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sram電路的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦張勇寫的 ARM Cortex-M3嵌入式開發與實踐--基於STM32F103 可以從中找到所需的評價。
另外網站SRAM 與DRAM - gugod's blog也說明：而由於其記憶單位在電路方面設計因素，只要去進行一次讀取，就算是成了一次refresh 的動作了。 SRAM 與DRAM 有何不同. SRAM (Static RAM) 與DRAM 的主要 ...
國立中山大學 電機工程學系研究所 王朝欽所指導 郭千平的 人工智慧應用之超低功耗單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體與高效率神經網路硬體加速器 （2021），提出sram電路關鍵因素是什麼，來自於單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體、低功耗、靜態雜訊邊際、位元存取耗能、神經網路加速器。
而第二篇論文國立中央大學 電機工程學系 胡璧合、李依珊所指導 蘇正瑋的 考慮後段製程連線及佈局優化之積層型三維靜態隨機存取記憶體 （2020），提出因為有 積層型三維堆疊、二維材料、後段製程、靜態隨機存取記憶體、能量效率的重點而找出了 sram電路的解答。
最後網站性能媲美SRAM的新式内存——TCAM - 电子工程专辑則補充：Leti研究人员基于RRAM的TCAM电路，据称其性能媲美基于CMOS的SRAM，且适于多核心的神经形态网络处理器应用…
ARM Cortex-M3嵌入式開發與實踐--基於STM32F103
為了解決sram電路 的問題，作者張勇 這樣論述：
張勇編著的《ARM Cortex-M3嵌入式開發與實踐--基於STM32F103/電子設計與嵌入式開發實踐叢書》基於ARMCortex-M3內核微控制器STM32F103和嵌入式實時操作系統μC/OS-Ⅱ，詳細講述嵌入式系統的硬件設計與軟件開發技術，主要內容包括嵌入式系統概述、STM32F103微控制器、STM32F103學習平台、LED燈控制與KeilMDK工程框架、按鍵與中斷處理、定時器、串口通信、存儲器管理、LCD屏與溫/濕度傳感器、μC/OS-Ⅱ系統與移植、μC/OS-Ⅱ任務管理、信號量與互斥信號量、消息郵箱與消息隊列等。本書的特色在於理論與應用緊密結合，實例豐富，對於基於STM32F
1系列微控制器及嵌入式實時操作系統μC/OS-Ⅱ的教學和工程應用，都具有一定的指導和參考價值。本書可作為普通高等院校物聯網、電子工程、通信工程、自動化、智能儀器、計算機工程和嵌入式控制等相關專業的高年級本科生教材，也可作為嵌入式系統愛好者和工程開發技術人員的參考用書。 第1篇 STM32F103硬件系統與Keil MDK工程第1章 嵌入式系統概述1.1 嵌入式系統范例1.2 嵌入式系統概念1.2.1 嵌入式系統與ARM的關系1.2.2 嵌入式系統與嵌入式操作系統的關系1.2.3 嵌入式系統研發特點1.3 ARM發展歷程及應用領域1.3.1 ARM發展史及命名規則1.3.2
ARM微處理器系列1.3.3 ARM微處理器應用領域1.4 嵌入式操作系統1.4.1 Windows CE1.4.2 VxWorks1.4.3 嵌入式Linux1.4.4 Android系統1.5 μC/OS-Ⅱ與μC/OS-Ⅲ1.5.1 μC/OS發展歷程1.5.2 μC/OS-Ⅱ特點1.5.3 μC/OS-Ⅲ特點1.5.4 μC/OS應用領域1.6 本章小結習題第2章 STM32F103微控制器2.1 STM32F103概述2.2 STM32F103ZET6引腳定義2.3 STM32F103架構2.4 STM32F103存儲器2.5 STM32F103片內外設2.6 STM32F103異常
