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新一代 科大四技電機與電子群電子學與實習升學跨越講義含解析本 - 最新版(第三版) - 附MOSME行動學習一點通：詳解.診斷.評量

為了解決p型半導體的問題，作者邱佳椿,林孟郁 這樣論述：

　　1. 本書提供「考前衝刺」，濃縮教材精華，集合重要定義、性質、公式。 　　2. 重點掃描：將各章節內容重要觀念及公式作有系統的整理，條列或圖表化本章重點所在，詳細說明各章相關知識。 　　3. 精選範例及同步練習：在重點掃描之後，立即安排例題及練習，讓讀者可立即鞏固重點知識。 　　4. 隨堂練習：每主題後皆編有題型之課後練習，方便讀者可檢視自我學習成效。 　　5. 歷屆試題精選答對率與難易度：自107 年度起，測驗中心公告每一選擇題的考生答對率，並依據答對率來判別難易度（答對率小於40% 表示困難，大於等於40%、小於70% 表示中等，大於等於70% 表示容易）。 　　6. 火紅素養題型

：新課綱強調素養導向，本書於章末編有火紅素養題供練習，使讀者提前熟悉未來考題趨勢，輕鬆面對統測素養題型！   　　MOSME行動學習一點通功能：   　　使用「MOSME 行動學習一點通」，登入會員與書籍密碼後，可線上閱讀、自我練習，增強記憶力，反覆測驗提升應考戰鬥力，即學即測即評，強化試題熟練度。   　　1.詳解：至MOSME行動學習一點通（www.mosme.net）搜尋本書相關字（書號、書名、作者），登入會員與書籍密碼後，即可使用解析本內容。   　　2.診斷：可反覆線上練習書籍裡所有題目，強化題目熟練度。   　　3.評量：全國唯一整合性線上測驗平台MOSME評量中心（plc.mos

me.net），體驗多元評量方式（含模擬考、歷屆試題），了解學習狀況。

p型半導體進入發燒排行的影片

以原子層沉積技術和矽穿孔技術製作室溫二氧化鈦薄膜氣體感測器

為了解決p型半導體的問題，作者王品翔 這樣論述：

摘 要 IVABSTRACT V誌謝 VI目錄 VII圖目錄 X表目錄 XIII第一章、緒論 11.1前言 11.2工業污染的影響 21.2.1空氣汙染 21.2.2疾病介紹 31.3常見的氣體感測器介紹 41.3.1觸媒燃燒式氣體感測器 41.3.2電化學式氣體感測器 51.3.3固態電解質氣體感測器 51.3.4紅外線式氣體感測器 61.3.5半導體式氣體感測器 71.4研究動機及目的 8第二章、基礎理論與文獻探討 102.1二氧化鈦 102.1.1材料特性 102.1.2 TiO2 P型半導體參考文獻 112.2半導體式氣體感測器工作原理

122.3 氨氣氣體特性 132.4一氧化氮氣體特性 142.5氨氣氣體(NH3)感測的研究與演化 152.6氨氣參考文獻 152.7 一氧化氮氣體(NO)感測的研究與演化 162.8 一氧化氮參考文獻 172.9 原子層沉積原理 172.10 矽穿孔原理 18第三章、實驗方法 203.1 元件結構 203.2 感測器製程步驟 213.3 製程設備與分析儀器 233.3.1製程設備 233.3.2分析儀器 253.4 半導體式氣體感測器之連接方式 273.4.1 PCB板 273.4.2 IC測試夾 283.5半導體式氣體感測器之量測系統 29第四章、結

