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這兩本書分別來自電子工業 和電子工業所出版 。
國立交通大學 電子工程學系 電子研究所 莊景德所指導 林毓柔的 應用於2.5D異質整合生物感測微系統之矽載板資料傳輸 （2013），提出spi應用關鍵因素是什麼，來自於2.5D、矽基板上匯流排、序列周邊介面、階層式封包技術、虛擬多重主設備、2.5D異質整合。
而第二篇論文國立臺灣大學 化學工程學研究所 謝國煌所指導 江亮威的 磺化聚醯亞胺/聚乙烯醇半互穿型網狀結構體作為燃料電池之質子交換膜的研發 （2010），提出因為有 半互穿型網狀、共混聚合物、磺化聚醯亞胺、聚乙烯醇、戊二醛、質子交換膜、直接甲醇燃料電池的重點而找出了 spi應用的解答。
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SMT工藝不良與組裝可靠性
為了解決spi應用 的問題，作者賈忠中 這樣論述：
本書是寫給那些在生產一線忙碌的工程師的。全書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及應用問題，以圖文並茂的形式，介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。 本書適合於從事電子產品製造的工藝與品質工程師學習與參考。 賈忠中，高級工程師，先後供職於中國電子集團工藝研究所、中興通訊股份有限公司，從事電子製造工藝研究與管理工作近30年。在中興通訊股份有限公司工作也超過20年，見證並參與了中興工藝的發展歷程，歷任工藝研究部部長、副總工藝師、總工藝師、首席工藝專家。擔任廣東電子學會SMT專委會副主任委員
、中國電子學會委員。對SMT、可製造性設計、失效分析、焊接可靠性有深入、系統的研究，擅長組裝不良分析、焊點失效分析。出版了《SMT工藝品質控制》《SMT核心工藝解析與案例分析》《SMT可製造性設計》等專著。 第一部分 工藝基礎 1 第1章 概述 3 1.1 電子組裝技術的發展 3 1.2 表面組裝技術 4 1.2.1 元器件封裝形式的發展 4 1.2.2 印製電路板技術的發展 5 1.2.3 表面組裝技術的發展 6 1.3 表面組裝基本工藝流程 7 1.3.1 再流焊接工藝流程 7 1.3.2 波峰焊接工藝流程 7 1.4 表面組裝方式與工藝路徑 8
1.5 表面組裝技術的核心與關鍵點 9 1.6 表面組裝元器件的焊接 10 案例1 QFN的橋連 11 案例2 BGA的球窩與開焊 11 1.7 表面組裝技術知識體系 12 第2章 焊接基礎 14 2.1 軟釺焊工藝 14 2.2 焊點與焊錫材料 14 2.3 焊點形成過程及影響因素 15 2.4 潤濕 16 2.4.1 焊料的表面張力 17 2.4.2 焊接溫度 18 2.4.3 焊料合金元素與添加量 18 2.4.4 金屬在熔融Sn合金中的溶解率 19 2.4.5 金屬間化合物 20 2.5 相點陣圖和焊接 23 2.6 表面張力 24 2.6.1 表面張力
概述 24 2.6.2 表面張力起因 26 2.6.3 表面張力對液態焊料表面外形的影響 26 2.6.4 表面張力對焊點形成過程的影響 26 案例3 片式元件再流焊接時焊點的形成過程 26 案例4 BGA再流焊接時焊點的形成過程 27 2.7 助焊劑在焊接過程中的作用行為 28 2.7.1 再流焊接工藝中助焊劑的作用行為 28 2.7.2 波峰焊接工藝中助焊劑的作用行為 29 案例5 OSP板採用水基助焊劑波峰焊時漏焊 29 2.8 可焊性 30 2.8.1 可焊性概述 30 2.8.2 影響可焊性的因素 30 2.8.3 可焊性測試方法 32 2.8.4 潤濕稱
量法 33 2.8.5 浸漬法 35 2.8.6 鋪展法 35 2.8.7 老化 36 第3章 焊料合金、微觀組織與性能 37 3.1 常用焊料合金 37 3.1.1 Sn-Ag合金 37 3.1.2 Sn-Cu合金 38 3.1.3 Sn-Bi合金 39 3.1.4 Sn-Sb合金 39 3.1.5 提高焊點可靠性的途徑 40 3.1.6 無鉛合金中常用添加合金元素的作用 40 3.2 焊點的微觀結構與影響因素 42 3.2.1 組成元素 42 3.2.2 工藝條件 44 3.3 焊點的微觀結構與機械性能 44 3.3.1 焊點（焊料合金）的金相組織 45 3