與中斷2.7 本章小結習題第3章 STM32F103學習平台ARM Cortex?M3嵌入式開發與實踐——基於STM32F1033.1 STM32F103核心電路3.2 電源電路與按鍵電路3.3 LED與蜂鳴器驅動電路3.4 串口通信電路3.5 Flash與EEPROM電路3.6 溫/濕度傳感器電路3.7 LCD屏接口電路3.8 JTAG與復位電路3.9 SRAM電路3.10 本章小結習題第4章 LED燈控制與Keil MDK工程框架4.1 STM32F103通用目的輸入/輸出口4.1.1 GPIO寄存器4.1.2 AFIO寄存器4.2 STM32F103庫函數用法4.3 Keil MDK工程
框架4.4 LED燈閃爍實例4.4.1 寄存器類型工程實例4.4.2 庫函數類型工程實例4.5 本章小結習題第5章 按鍵與中斷處理5.1 NVIC中斷工作原理5.2 GPIO外部輸入中斷5.3 用戶按鍵中斷實例5.3.1 寄存器類型工程實例5.3.2 庫函數類型工程實例5.4 本章小結習題第6章 定時器6.1 系統節拍定時器6.1.1 系統節拍定時器工作原理6.1.2 系統節拍定時器實例6.2 看門狗定時器6.2.1 窗口看門狗定時器工作原理6.2.2 窗口看門狗定時器寄存器類型實例6.2.3 窗口看門狗定時器庫函數類型實例6.3 實時時鍾6.3.1 實時時鍾工作原理6.3.2 實時時鍾寄存器
類型實例6.3.3 實時時鍾庫函數類型實例6.4 通用定時器6.4.1 通用定時器工作原理6.4.2 通用定時器寄存器類型實例6.4.3 通用定時器庫函數類型實例6.5 本章小結習題第7章 串口通信7.1 串口通信工作原理7.2 STM32F103串口7.3 串口通信寄存器類型實例7.4 串口通信庫函數類型實例7.5 本章小結習題第8章 存儲器管理8.1 SRAM存儲器8.1.1 訪問SRAM存儲器寄存器類型實例8.1.2 訪問SRAM存儲器庫函數類型實例8.2 EEPROM存儲器8.2.1 訪問EEPROM寄存器類型實例8.2.2 訪問EEPROM庫函數類型實例8.3 Flash存儲器8.3
.1 STM32F103同步串行口8.3.2 W25Q128訪問控制8.3.3 訪問Flash存儲器寄存器類型工程實例8.3.4 訪問Flash存儲器庫函數類型工程實例8.4 本章小結習題第9章 LCD屏與溫/濕度傳感器9.1 LCD屏顯示原理9.2 溫/濕度傳感器9.3 LCD顯示實例9.3.1 寄存器類型實例9.3.2 庫函數類型實例9.4 本章小結習題第2篇 嵌入式實時操作系統μC/OS-Ⅱ第10章 μC/OS-Ⅱ系統與移植10.1 μC/OS-Ⅱ系統移植10.2 μC/OS-Ⅱ系統結構與配置10.3 μC/OS-Ⅱ系統任務10.3.1 空閑任務10.3.2 統計任務10.3.3 定時器
任務10.4 本章小結習題第11章 μC/OS-Ⅱ任務管理11.1 μC/OS-Ⅱ用戶任務11.2 μC/OS-Ⅱ多任務工程實例11.3 統計任務實例11.4 系統定時器11.5 本章小結習題第12章 信號量與互斥信號量12.1 μC/OS-Ⅱ信號量12.2 μC/OS-Ⅱ互斥信號量12.3 信號量與互斥信號量實例12.4 本章小結習題第13章 消息郵箱與消息隊列13.1 μC/OS-Ⅱ消息郵箱13.2 μC/OS-Ⅱ消息隊列13.3 消息郵箱與消息隊列實例13.4 本章小結習題參考文獻
人工智慧應用之超低功耗單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體與高效率神經網路硬體加速器
