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龍華科技大學 機械工程系碩士班 許春耀所指導 胡定強的 高功率脈衝共濺鍍Zr-Cr/DLC薄膜微結構及機械性質之研究 （2018），提出sp2煙彈關鍵因素是什麼，來自於高功率脈衝、鋯-鉻/類鑽碳薄膜、硬度分析、奈米壓痕、磨耗實驗。

而第二篇論文龍華科技大學 機械工程系碩士班 許春耀所指導 王聖翔的 磁控濺鍍AlCrNbSiTiV-DLC薄膜特性之研究 （2017），提出因為有 磁控濺鍍、高熵合金、AlCrNbSiTiV-DLC薄膜、硬度分析的重點而找出了 sp2煙彈的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了sp2煙彈，大家也想知道這些：

高功率脈衝共濺鍍Zr-Cr/DLC薄膜微結構及機械性質之研究

為了解決sp2煙彈的問題，作者胡定強 這樣論述：

類鑽碳膜(Diamond-like carbon, DLC)結構，有堅硬的鑽石鍵結(SP3, 四面體鑽石碳膜)，及潤滑功能的石墨鍵結(SP2, 六方網狀結構)，有良好的機械、物理、光及電特性，應用範圍廣泛。本研究以Ar為濺鍍氣體，CH4反應氣體，應用高功率脈衝磁控濺鍍，沉積(Zr-Cr/DLC)薄膜於玻璃與不鏽鋼(SUS 304)基材，分別探討不同CH4/(Ar+CH4)流量比率(8, 12, 16, 20, 24%)、Zr-Cr功率(90/40, 120/70, 150/100, 180/130, 210/160 Watt)，基材溫度(100, 150, 200, 250, 300°C)、

以及基材偏壓(–20, –30, –40, –50, –60 V)，對(Zr-Cr/DLC)薄膜特性之影響。為了使薄膜厚度相近，有利於性質分析，故配合不同薄膜沉積時間(12, 14, 16, 18, 20 min)。為了使Zr-Cr/DLC薄膜厚度相近，有利於性質分析，用較長的沉積時間補償高CH4流量、低濺鍍功率、高基材溫度及高偏壓不足之膜厚。SEM表面形貌分析，薄膜厚度160.0 nm~ 200.0 nm，顯示薄膜無空孔，均勻緻密附著於基材。XRD分析，Zr-Cr/DLC薄膜為無結晶結構。EDS檢測，C、Cr、及Zr元素皆有微量增加，但O元素含量隨之減少。奈米壓痕量測，硬度由7.83 GPa

~7.98 GPa、彈性回復量21.88% ~26.38%，顯示硬度及彈性回復量增加。隨基材偏壓值增加，C、Cr、及Zr元素微量減少，但O元素含量隨之增加。配合薄膜不同之沉積時間，薄膜更緻密，硬度、彈性回復量及摩擦係數皆獲得良好之改善。

磁控濺鍍AlCrNbSiTiV-DLC薄膜特性之研究

為了解決sp2煙彈的問題，作者王聖翔 這樣論述：

本研究以直流反應式磁控濺鍍系統，沉積類鑽碳(diamond-like carbon, DLC) 薄膜，利用高熵合金靶材(AlCrNbSiTiV)添加反應氣體甲烷(CH4)，形成AlCrNbSiTiV類鑽碳薄膜。以高熵合金AlCrNbSiTiV金屬膜為緩衝層(~170 nm)，形成DLC多層膜 (substrate/AlCrNbSiTiV buffer layer/AlCrNbSiTiV-DLC)。不同CH4/(Ar+CH4) flow rates (16, 18, 20, 22, 24%)，不同直流濺鍍功率(80, 100, 120, 140, 160 W)，觀察濺鍍參數對DLC多層膜的機械

性質與微結構之影響。研究結果顯示，不同CH4/(Ar+CH4) flow rates，AlCrNbSiTiV-DLC薄膜表面晶粒成核均勻、晶粒尺寸沒有顯著變化，且無明顯孔洞微缺陷。增加CH4/(Ar+CH4) flow rates，AlCrNbSiTiV-DLC薄膜，D band往低波數位移，ID/IG比值減小，薄膜硬度增加，摩擦係數降低，但經刮痕試驗顯示，DLC薄膜附著力有降低的趨勢。當CH4/(Ar+CH4) 為 24%，有最高DLC薄膜硬度(2127.8 HV)，最低摩擦係數(0.30)。不同AlCrNbSiTiV-DLC薄膜濺鍍功率，當濺鍍功率為120 W 有較明顯拉曼波峰與較完整D

band、G band，且D band往低波數位移，ID/IG比值降低，擁有較高sp3鍵結及最高硬度1797.8 HV。增加濺鍍功率，DLC薄膜摩擦係數增大，且附著性也隨之上升。SEM顯示DLC薄膜為顆粒狀組織且與基材緊密貼合。

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