.3.2 焊接介面金屬間化合物 46 3.3.3 不良的微觀組織 50 3.4 無鉛焊料合金的表面形貌 61 第二部分 工藝原理與不良 63 第4章 助焊劑 65 4.1 助焊劑的發展歷程 65 4.2 液態助焊劑的分類標準與代碼 66 4.3 液態助焊劑的組成、功能與常用類別 68 4.3.1 組成 68 4.3.2 功能 69 4.3.3 常用類別 70 4.4 液態助焊劑的技術指標與檢測 71 4.5 助焊劑的選型評估 75 4.5.1 橋連缺陷率 75 4.5.2 通孔透錫率 76 4.5.3 焊盤上錫飽滿度 76 4.5.4 焊後PCB表面潔淨度
77 4.5.5 ICT測試直通率 78 4.5.6 助焊劑的多元化 78 4.6 白色殘留物 79 4.6.1 焊劑中的松香 80 4.6.2 松香變形物 81 4.6.3 有機金屬鹽 81 4.6.4 無機金屬鹽 81 第5章 焊膏 83 5.1 焊膏及組成 83 5.2 助焊劑的組成與功能 84 5.2.1 樹脂 84 5.2.2 活化劑 85 5.2.3 溶劑 87 5.2.4 流變添加劑 88 5.2.5 焊膏配方設計的工藝性考慮 89 5.3 焊粉 89 5.4 助焊反應 90 5.4.1 酸基反應 90 5.4.2 氧化-還原反應 91 5.
5 焊膏流變性要求 91 5.5.1 黏度及測量 91 5.5.2 流體的流變特性 92 5.5.3 影響焊膏流變性的因素 94 5.6 焊膏的性能評估與選型 96 5.7 焊膏的儲存與應用 100 5.7.1 儲存、解凍與攪拌 100 5.7.2 使用時間與再使用注意事項 101 5.7.3 常見不良 101 第6章 PCB表面鍍層及工藝特性 106 6.1 ENIG鍍層 106 6.1.1 工藝特性 106 6.1.2 應用問題 107 6.2 Im-Sn鍍層 108 6.2.1 工藝特性 109 6.2.2 應用問題 109 案例6 鍍Sn層薄導致虛焊 109 6.
3 Im-Ag鍍層 112 6.3.1 工藝特性 112 6.3.2 應用問題 113 6.4 OSP膜 114 6.4.1 OSP膜及其發展歷程 114 6.4.2 OSP工藝 115 6.4.3 銅面氧化來源與影響 115 6.4.4 氧化層的形成程度與通孔爬錫能力 117 6.4.5 OSP膜的優勢與劣勢 119 6.4.6 應用問題 119 6.5 無鉛噴錫 119 6.5.1 工藝特性 120 6.5.2 應用問題 122 6.6 無鉛表面耐焊接性對比 122 第7章 元器件引腳/焊端鍍層及工藝性 124 7.1 表面組裝元器件封裝類別 124 7.2 電極鍍層結構 125 7.
3 Chip類封裝 126 7.4 SOP/QFP類封裝 127 7.5 BGA類封裝 127 7.6 QFN類封裝 127 7.7 外掛程式類封裝 128 第8章 焊膏印刷與常見不良 129 8.1 焊膏印刷 129 8.2 印刷原理 129 8.3 影響焊膏印刷的因素 130 8.3.1 焊膏性能 130 8.3.2 範本因素 133 8.3.3 印刷參數 134 8.3.4 擦網/底部擦洗 137 8.3.5 PCB支撐 140 8.3.6 實際生產中影響焊膏填充與轉移的其他因素 141 8.4 常見印刷不良現象及原因 143 8.4.1 印刷不良現象 143 8
.4.2 印刷厚度不良 143 8.4.3 汙斑/邊緣擠出 145 8.4.4 少錫與漏印 146 8.4.5 拉尖/狗耳朵 148 8.4.6 塌陷 148 8.5 SPI應用探討 151 8.5.1 焊膏印刷不良對焊接品質的影響 151 8.5.2 焊膏印刷圖形可接受條件 152 8.5.3 0.4mm間距CSP 153 8.5.4 0.4mm間距QFP 154 8.5.5 0.4～0.5mm間距QFN 155 8.5.6 0201 155 第9章 鋼網設計與常見不良 157 9.1 鋼網 157 9.2 鋼網製造要求 160 9.3 範本開口設計基本要求