果與討論 304.1 SEM分析 304.2 FIB分析 304.3二氧化鈦之XRD分析 324.4 二氧化鈦之Raman分析 334.5 二氧化鈦之PL分析 354.6 二氧化鈦之霍爾量測分析 374.7 孔洞之光學顯微鏡(OM)分析 394.8 氣體感測器之連接方式進行室溫量測 404.8.1 PCB板 404.8.2 IC夾 414.9 二氧化鈦氣體感測器在室溫下對氨氣氣體之響應 424.9.1 平面二氧化鈦薄膜 424.9.2二氧化鈦氣體感測器 424.9.3感測機制 434.9.4濕度之探討 444.10二氧化鈦氣體感測器在室溫下對一氧化氮氣體之響應

454.10.1 平面二氧化鈦薄膜 454.10.2二氧化鈦氣體感測器 464.10.3感測機制 474.11二氧化鈦氣體感測器在室溫下進行不同氣體量測 48第五章、結論與未來展望 505.1結論 505.2未來展望 51參考文獻 52

應用電子學(第二版)(精裝本)

為了解決p型半導體的問題，作者楊善國  這樣論述：

　　作者依教學經驗及專業知識，並為兼顧學習內容及學習效果，本書由最基礎的半導體材料及PN接面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路包括：運算放大器構成之應用電路、電壓調整器、主動濾波器、功率放大器等，使學生可習得電子元件及其構成電路的基礎知識。另修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有所不同，為顧及對電學較生疏學生的需要，特別增加「電學基本概念複習」一章(第零章)，使學生具有起碼的電路基礎，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。    本書特色   　　1.本書由最基礎的半導體材料及PN接

面開始講起，到雙層元件(二極體)、三層元件(電晶體)、四層元件(閘流體)、線性積體電路-OP，到常用的應用電路，使學生可習得電子元件及其所構成電路的基礎知識。   　　2.修習本科目的學生可能來自不同的專業背景，對電學的觀念及基礎或有不同，特別增加「電學基本概念複習」，使學生具有基礎的電路概念，以協助學生進入電子電路之領域，並助益往後的教學。   　　3.本書適用大學、科大機械、自動化科系『應用電子學』、『電子學』課程使用。

疏水性兼半導體性鎳基金屬有機框架材料微米晶體之電性研究

為了解決p型半導體的問題，作者林琪家 這樣論述：

本論文主要探討 [Ni2(HFDP)1(BPYM)1(4H2O)]·H2O （以下論文簡稱為 NiHB ）疏水性金屬有機框架化合物 (metal-organic framework, MOF) 微米晶體之電傳輸特性。研究中所使用的 NiHB MOF 微米晶體具有三方晶系 (Trigonal crystal system) 結構。透過接觸角量測得出其角度為 125° ，顯示極佳的疏水性。元件製作上是利用機械剝離法將 NiHB 單晶分離成微米晶體，並利用聚焦式離子束 (focused-ion beam) 技術製作微米晶體之歐姆電極。暗電導量測顯示其電導率最高可達 208 S/cm 。熱探針量測結

果顯示此 MOF 晶體為 p 型半導體。變溫暗電導量測顯示此 MOF 晶體具備半導體性的電傳導行為，並擁有極低的活化能，最低僅有 0.02 meV ，顯示電荷經由跳躍傳輸 (hopping transport) 時幾乎不需要熱能的輔助。此結果顯示 NiHB 微米晶體具備極佳的結晶品質與有序的晶格，可提供電荷在一個比較沒有阻礙的環境進行跳躍傳輸。另外，從光電導 (photoconductivity) 量測結果發現此 MOF 微米晶體具有明顯的光電流反應，隨著雷射強度增加，光電流也呈現非線性的上升趨勢。於不同波長的雷射照射下，發現 NiHB 微米晶體對紫光具有最佳的光電流反應。不同波長的條件下，

NiHB 微米晶體也都表現出不錯的反應率 (responsivity) 與光電導增益 (gain) 。藉由時間解析光電導量測發現此 MOF 晶體良好的光電導效率乃是源自於長載子活期 (carrier lifetime) 。透過環境變化光電導量測，可進一步證明此 MOF 晶體遵循表面主導之光電導機制。