為了解決sram電路 的問題，作者郭千平 這樣論述：
近年來人工智慧(AI)已經成為全世界最熱門議題之一，但也遇到瓶頸，如硬體架構的發展。而未來以人工智慧的發展來說，資料量將會是爆炸性的成長，其使用的能量也會迅速提升，故硬體架構大幅降低功耗將成為AI非常重要的發展與研究目標。本論文第一個主題提出一超低功耗且高靜態雜訊邊際之單端讀寫6T靜態隨機存取記憶體，主要為了解決以前單端靜態隨機存取記憶體所產生的低靜態雜訊邊際(SNM)不足之問題，此設計中提出利用上拉(pull-up)~PMOS和高Vthn NMOS當作開關，使得記憶體單元不再受到雜訊的干擾。除此之外，還在位線(BL)與反位線($\rm\overline{BL}$)之間加入新設計之正回授感測
運算放大器(PFOS)，以減少讀取時間的延遲，也藉此產生全擺幅輸出。另外加入電壓模式選擇電路(VMS)，從而降低了整體的待機功耗。最後以TSMC 40~nm CMOS製程實現，量測結果與模擬結果符合都能達到200 MHz的操作頻率，而量測結果的energy/access和energy/bit分別為0.2313 pJ、 0.00723 pJ。本論文第二個主題提出一個應用於物件偵測之低功耗高效能神經網路硬體加速器，此設計提出新型用於控制DMA~(AXI wapper)硬體架構以及新的Reshape模組的中介控制器(Inter-Controller)，而新的Reshape模組係以輸入靜態隨機存取記憶
體內的各個像素進行重新排列，並連同進行Padding的方式，展示一新式低功耗且高效能的硬體加速器。量測結果證實效能(GOPS)為40.96，功耗則為196.8 mW。
考慮後段製程連線及佈局優化之積層型三維靜態隨機存取記憶體
為了解決sram電路 的問題，作者蘇正瑋 這樣論述：
隨著製程技術的演進、EUV(Extreme ultraviolet lithography)的引進，使電晶體可以進一步微縮，並讓晶片上可以容納更多的電晶體，與此同時，內部繞線(Interconnect)的結構也勢必變小，因此增加了後段製程(BEOL)的金屬電阻值，這樣的情況會使電路的特性變差。因此，本論文利用積層型三維(Monolithic 3D)堆疊技術，設計三維的靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)電路佈局來改善其特性。 本論文主要探討的電路是SRAM，利用TCAD的Mixed-Mode及內部導線模型(π-3 Model)來分析SRA
M的電路特性。論文內容分為三個主題，第一部分會探討先進技術節點下內部導線的微縮對SRAM電路所產生的影響，研究結果顯示內部導線電阻值的增加會延長傳輸訊號的時間使SRAM電路特性有顯著的退化。第二部分，我們利用Transistor-Level積層型三維堆疊來設計SRAM，Transistor-Level積層型三維堆疊是將P型跟N型電晶體製作在不同的平面上，可以調整製作流程並獨立優化電晶體特性，不但能縮小SRAM的單元(cell)面積也能減少內部導線的繞線長度，使字元線及位元線的電阻電容值降低，考慮在一/二/三層的積層型三維SRAM的佈局下，分析SRAM cell的讀取存取時間(Read acce
ss time)、寫入時間(Time-to-write)、動態能量消耗及能量延遲積。 第三部分，我們探討未來具有潛力的通道材料—二維材料，分析不同閘極位置的二氧化鉬場效電晶體及積層型三維堆疊的6T SRAM佈局優化，再比較由背閘極式場效電晶體組成的積層型三維SRAM的特性，由分析結果可得知三層積層型三維SRAM與一層相比可以改善28.4%讀取存取時間、21.3%動態能量及43.6%能量延遲積，並增強寫入的穩定度。本篇論文提出的高能量效率背閘極式三層積層型三維SRAM，具有更好的潛力應用在邊緣運算裝置中。