161 9.3.1 面積比 161 9.3.2 階梯範本 162 9.4 範本開口設計 163 9.4.1 通用原則 163 9.4.2 片式元件 165 9.4.3 QFP 165 9.4.4 BGA 166 9.4.5 QFN 166 9.5 常見的不良開口設計 168 9.5.1 範本設計的主要問題 168 案例7 範本避孔距離不夠導致散熱焊盤少錫 169 案例8 焊盤寬、引腳窄導致SIM卡移位 170 案例9 熔融焊錫漂浮導致變壓器移位 170 案例10 防錫珠開孔導致圓柱形二極體爐後飛料問題 171 9.5.2 範本開窗在改善焊接良率方面的應用 171
案例11 兼顧開焊與橋連的葫蘆形開窗設計 171 案例12 電解電容底座鼓包導致移位 173 案例13 BGA變形導致橋連與球窩 174 第10章 再流焊接與常見不良 175 10.1 再流焊接 175 10.2 再流焊接工藝的發展歷程 175 10.3 熱風再流焊接技術 176 10.4 熱風再流焊接加熱特性 177 10.5 溫度曲線 178 10.5.1 溫度曲線的形狀 179 10.5.2 溫度曲線主要參數與設置要求 180 10.5.3 爐溫設置與溫度曲線測試 186 10.5.4 再流焊接曲線優化 189 10.6 低溫焊料焊接SAC錫球的BGA混裝再流
焊接工藝 191 10.6.1 有鉛焊料焊接無鉛BGA的混裝工藝 192 10.6.2 低溫焊料焊接SAC錫球的混裝再流焊接工藝 196 10.7 常見焊接不良 197 10.7.1 冷焊 197 10.7.2 不潤濕 199 案例14 連接器引腳潤濕不良現象 200 案例15 沉錫板焊盤不上錫現象 201 10.7.3 半潤濕 202 10.7.4 滲析 203 10.7.5 立碑 204 10.7.6 偏移 207 案例16 限位導致手機電池連接器偏移 207 案例17 元器件安裝底部噴出的熱氣流導致元器件偏移 208 案例18 元器件焊盤比引腳寬導致元器件偏移
208 案例19 片式元件底部有半塞導通孔導致偏移 209 案例20 不對稱焊端容易導致偏移 209 10.7.7 芯吸 210 10.7.8 橋連 212 案例21 0.4mm QFP橋連 212 案例22 0.4mm間距CSP（也稱?BGA）橋連 213 案例23 鉚接錫塊表貼連接器橋連 214 10.7.9 空洞 216 案例24 BGA焊球表面氧化等導致空洞形成 218 案例25 焊盤上的樹脂填孔吸潮導致空洞形成 219 案例26 HDI微盲孔導致BGA焊點空洞形成 219 案例27 焊膏不足導致空洞產生 220 案例28 排氣通道不暢導致空洞產生 220
案例29 噴印焊膏導致空洞產生 221 案例30 QFP引腳表面污染導致空洞產生 221 10.7.10 開路 222 10.7.11 錫球 223 10.7.12 錫珠 226 10.7.13 飛濺物 229 10.8 不同工藝條件下用63Sn/37Pb焊接SAC305 BGA的切片圖 230 第11章 特定封裝的焊接與常見不良 232 11.1 封裝焊接 232 11.2 SOP/QFP 232 11.2.1 橋連 232 案例31 某板上一個0.4mm間距QFP橋連率達到75% 234 案例32 QFP焊盤加工尺寸偏窄導致橋連率增加 235 11.2.2 虛焊
235 11.3 QFN 236 11.3.1 QFN封裝與工藝特點 236 11.3.2 虛焊 238 11.3.3 橋連 240 11.3.4 空洞 241 11.4 BGA 244 11.4.1 BGA封裝類別與工藝特點 244 11.4.2 無潤濕開焊 245 11.4.3 球窩焊點 246 11.4.4 縮錫斷裂 248 11.4.5 二次焊開裂 249 11.4.6 應力斷裂 250 11.4.7 坑裂 251 11.4.8 塊狀IMC斷裂 252 11.4.9 熱迴圈疲勞斷裂 253 第12章 波峰焊接與常見不良 256 12.1 波峰焊接 256
