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另外網站半导体知乎簡- 半導體製程flow也說明：半導體 製程flow 製程平台開發主要由TD或RD執行，這階段需要了解客戶會用到甚麼樣的元件，操作電壓，漏電大小， SOA ，並且搭配場內製程，來開發元件。

明新科技大學 電子工程系碩士班 楊信佳所指導 林宥陞的 鳍式金氧場效電晶體定臨界電壓以貼合特性曲線及10GHz~12GHz功率放大器射頻電路設計 （2021），提出soa半導體關鍵因素是什麼，來自於鰭式場效電晶體、絕緣閘雙極性電晶體、功率放大器。

而第二篇論文明新科技大學 電子工程系碩士班 楊信佳所指導 蔡佳娟的 與製程相關的電晶體尺寸設計及電性參數的決定 （2020），提出因為有 FinFET元件、3-D結構、漏電流、過度蝕刻、過度曝光的重點而找出了 soa半導體的解答。

最後網站什么是WAT晶圆接受测试， ？ 知乎 ... - playquesthive.com則補充：半導體 就是「積體電路」，製造工程大致可分為「前段製程」與「後段製程」。 ... 客戶會用到甚麼樣的元件，操作電壓，漏電大小， SOA ，並且搭配場內製程，來開發元件。

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧：

除了soa半導體，大家也想知道這些：

鳍式金氧場效電晶體定臨界電壓以貼合特性曲線及10GHz~12GHz功率放大器射頻電路設計

為了解決soa半導體的問題，作者林宥陞 這樣論述：

半導體電晶體奈米製程的發展可兼顧提高運算速率和降低耗能的優化，從傳統的金氧場效電晶體(MOSFET)到如今的鰭式場效電晶體(FinFET)。FinFET電晶體製成後有如魚鰭一樣，不僅解決了因縮小電晶體尺寸後所造成無法控制的漏電流，也增加了成本的競爭力，令人印象深刻。然而因尺寸縮小所造成的有效電阻地增加而又有過熱的問題，接下來的封測也成為了一大考量。為了暸解或掌控電晶體的使用，FinFET電晶體經量測後的電性曲線，就必須以參數化的公式所描述，其中最基本的三個參數為與尺寸及載子漂移率有相關的Kn、與源極-汲極是否導通的門檻電壓(Vth,臨界電壓)、及與源極-汲極間漏電流相關的爾利電壓(VA,-1

/λ)，三者皆有其重要的物理意義。當Vth被定下後，調整Kn及λ值已達到儘其貼合電性曲線值，此引起多層的思考，也使得真實的內在因素得以解開並解釋。貼合度以最小的誤差值為導向，儘以達到合理的參數值所提供的物理，進而有利未來的發展與設計。 在射頻電路的設計上，在發報端E類功率放大器(Power Amplifier)組件，在設計上可使用被動元件電容值、電感值作阻抗匹配，以極低或等於零的反射係數(S11、S22)作為方法，達到最大放大率(S21)效果。

與製程相關的電晶體尺寸設計及電性參數的決定

為了解決soa半導體的問題，作者蔡佳娟 這樣論述：

N-FinFET電晶體的製造看起來像三維鰭片，具有出色的可控性，特別是在短通道效應所造成的漏電流方面。此電晶體擁有更短的通道長度需仰賴於過度曝光和蝕刻的技術，本技術或可用於未來的先進製程開發的依據。量測和分析具有不同通道長度和0.12/0.115/0.110微米鰭片寬度的電晶體，由電流-電壓的特性曲線，可決定此特徵曲線的常規公式中的kn(與通道長度，寬度，載子漂移率，及閘極電容相關的量)和（Early Voltage爾利電壓的倒數）作為電性的參考。不幸的是，經過貼合後，與通道長度密切相關的kn和λ，則在與其他相同通道長度的電晶體，其所得的kn和λ，比較後並不吻合公式要求，因此推論在製程製造過

程中必然存在有不預期的尺寸損失(Dimension Loss) ，倘若以0.12微米的鰭片寬度的電晶體則能顯出kn和λ的合理性。0.12微米的鰭寬定下後鼓舞我們對所量測出來的數據深具信心促使我們用修正後的電流-電壓電性曲線公式，做貼合的研究其中包括kn，Vth，Lambda的取得一開始設定三個參數的起始值，然後以電腦程式算出公式所對應的電流-電壓值再與此值所量測出來做比較，其差值的平分做整合稱為偏差值，並取得偏差值最小值來修正，並逼進收斂於最後數值，其最後電性曲線圖令人興奮。

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