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國立臺灣科技大學 化學工程系 陳良益所指導 陳霆睿的 鈣鈦礦量子點發光二極體之研究 （2020），提出qled缺點2020關鍵因素是什麼，來自於溴化銫鉛鈣鈦礦、量子點、發光二極體、配體移除、界面鈍化。
鈣鈦礦量子點發光二極體之研究
為了解決qled缺點2020 的問題，作者陳霆睿 這樣論述：
近年來，全無機銫鉛鹵素鈣鈦礦量子點在光電應用中引起了巨大關注。由於鈣鈦礦量子點具有吸收係數高、螢光半高寬窄與放光波段可調等特性。然而，相對低的放射效率和較差的載子注入仍為關鍵缺點。本研究主要探討以室溫合成法進行溴化銫鉛鈣鈦礦綠光量子點製備與光電性質分析，並以此製備量子點發光二極體進行光電性質分析。首先，以室溫合成法製備溴化銫鉛鈣鈦礦綠光量子點，接著以溴化鋅進行後處理，量子點螢光量子效率可提升至98.92 %。此外，以氫溴酸水溶液後處理可優化合成時所生成的沉澱物，量子點螢光量子效率由0.43 %提升至約86.94 %。由於量子點表面的配體形成一絕緣層，導致載子注入與傳輸不易，造成元件性能不佳。
本研究透過純化步驟與後熱處理方式將配體移除。量子點純化後製成量子點發光二極體，啟動電壓為5.0 V，最高輝度為843.8 cd/m2，最大電流效率與外部量子效率分別為1.89 cd/A與0.59 %。若經過60 ℃後熱處理後，發光二極體的啟動電壓為4.6 V，最高輝度為898.3 cd/m2，最大電流效率與外部量子效率分別為2.11 cd/A與0.63 %。隨後，採用雙邊鈍化策略，在量子點薄膜頂部與底部分別塗佈溴化苯乙胺(PEA-Br)分子層與1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯(TPBi)分子層，可使發光二極體之啟動電壓降低至2.8 V，最高輝度達372.6 cd/m2，最大
電流效率與外部量子效率分別為23.35 cd/A與7.23 %。