12.2 波峰焊接設備的組成及功能 256 12.3 波峰焊接設備的選擇 257 12.4 波峰焊接工藝參數設置與溫度曲線的測量 257 12.4.1 工藝參數 258 12.4.2 工藝參數設置要求 258 12.4.3 波峰焊接溫度曲線測量 258 12.5 助焊劑在波峰焊接工藝過程中的行為 259 12.6 波峰焊接焊點的要求 260 12.7 波峰焊接常見不良 262 12.7.1 橋連 262 12.7.2 透錫不足 265 12.7.3 錫珠 266 12.7.4 漏焊 268 12.7.5 尖狀物 269 12.7.6 氣孔—吹氣孔/ 269 12.7.7 孔填充不良 270
12.7.8 板面髒 271 12.7.9 元器件浮起 271 案例33 連接器浮起 272 12.7.10 焊點剝離 272 12.7.11 焊盤剝離 273 12.7.12 凝固開裂 274 12.7.13 引線潤濕不良 275 12.7.14 焊盤潤濕不良 275 第13章 返工與手工焊接常見不良 276 13.1 返工工藝目標 276 13.2 返工程式 276 13.2.1 元器件拆除 276 13.2.2 焊盤整理 277 13.2.3 元器件安裝 277 13.2.4 工藝的選擇 277 13.3 常用返工設備/工具與工藝特點 278 13.3.1 烙鐵 278 13.3.2
熱風返修工作站 279 13.3.3 吸錫器 281 13.4 常見返修失效案例 282 案例34 採用加焊劑方式對虛焊的QFN進行重焊導致返工失敗 282 案例35 採用加焊劑方式對虛焊的BGA進行重焊導致BGA中心焊點斷裂 282 案例36 風槍返修導致周邊鄰近帶散熱器的BGA焊點開裂 283 案例37 返修時加熱速率太大導致BGA角部焊點橋連 284 案例38 手工焊接大尺寸片式電容導致開裂 284 案例39 手工焊接外掛程式導致相連片式電容失效 285 案例40 手工焊接大熱容量外掛程式時長時間加熱導致PCB分層 285 案例41 採用銅辮子返修細間距元器件容易發生微橋連現象 286
第三部分 組裝可靠性 289 第14章 可靠性概念 291 14.1 可靠性定義 291 14.1.1 可靠度 291 14.1.2 MTBF與MTTF 291 14.1.3 故障率 292 14.2 影響電子產品可靠性的因素 293 14.2.1 常見設計不良 293 14.2.2 製造影響因素 294 14.2.3 使用時的劣化因素 295 14.3 常用的可靠性試驗評估方法—溫度迴圈試驗 296 第15章 完整焊點要求 298 15.1 組裝可靠性 298 15.2 完整焊點 298 15.3 常見不完整焊點 298 第16章 組裝應力失效 304 16.1 應力敏感封裝 304 1
6.2 片式電容 304 16.2.1 分板作業 304 16.2.2 烙鐵焊接 306 16.3 BGA 307 第17章 使用中溫度迴圈疲勞失效 308 17.1 高溫環境下的劣化 308 17.1.1 高溫下金屬的擴散 308 17.1.2 介面劣化 309 17.2 蠕變 309 17.3 機械疲勞與溫度迴圈 310 案例42 拉應力疊加時的熱疲勞斷裂 310 案例43 某模組灌封工藝失控導致焊點受到拉應力作用 310 案例44 灌封膠與PCB的CTE不匹配導致焊點早期疲勞失效（開裂） 312 第18章 環境因素引起的失效 313 18.1 環境引起的失效 313 18.1.1 電化
學腐蝕 313 18.1.2 化學腐蝕 315 18.2 CAF 316 18.3 銀遷移 317 18.4 硫化腐蝕 318 18.5 爬行腐蝕 318 第19章 錫須 321 19.1 錫須概述 321 19.2 錫須產生的原因 322 19.3 錫須產生的五種基本場景 323 19.4 室溫下錫須的生長 324 19.5 溫度迴圈（熱衝擊）作用下錫須的生長 325 19.6 氧化腐蝕引起的錫鬚生長 326 案例45 某產品單板上的輕觸開關因錫須短路 327 19.7 外界壓力作用下的錫鬚生長 327 19.8 控制錫鬚生長的建議 328 後記 330 參考文獻 331
應用於2.5D異質整合生物感測微系統之矽載板資料傳輸
為了解決spi應用 的問題，作者林毓柔 這樣論述：
