歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
sram製程的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理
sram製程的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦劉傳璽,陳進來寫的 半導體元件物理與製程：理論與實務(四版) 和Sung-MoKang,YusufLeblebici,ChulwooKim的 CMOS數位積體電路分析與設計(4/e)都 可以從中找到所需的評價。
另外網站新聞室- 聯華電子 - UMC也說明：根據聯電的技術藍圖(Technology roadmap)，適用於0.15 微米及0.18 微米製程並經驗證過的1T-SRAM 技術，可望在2003 年第一季提供；而適用於0.13 微米及90 ...
這兩本書分別來自五南 和東華所出版 。
國立清華大學 電子工程研究所 龔正所指導 楊龍楷的 液晶顯示器背光燈管驅動電路積體化之研製 （1999），提出sram製程關鍵因素是什麼，來自於冷陰極螢光燈管、壓電變壓器換流器、方波產生器、功率金氧半開關。
最後網站半導體存儲器的類型 - 大大通則補充：成本較高但是速度快，通常用於資料暫存，常見的有DRAM,SRAM 非揮發性記憶 ... 碟、SSD等，NAND Flash隨著製程技術不斷進化、單位容量成本不斷下降的 ...
半導體元件物理與製程：理論與實務(四版)
為了解決sram製程 的問題，作者劉傳璽,陳進來 這樣論述：
以深入淺出的方式，系統性地介紹目前主流半導體元件(CMOS)之元件物理與製程整合所必須具備的基礎理論、重要觀念與方法、以及先進製造技術。內容可分為三個主軸：第一至第四章涵蓋目前主流半導體元件必備之元件物理觀念、第五至第八章探討現代與先進的CMOS IC之製造流程與技術、第九至第十二章則討論以CMOS元件為主的IC設計和相關半導體製程與應用。由於強調觀念與實用並重，因此儘量避免深奧的物理與繁瑣的數學；但對於重要的觀念或關鍵技術均會清楚地交代，並盡可能以直觀的解釋來幫助讀者理解與想像，以期收事半功倍之效。 本書宗旨主要是提供讀者在積體電路製造工程上的know-how與know-wh
y；並在此基礎上，進一步地介紹最新半導體元件的物理原理與其製程技術。它除了可作為電機電子工程、系統工程、應用物理與材料工程領域的大學部高年級學生或研究生的教材，也可以作為半導體業界工程師的重要參考 本書特色 ●包含實務上極為重要，但在坊間書籍幾乎不提及的WAT，與鰭式電晶體(Fin-FET)、環繞式閘極電晶體(GAA-FET)等先進元件製程，以及碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)功率半導體等先進技術。 ●大幅增修習題與內容，以求涵蓋最新世代積體電路製程技術之所需。 ●以最直觀的物理現象與電機概念，清楚闡釋深奧的元件物理觀念與繁瑣的數學公式。 ●適合大專以上學
校課程、公司內部專業訓練、半導體從業工程師實務上之使用。
液晶顯示器背光燈管驅動電路積體化之研製
為了解決sram製程 的問題，作者楊龍楷 這樣論述：
我們正邁向一個嶄新前衛的資訊電子時代，以前適用的隨著時代巨輪的推進，將慢慢被取而代之。目前LCD液晶顯示器已逐漸地淘汰傳統CRT映像管螢幕。產業界亦有越來越多的廠商投入此一行列之中，而筆記型電腦更是視LCD為標準配備，未來可想而知必是LCD的天下。而LCD的發光源主要是採用背光光源(Backlighting)，使用材料為冷陰極螢光燈管(CCFL)。且照明能力的好壞決定LCD的優劣，所以良好的燈管驅動IC是有其必要性的。 基本上燈管驅動電路是採用共振型態來完成，這種驅動電路很多，如推挽式電流源並聯共振換流器(push-pull Current-Sour
ce Parallel- Resonant Inverter, CSPRI)，Class E共振式，半橋式電流同步零電壓切換換流器(Current Synchronous Zero Voltage Switching, CS-ZVS)等等[1]-[6]。而本篇論文所採用的為壓電變壓器型換流器[7]。使用壓電變壓器(Piezoelectric Transformer, PT)的優點有具有高轉換效率、高升壓比、良好的絕緣特性、體積小及電磁方面的干擾較小。且液晶平面顯示器的日漸普及以及其對背光模組的要求如高能量轉換效率，使壓電變壓器相較於傳統繞線式變壓器更具潛力，更適合使用在筆記型電腦的使用上，以符
合輕、薄、短、小的優點。 本論文內容共分五章： 第一章、簡介。第二章、理論演進及回顧：先對負載冷陰極燈管的放電特性作一分析介紹，而後回顧文獻中所使用之驅動電路，並且提供燈管模型的建立。第三章、電路設計及電腦模擬結果：說明燈管驅動電路各部元件之設計方法，以電腦模擬結果後，畫成佈局圖送件至國科會晶片製作中心。第四章、量測結果與討論：製作而成之IC，以電子儀器量測其結果，並做討論分析；並且比較TSMC 0.6μm CMOS、IMEC/Alcatel-Mietec 2.0μm HBIMOS與MOSEL 0.45μm SRAM製程的不同。第五章、結論。
CMOS數位積體電路分析與設計(4/e)
為了解決sram製程 的問題，作者Sung-MoKang,YusufLeblebici,ChulwooKim 這樣論述：
本書涵蓋層面甚廣，包含半導體製程、元件模型、電路設計、製造測試等相關議題。前段內容可供一般學生建立有關超大型積體電路設計的基礎入門知識，而全書不僅可以使從事數位系統設計工程師了解底層標準元件電路知識，也能作為混合訊號/類比電路設計工程師建立高速積體電路設計之參考。 有關第四版的內容，作者除改寫當代半導體製程演進介紹外，亦採用短通道電晶體模型來推導相關電路特性，並刪除原有空乏型反相器電路範例，以虛擬nMOS反相器替代，以符合現今主流的次微米／奈米製程電路設計。記憶體章節亦部分改寫，增加低電壓SRAM介紹；BiCMOS章節則改為算術運算單元電路介紹；時脈產生章節也增加
鎖相迴路與延遲鎖定迴路簡介。此次內容的更新，使得本書得更趨於完整且符合時代之潮流。 本書改版特色 ‧本書內容旨在強化學生對數值方法的認知，除了維持前版優點，盡可能讓內容適合大學部學生使用。 ‧透過問題導向方法引起學習動機，促進良好的學習效果。 ‧Visual Basic、Fortran 90與C/語言引導學生自行開發結構化且簡單的程式，以彌補現有軟體的不足。 ‧更新更具挑戰的題組、題材及案例探討。