oled筆電缺點的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

TFT-LCD面板產業個案研究—以A公司為例

為了解決oled筆電缺點的問題，作者錢玟伶 這樣論述：

近幾年由於智慧型手機、平板電腦、觸控式面板不斷地在往上成長，面板業的競爭也相對激烈；從過去到現在的幾十年間，多項產品都需要用到面板，從監視器、電視、桌電、筆電到現在的智慧型手機、平板電腦等等。LCD產業與半導體產業一樣，具有資本密集、技術密集等產業特性，TFT-LCD (Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜電晶體液晶顯示器)產品因具有輕、薄、省能源、低幅射之優點。由於面板大尺寸近年的成長逐漸緩慢，反而是中小尺寸逐年成長，原因在於大尺寸的汰換率不高、使用年限長、再加上攜帶不方便等原因，反之，中小的使用率較高且又攜帶方便，才會造成許多廠商慢

慢轉型為中小尺寸。本研究以A公司為研究對象，A公司成立於2003年，2006年上市股票，於2009年與B公司合併後躍升為台灣第一大、國際第三大面板廠，目前資本額為新台幣900億，全球員工人數約9萬多人，2013年成立滿十週年。

使用氪氟準分子雷射退火處理氧化鑭鋁/二氧化鋯/氧化銦鎵鋅大氣電漿化學氣相沉積薄膜電晶體之可靠度研究

為了解決oled筆電缺點的問題，作者楊盛賢 這樣論述：

在未來的顯示器解析度越來越精細下，薄膜電晶體的驅動控制，顯得相當的重要，臨界電壓、較大的操作電壓與次臨界擺幅等缺點，是需要被改善與控制。可利用高介電(high-κ)材料作為薄膜電晶體之閘極介電層，並使用具備高載子遷移率的透明導電氧化薄膜(TCO)作為通道層材料，克服傳統使用低介電材料(如SiO2)閘極與低載子遷移率通道(如a-Si:H)所造成的問題。傳統爐管退火對a-IGZO TFTs通道層，退火不均勻性，造成缺陷。與雷射退火特性差異，快速退火方式，修復鍵結，退火均勻完整，表面處理且不影響基板受熱，並可在常溫下製作，提升其性能。在本研究中選用兩種高介電係數的材料二氧化鋯(ZrO2)、氧化鑭鋁

(LaAlO3)作為閘極介電層，搭配高摻雜n+矽基板作為閘極；並使用具有較佳光穿透性和導電性，以及較高的化學穩定性，製備成本亦相對低廉的氧化銦鎵鋅(IGZO)透明導電氧化物(TCO)來製作通道層，及調整氪氟(KrF)準分子雷射退火能量來瞭解其對元件的影響。在雷射退火能量200 mJ/cm2對通道層氧化銦鎵鋅薄膜電晶體特性方面，臨界電壓是3.35 V，載子遷移率(Mobility)是 0.205 cm2/Vs，次臨界擺幅(Subthreshold Swing)是 0.72 V/dec，電流開關比可達到4.87 x 106。並藉由正偏壓時間的長度來確認爐管退火及雷射退火對IGZO薄膜不穩定的分析

驗證，進而獲得可靠度特性的差異。