2.5D製程整合使得晶片與晶片之間的資料傳遞就像是在晶片內部的導線上傳遞，因為矽基板(interposer)可以使晶片對晶片的資料溝通變得更快速且擁有更低的功耗。本篇論文提出並設計出一個矽基板上匯流排(on-interposer bus)，稱作μ-SPI(serial peripheral interface)，此匯流排架構可以提供2.5D異質整合系統低功耗訊號傳遞。 μ-SPI的協定架構是利用階層式封包技術來設計，而此架構是建立在傳統SPI之物理層基礎上。在μ-SPI中，資料的寬度可從一個至八個位元；此外，為了要降低封包標頭(packet header)的長度，我們利用階層式封包技術
將標頭分為兩層，第一層的標頭長度是固定的，可以用來表示此封包的功能；第二層標頭的長度是可變的，可以用來提供大範圍的資料長度指示、多個從設備的選擇以及不同的資料地址長度。除此之外，我們提出一個虛擬多重主設備(pseudo multi-master)來取代傳統多重主設備的仲裁電路(arbitration circuits)，透過單一主設備的控制權傳輸，可用來設定在主從模組中的主從標誌(MS_Flag)；因此，在同一時間只會有一個主設備存在。此外，我們將此論文所提出的μ-SPI應用在一個2.5D異質整合之生物感測微系統上，當矽基板上的電壓及操作頻率分別為1.8V及100 KHz時，所提出的矽基板上匯
流排之平均功耗僅23.2 µW。
ARM Cortex-M3系統設計與實現--STM32基礎篇（第2版）
為了解決spi應用 的問題，作者郭書軍 這樣論述：
本書以STM32系列32位元Flash MCU為例，以“藍橋杯”嵌入式設計與開發競賽訓練板為硬體平臺，以“一切從簡單開始”為宗旨，介紹ARM Cortex-M3系統的設計與實現。 全書分為10章，第1章簡單介紹STM32 MCU和SysTick的結構；第2、3章以一個簡單的嵌入式系統設計為例，詳細介紹SysTick、GPIO和USART的應用設計；第4、5章分別介紹SPI和I2C的結構和設計實例；第6、7章分別介紹TIM和ADC的結構和設計實例；第8、9章分別介紹NVIC和DMA的結構和設計實例；第10章介紹競賽擴展板的使用。書後附有實驗指導，以方便實驗教學。 郭書軍，
男，教授，畢業于蘭州大學通信工程。現工作于北方工業大學，曾負責無源RFID讀卡器開發、長距離無源射頻識別標籤閱讀器研製及組網、嵌入式系統實驗平臺開發等專案，主講通信原理、微機原理、嵌入式系統設計，曾榮獲“研究生課程教學獎”。 第1章 STM32 MCU簡介 （1） 1．1 STM32 MCU結構 （1） 1．2 STM32 MCU記憶體映射 （2） 1．3 STM32 MCU系統時鐘樹 （4） 1．3．1 時鐘控制 （5） 1．3．2 時鐘配置 （7） 1．3．3 APB2設備時鐘使能 （11） 1．3．4 APB1設備時鐘使能 （12） 1．3．5 備份域控制 （13）
1．3．6 控制狀態 （15） 1．4 Cortex-M3簡介 （17） 第2章 通用平行介面GPIO （21） 2．1 GPIO結構及寄存器說明 （21） 2．2 GPIO庫函數說明 （23） 2．3 GPIO設計實例 （26） 2．3．1 使用庫函數軟體設計 （27） 2．3．2 使用寄存器軟體設計 （31） 2．4 GPIO設計實現* （33） 2．4．1 Keil的安裝和使用 （33） 2．4．2 使用模擬器調試和運行目標程式 （35） 2．4．3 使用調試器調試和運行目標程式 （42） 2．5 LCD使用 （45） 第3章 通用同步/非同步收發器介面USART （50） 3．1
UART簡介 （50） 3．2 USART結構及寄存器說明 （51） 3．3 USART庫函數說明 （54） 3．4 USART設計實例 （56） 3．4．1 USART基本功能程式設計 （57） 3．4．2 與PC通信程式設計 （59） 3．4．3 用printf()實現通信程式設計 （63） 3．5 USART設計實現* （63） 3．5．1 使用模擬器調試和運行目標程式 （65） 3．5．2 使用調試器調試和運行目標程式 （68） 第4章 串列設備介面SPI （70） 4．1 SPI結構及寄存器說明 （70） 4．2 SPI庫函數說明 （73） 4．3 SPI設計實例 （76） 4．3
