鉦稜的 Inconel 718 積層製造之製程參數對機械性質影響 （2020），提出因為有 積層製造、Inconel 718粉末、雷射直接能量沉積的重點而找出了 stellite中文的解答。
高功率脈衝磁控濺射製程靶材輸出與同步偏壓脈衝時序沉積氮化物性能之效應
為了解決stellite中文 的問題，作者黃世宇 這樣論述：
本研究利用高功率脈衝磁控濺射(High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS)系統且使用Ti靶搭配具有HiPIMS同步設定或延遲的偏壓系統沉積氮化物薄膜於碳化鎢(WC)與矽晶片(100)。並探討TiN薄膜在不同偏壓觸發延遲時間下對薄膜微結構與機械性質的影響。I. 偏壓為同步觸發延遲模式之TiN膜層效應透過高功率脈衝磁控濺鍍且偏壓設定在同步模式下使用觸發延遲功能，藉由改變觸發延遲時間(0 μs、50 μs、100 μs、150 μs)變化時沉積的 TiN 薄膜，並探討延遲偏壓的放電時序條件對 TiN 薄膜的成分、微觀結構和附著性的影響。薄膜的厚
度取決於偏壓電流和電壓值，EPMA 和 XRD 分析結果表明，同步偏壓導致鈦含量高的 TiN 具有(111)優選取向，而直流偏壓導致氮含量高的 TiN 具有(220)優選取向。當偏壓系統由直流轉變為同步時，TiN薄膜的殘留應力從-6.7 GPa降低到-4.0 GPa，提高了薄膜與基材的附著性。在 0 μs 的觸發延遲時間獲得硬度 (31.1 GPa)、楊氏係數 (561 GPa)、附著性 (83.7 N) 和最低磨耗率 (3 × 10−6mm3N−1m−1) 的最佳結果。II. 同步偏壓模式之AlTiN膜層效應透過高功率脈衝磁控濺鍍及同步偏壓結合觸發延遲功能與偏壓輸出時間，藉由TD0與TD5
0改變偏壓輸出時間(3%、6%、12%、18%)沉積AlTiN膜層，並探討偏壓的放電時序條件對AlTiN膜層的成分、微觀結構和附著性的影響。FE-SEM分析結果表明TD50, on 3%會有最高沉積速率為22.11 nm/min。EPMA與XRD的結果表明當Al比值x為0.71~0.74會導致h-AlN結構產生。TEM與奈米壓痕分析結果表明，直流偏壓轉變為同步偏壓提升偏壓輸出時間會使AlTiN晶粒細化約20 nm~30 nm，使硬度提升從22.7提升至24.7 GPa、殘留應力從-0.81 GPa提升至-1.04 GPa，並在TD0, on 6%時獲得最低殘留應力(-0.24 GPa)和最佳附
著性(54.8 N)。
Inconel 718 積層製造之製程參數對機械性質影響
為了解決stellite中文 的問題，作者葉鉦稜 這樣論述：
積層製造有許多的種類，其中本文所使用的方式為直接能量沉積(DED)，積層製造其備有客製化、建構複雜幾何、降低工具成本、減少材料浪費等，不必像傳統減法製造需要大量移除材料，並可以一體成形降低其生產時間及生產成本，也降低零組件帶來的誤差，雖然加法製造有許多的優點，但仍有許多的地方需要克服。本論文說明Inconel 718積層製造之參數影響材料機械性質。將雷射功率定在800w調整雷射掃掠速度(600、700、800、1000mm/min)及供粉率(15、12、10.5、9g/min)，再透過線切割將實驗品剖切下來，利用金相顯微鏡及3D數位電子顯微鏡觀察不同參數下，金屬積層製造所加工出來的單道及多道
熔覆結果，包括觀察其雷射加工的熔融狀態以及其孔隙率及底板稀釋率，將較優的參數加工成拉伸試棒並與原材料進行強度比較，同時分析其微結構之差異。