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國立中興大學 材料科學與工程學系所 蔡佳霖所指導 莊登竣的 具垂直異向性多相FePt複合膜之磁性質與微結構探討 （2020），提出seagate 4tb關鍵因素是什麼，來自於FePt-BN、C、功率變化、L10-FePt、L12-Fe3Pt、FePt3、非序化A1、垂直異向性。

而第二篇論文國立交通大學 理學院應用科技學程 吳耀銓所指導 王仁傑的 在有限基板空間內改善信號的性能 （2019），提出因為有 基板的重點而找出了 seagate 4tb的解答。

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CPU：intel　I9-7940X
（內搭塔扇：日系 Scythe Mugen 5 無限五 CPU風扇散熱器）
主機版：X299 AORUS GAMNG 7 PRO
顯示卡： RTX 技嘉 2080Ti GAMING OC 11G
硬碟： 固態硬碟 EZLINK 2.5吋 256G
固態硬碟 Kingston M2 480G
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電源供應器：銀欣６５０W 金牌/半模

鍵盤：TESORO鐵修羅 剋龍劍Gram RGB機械式鍵盤-紅軸中文黑
滑鼠：羅技 Logitech G300S
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具垂直異向性多相FePt複合膜之磁性質與微結構探討

為了解決seagate 4tb的問題，作者莊登竣 這樣論述：

本研究為對FePt添加BN及C等分隔材料(segregant)的複合靶進行兩階段功率變化沉積，作為主要研究之磁性層，希望藉以提升FePt磁性層晶粒分隔性。實驗共分兩部分，透過觀察不同功率兩階段沉積的FePt其磁性及微結構的變化，進而探討功率變化對FePt磁性層的影響。 兩部分實驗之膜層結構皆以MgTiOBN及CrRu分別作為中間層及種子層，第一部分首先比較以30W及150W沉積功率兩階段沉積厚度24nm的FePt-BN,C磁性層樣品150W/30W及30W/150W。XRD繞射結果顯示樣品皆有良好的(001)超晶格峰序化，樣品150W/30W具有較明顯的非序化FePt(200)繞射峰及

些微FePt(111)繞射峰。SQUID磁性量測結果顯示兩樣品水平與垂直矯頑力、飽和磁化量皆偏低，而不具良好垂直異向性，推測樣品中可能含有軟磁相L12-FePt。 第二部分實驗選擇改變兩階段沉積FePt的底層功率30W / X (W) 並將上層功率固定為30W，進行X =30,60,90,120,150,180,210 (W) 的一系列階梯式功率變化。XRD繞射結果顯示30W/180W及30W/210W的FePt(001)超晶格峰有較明顯角度偏移，與第一部分樣品150W/30W共同討論，由EDS組成元素分析及磁性結果的軟磁表現，驗證了各樣品確實包含硬磁相L10-FePt、軟磁相L12-F

e3Pt與FePt3及非序化相A1等多相。SQUID磁性結果顯示底層為高瓦數X = 180,210 (W)的樣品具優異的垂直異向性。同時樣品30W/180W具有相對較高的飽和磁化量(Ms)，與其由Fe占比較多的L12-Fe3Pt所主導有關，僅部分非序化相A1與少量序化L10-FePt。另FePt膜層微結構則趨於連續膜而非預期之顆粒柱狀晶，可能是造成低矯頑力的原因。由兩部分綜合討論的結果總結兩階段功率變化製程可能使得沉積FePt磁性層時Fe和Pt的組成比例不均，形成含多種相的FePt並影響磁性結果，此外以不同功率下兩階段沉積的膜層堆疊將形成不整齊的微結構。關鍵詞: FePt-BN,C;功率變化;

L10-FePt ; L12-Fe3Pt; FePt3;非序化A1;垂直異向性

在有限基板空間內改善信號的性能

為了解決seagate 4tb的問題，作者王仁傑 這樣論述：

數年前，主流的儲存裝置是以機械式硬碟為主，儲存容量最大為TB;另外儲存裝置還有另一種選擇為固態儲存裝置，儲存容量最大為MB。隨著科技的進步，固態儲存裝置採用3D NAND Flash堆疊技術，對於每單位儲存容量與傳輸速度也有了大幅提升，並且每儲存單位GB價格與機械式硬碟也持續在拉近中，漸漸的有取代機械式硬碟的趨勢。機械式硬碟應用市場主要在桌機、筆電方面;固態儲存裝置應用於許多的3C產品，例如電腦、相機、手機、平板、攝影機等等。因此相對比較起來固態儲存裝置在應用上越容易產生相容性、訊號品質不佳的問題發生。例如固態儲存裝置產品中的記憶卡搭載在許多不同的手機應用上容易會發生認卡的問題，但透過對記憶

卡與手機之間的訊號嘗試使用接地訊號分離，是能解決手機認卡的問題。經由對記憶卡產品多方面的評估、考量，藉由在有限基板空間內改善訊號的性能是能不增加成本且有效的來解決相容性及訊號品質問題，是目前業界最被廣為接受的改善方式之一。因此，實驗為假設五種可行性的設計條件是能在有限基板空間內被實現、運用，再藉由電性分析軟體解析訊號的品質及空間的利用率來定義出基板設計準則，此準則是能被運用在量產上的。

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