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健行科技大學 電機工程系碩士班 張茂林所指導 王麒逢的 多板系統之高速電路板佈局設計-以VC709為例 (2015),提出so-dimm ddr4關鍵因素是什麼,來自於信號完整性、主板、眼圖、串音。

而第二篇論文國立中央大學 機械工程學系在職專班 林志光所指導 郭家宏的 第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體連接器應力與最佳化分析 (2014),提出因為有 連接器、端子、應力的重點而找出了 so-dimm ddr4的解答。

最後網站ELITE SO-DIMM DDR4筆記型記憶體 十銓科技TEAMGROUP則補充:十銓科技ELITE系列推出全新DDR4 SO-DIMM產品,符合JEDEC國際標準設計,工作電壓只要1.2V,大幅節省使用時所需電力。降低產品本身所產生的熱能,更能保持系統周邊的環境 ...

接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

除了so-dimm ddr4,大家也想知道這些:

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roon 一套軟體 NT$20,000 要價不斐,不過還是有非常多人不斷想入坑,簡單來說 roon 就是一個音樂系統服務,可以整合發燒友不同的音樂檔案以及 Hi-Fi 串流,打造屬於自己的多房間音響系統。

這次的影片我們將介紹 roon 的組建方法,並實際將 Roon Core 運作核心裝在 QNAP TVS-672X NAS 中,也同時將它當作 Roon Bridge 播放終端,示範給大家看如何用手機遙控整個系統。
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::: 章節列表 :::
➥ 最強音樂管理
00:00 兩萬燒起來
00:29 Roon
01:03 組成要件

➥ 升頻遙控
01:56 系統介面

➥ 安裝步驟
03:18 前置作業
03:46 系統需求

➥ 最後總結
05:10 最後總結


::: QNAP TVS-672X 規格 :::
尺寸重量:188.2 × 264.3 × 279.6mm / 6.553kg
作業系統:QuTS hero Edition / QTS
CPU:Intel® Core™ i3-8100T 3.1GHz
RAM:1 x 8GB SO-DIMM DDR4 最大支援 2 x 32GB
快閃記憶體:5GB
內部硬碟數:6 x 3.5" / 2.5" SATA 3
M.2 擴充槽:2 x M.2 2280 PCIe Gen3 x2

PCIe 擴充槽:
 1 x PCIe Gen 3 x16 ( CPU )
 1 x PCIe Gen 3 x4 ( PCH )

USB 介面:
 1 x USB-A 3.2 Gen 1
 2 x USB-A 3.2 Gen 2
 2 x USB-C 3.2 Gen 2

紅外線接收器:有

乙太網路:
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1 x 10GbE RJ45

HDMI 輸出:1 x HDMI 2.0 ( 最高 3,840 x 2,160@60Hz )
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多板系統之高速電路板佈局設計-以VC709為例

為了解決so-dimm ddr4的問題,作者王麒逢 這樣論述:

現今的3C產品因需求而提高工作時脈,在越來越高的工作時脈下,電路板佈局的設計也就越來越困難。如何減少信號的反射、串音、振鈴‧‧‧等這些議題也就越來越被重視。CPU與記憶體之間的匯流排其工作時脈經常是系統裡最高的部分,再加上在每一個世代的交替下,硬體的架構經常會有相當大的改變,因此造成系統設計時相當棘手的難題之一。從SDRAM世代轉換到DDR SDRAM其架構上就有很大的改變,從一個時脈週期抓取一次信號改變為一個時脈週期的上升跟下降各抓取一次信號。也就是說同一個工作時脈下抓取DATA的次數DDR SDRAM會是傳統SDRAM的兩倍。DDR2到DDR3在拓樸架構上也從T-topology變為Fl

y-by topology方式,至於DDR3到DDR4在架構上的改變,則是 Bank Group 和 POD設計,讓DDR4大大的提升工作的效率,也讓記憶體開始了另外一個世代。這些世代交換所改變的硬體及架構,其目的是為了要達到極佳的效能和更低的工作電壓,然而這些改變卻讓PCB的設計越來越複雜,成為一個極具挑戰性的工作。不過記憶體畢竟是單獨的一個元件,在設計及佈局上需要考慮到與其他元件的相容性,因此在記憶體的佈局上,除了記憶體本身要進行模擬分析以外,還需要將搭配的元件同時進行調整和模擬分析,來達到更好的信號完整性。為了讓記憶體的使用更有彈性,一種非常普遍存在的產品設計架構就是記憶體模組。這讓設計

更有彈性,但也衍生出了主板與子板連結問題。本文將使用Xilinx Virtex-7發展板VC709作為主板,美光的記憶體模組DDR3 SODIMM為子板,使用Allegro Cadence 16.5 SI的DesignLink功能,探討主板與記憶體模組的佈局設計,以及FPGA與記憶體的互連和其信號的完整性。

第四代雙倍資料率同步動態隨機存取記憶體連接器應力與最佳化分析

為了解決so-dimm ddr4的問題,作者郭家宏 這樣論述:

本研究目的為針對第四代雙倍資料傳輸記憶體連接器,在有限空間中,設計出可保有良好電子特性外亦有足夠正向力的端子,為了達到此目標,必須保有一般業界常用的下料式與折彎式端子的優點,而設計出另一種全新型式端子。在研究過程中,針對影響端子正向力相關尺寸,以有限元素分析法模擬分析其正向力大小,以一次一因子方式篩選,最後選出影響端子正向力最大的幾個尺寸當控制因子。進一步以田口實驗法,針對直交表不同尺寸組合,作模擬實驗分析並計算各組實驗S/N雜訊比,製作反應圖與反應表找出最佳化參數尺寸。最後依照最佳化參數尺寸做實物實測,驗證比對實測結果與最佳化模擬分析結果是否有一致性。在最佳化參數分析中,上排端子得到的最佳

化參數尺寸組合為力臂水平長度= 1.76 mm、力臂寬度= 0.51 mm、折彎處內圓半徑= 0.20 mm、力臂與卡點下緣間隙= 0.10 mm。而下排端子得到的最佳化參數尺寸組合為力臂水平長度= 2.70 mm、折彎處內圓半徑= 0.35 mm、折彎處外圓直徑= 1.80 mm、力臂與卡點下緣間隙= 0.10 mm。由最佳化結果得知,上排端子正向力比初始設計提升約27%,下排端子正向力則提升約55%。而實驗結果與最佳化模擬結果比較,其上、下排端子誤差率分別為6.9% 和1.9%。