．1 SPI基本功能程式設計 （76） 4．3．2 SPI環回程式設計 （78） 4．3．3 GPIO模擬SPI程式設計 （79） 4．4 SPI設計實現* （80） 第5章 內部積體電路匯流排界面I2C （84） 5．1 I2C結構及寄存器說明 （84） 5．2 I2C庫函數說明 （88） 5．3 I2C設計實例 （92） 5．3．1 I2C EEPROM庫函數說明 （93） 5．3．2 I2C EEPROM庫函數程式設計 （95） 5．3．3 GPIO模擬I2C庫函數說明 （97） 5．3．4 GPIO模擬I2C庫函數程式設計 （100） 5．4 I2C設計實現* （102） 5．4．1
I2C EEPROM庫函數程式設計實現 （102） 5．4．2 GPIO模擬I2C庫函數程式設計實現 （104） 第6章 計時器TIM （107） 6．1 TIM結構及寄存器說明 （107） 6．2 TIM庫函數說明 （115） 6．3 TIM設計實例* （124） 6．3．1 1s定時程式設計 （124） 6．3．2 矩形波輸出程式設計 （126） 6．3．3 矩形波測量程式設計 （129） 6．4 實時鐘RTC （132） 6．4．1 RTC結構及寄存器說明 （132） 6．4．2 RTC庫函數說明 （134） 6．4．3 RTC程式設計 （136） 第7章 模數轉換器ADC （13
9） 7．1 ADC結構及寄存器說明 （139） 7．2 ADC庫函數說明 （145） 7．3 ADC設計實例* （151） 7．3．1 用ADC1規則通道實現外部輸入類比信號的模數轉換 （151） 7．3．2 用ADC1注入通道實現內部溫度感測器的溫度測量 （154） 第8章 嵌套向量中斷控制器NVIC* （157） 8．1 NVIC簡介 （157） 8．2 EXTI中斷 （162） 8．3 USART中斷 （167） 8．4 TIM中斷 （169） 8．5 ADC中斷 （171） 第9章 直接記憶體存取DMA* （173） 9．1 DMA簡介 （173） 9．2 USART的DMA操作
（177） 9．3 ADC的DMA操作 （179） 第10章 競賽擴展板的使用 （182） 10．1 數碼管的使用 （182） 10．2 ADC按鍵的使用 （183） 10．3 濕度感測器DHT11的使用 （186） 10．4 溫度感測器DS18B20的使用 （188） 10．5 加速度感測器LIS302DL的使用 （194） 附錄A STM32庫函數 （197） 附錄B STM32引腳功能 （212） 附錄C CT117E嵌入式競賽訓練板簡介 （224） 附錄D CT117E嵌入式競賽擴展板簡介 （229） 附錄E ASCII碼表 （233） 附錄F C語言運算子 （234） 附錄G
實驗指導 （235） 實驗1 GPIO應用 （235） 實驗2 USART應用 （236） 實驗3 SPI應用 （236） 實驗4 I2C應用 （237） 實驗5 TIM應用 （238） 實驗6 ADC應用 （239） 實驗7 NVIC應用 （240） 實驗8 DMA應用 （240） 參考文獻 （241）
磺化聚醯亞胺/聚乙烯醇半互穿型網狀結構體作為燃料電池之質子交換膜的研發
為了解決spi應用 的問題，作者江亮威 這樣論述：
本研旨在合成一系列之磺化聚醯亞胺/聚乙烯醇（SPI/PVAs）共混聚合物及磺化聚醯亞胺/聚乙烯醇半互穿型網狀（SIPN SPI/cPVA20-GAs）之質子交換膜。 其中SPI 的合成是使用高耐水解的1,4,5,8-萘四酸二酐（NTDA）為二酸酐、4,4’-二氨基二苯醚（ODA）為非磺化二胺單體與具有雙磺酸基之4,4-二（4-胺苯甲基）二苯（BAPBD）單體進行熱醯亞胺化；PVA 分別以5 phr、10 phr與20 phr 的比例混摻於SPI 中而製備出不同組成比例的共混聚合物；將SPI/PVA20 膜浸於30 ℃ 的1 vol% 的戊二醛（GA）水溶液（pH~1.4）中，使GA 對PVA
進行交聯反應，製備出不同交聯程度的半互穿型網狀結構；利用FTIR-ATR 鑑定SPI 的醯亞胺化以及PVA 和GA 的交聯反應特性。 最後利用熱性質分析、含水率、尺寸穩定性、氧化穩定性、質子傳導度、甲醇穿透度以及直接甲醇燃料電池（DMFC）發電效能來分析SPI/PVAs 共混聚合物和SIPN SPI/cPVA20-GAs 的質子交換膜特性。