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國立臺灣師範大學 物理研究所 劉威志、蔡定平所指導 余青展的 超解析近場結構奈米氧化銀薄膜穿透光譜研究 (2003),提出sp固態硬碟關鍵因素是什麼,來自於超解析近場結構、氧化銀。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了sp固態硬碟,大家也想知道這些:

超解析近場結構奈米氧化銀薄膜穿透光譜研究

為了解決sp固態硬碟的問題,作者余青展 這樣論述:

在本論文中,首先以光學顯微鏡外接光譜儀與加熱平台,量測單層氧化銀奈米薄膜(AgOx)與超解析近場結構氧化銀(ZnS-SiO2/AgOx/ ZnS-SiO2) 奈米薄膜之聚焦穿透光譜。隨著溫度的增加,在100℃∼200℃左右,單層氧化銀5nm薄膜之穿透率由0.8-0.9下降到0.5-0.6,比較AgOx與Ag-rich的n,k值,證實了氧化銀會因熱分解而析出銀結晶顆粒(AgOx→Ag+O2)導致穿透率下降,在單層氧化銀厚度5nm∼60nm,相變溫度在135∼178℃之間;加熱到600℃,由照片比較可以明顯看出Ag粒子有蒸散的現象。超解析近場結構氧化銀因為上下保護層的作用,中間的氧化銀因熱分解成

銀與氧的混合態,故n,k值可以視為銀與氧的混合態,所以穿透率在160℃左右無明顯的下降;在280℃∼300℃,隨著中間氧化銀厚度越厚,氧(O2)從邊緣散溢出去,導致Ag比例增加使穿透率下降,加熱到600℃,由照片比較可以明顯看出Ag粒子在中間層有聚合的現象。另外比較平行光室溫穿透光譜,可以明顯看出隨著超解析近場結構氧化銀之氧化銀厚度越厚,其穿透波谷有往長波長方向位移的現象,我們可以利用厚度控制吸收波長的位置。