歡迎來到演算法、軟體和硬體三位一體的未來世界論文書籍站
國立中正大學 光機電整合工程研究所 呂明諺所指導 阮彥旻的 硫化鎘奈米線的壓電檢測特性及應用探討 （2015），提出sbh24電池關鍵因素是什麼，來自於硫化鎘、摻雜、壓電、太陽能電池。
而第二篇論文國立彰化師範大學 電子工程學系 吳正信所指導 許文權的 均勻電場半導體結構之模擬 及其調制光譜Franz-Keldysh 振盪之研究 （2013），提出因為有 調制光譜、模擬的重點而找出了 sbh24電池的解答。
硫化鎘奈米線的壓電檢測特性及應用探討
為了解決sbh24電池 的問題，作者阮彥旻 這樣論述：
本研究利用三區真空爐管成長有鎵摻雜的硫化鎘奈米線，藉由XPS分析可確定鎵有摻雜於硫化鎘奈米線內並且可知道鎵摻雜於硫化鎘奈米線中的比例平均為7.17 %。而PL量測可以明確的發現硫化鎘奈米線能隙的發光會因為鎵摻雜的緣故產生紅位移的現象從510 nm位移至516 nm。接著探討鎵摻雜的硫化鎘奈米元件電子傳輸的特性，元件量測的結果可得鎵摻雜的硫化鎘奈米線能可維持n型半導體的特性且有105的開關比，在透過分析與統計可得平均載子濃度為2.51x1017 cm-3，而平均載子遷移率則為202 cm2/V s。之後將成長的鎵摻雜硫化鎘奈米線製成可撓曲元件並對其進行形變的特性變化分析，觀察到因為形變而引起的
壓電場會改變金屬與半導體接觸時的蕭特基能障，進而影響元件的表現。另外，我們也以微影技術及陽離子轉化技術將鎵摻雜的硫化鎘奈米線製作成硫化鎘/硫化亞銅殼核異質結構，進行光伏特性的探討，並且針對不同鎵摻雜的硫化鎘/硫化亞銅殼核異質結構做特性分析，可以得知隨著摻雜量的提高(0.1 g提升至0.3 g)，整體的轉換效率也會上升(0.4045 %提升至0.6883 %)。
均勻電場半導體結構之模擬 及其調制光譜Franz-Keldysh 振盪之研究
為了解決sbh24電池 的問題，作者許文權 這樣論述：
本論文包含軟體模擬與實驗量測分析二部分。在模擬部分，我們使用APSYS軟體來分析砷化鎵p-i-n結構和表面電位結構，以期獲得近似均勻且夠強大的電場。模擬結果有助於最佳化半導體結構以便在調制光譜裡能顯現出高解析的FKOs (Franz-Keldysh oscillations)。而在實驗量測分析方面，利用電調制反射光譜(ER)的FKO訊號推算半導體中的電場，並據以得到金屬與砷化鎵接面的蕭特基能障高度(Schottky barrier height；SBH)。我們的實驗分析結果與一般文獻資料報告的SBH頗為吻合。