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國立陽明交通大學 工業工程與管理系所 王志軒所指導 許智斌的 探討記憶體產業的銷售預測及需求規劃 （2020），提出nand flash旺宏關鍵因素是什麼，來自於競爭關係、需求規劃、機器學習、記憶體產業、銷售預測。
而第二篇論文長庚大學 電子工程學系 吳國梅所指導 王鵬勝的 位元線輪廓製程改善之研究 （2019），提出因為有 位元線、輪廓、蝕刻、選擇比、電漿的重點而找出了 nand flash旺宏的解答。
探討記憶體產業的銷售預測及需求規劃
為了解決nand flash旺宏 的問題，作者許智斌 這樣論述：
近年來，科技快速的發展，人工智慧(Artificial intelligence)的崛起、5G(5th generation wireless systems)世代的開通與興起、物聯網(Internet of Things)的廣泛運用等，使得需要被處理的資訊量越來越大，對於處理資訊的速度也相當要求，記憶體擁有許多功能，扮演著相當重要的角色。.本研究分為三個部分，一為分析記憶體公司間的競爭關係，並說明其管理意涵；二為透過自身歷史營收進行營收預測；三為考量下游產品項出貨量建模進行營收預測。研究結果顯示在國際三家公司記憶體之間的競爭關係為三星電子對於海力士電子以及美光科技皆為片利共生，海力士電子對
於美光科技為片利共生；而在台灣三家記憶體之間的競爭關係為華邦電子對於南亞科技以及旺宏電子皆為片利共生，旺宏電子對於南亞科技為片利共生。在預測部分，以考量下游產品項出貨量進行建模的需求規劃為最佳，各個公司營收皆使用六個下游產品項手機、平板、桌上型電腦、筆記型電腦、家用遊戲機、伺服器進行變數篩選，最終選出四個重要變數並建模進行營收預測。藉由本研究，相關產業人員可去了解不同廠商間的競爭關係，並考量預測績效，能擬定更好的銷售預測及需求規劃策略。
位元線輪廓製程改善之研究
為了解決nand flash旺宏 的問題，作者王鵬勝 這樣論述：
指導教授推薦書口試委員會審定書致謝 iii摘要 iv英文摘要 v目錄 vi圖目錄 ix表目錄 xi第一章 序論 11.1 前言 11.2 研究動機 21.3 DRAM產業簡介 3第二章 原理與文獻回顧 52.1 蝕刻設備供應商 52.2 蝕刻製程 52.2.1 乾蝕刻製程 62.3 類鑽石(DLC)膜 82.3.1 碳材料的分類 82.3.2 DLC薄膜的製作方法 102.3.3 DLC薄膜的優點及應用 102.4 Ti/TiN鈦金屬及氮化物 112.4.1 Ti/TiN鈦元素基本資料 112.4.1 Ti/TiN鈦元素化學性質 122.4.3 Ti/TiN的應用 122.5 量測機台
142.5.1 SEM（掃描式電子顯微鏡）142.5.2 掃描式電子顯微鏡原理 152.5.3 掃描式電子顯微鏡應用 15第三章 實驗架構 173.1 實驗架構 173.2 實驗流程 183.3 本實驗SEM量測機台 23第四章 實驗結果與討論 244.1 W1鎢W 主蝕刻步驟參數調整 244.2 W2鎢W 65nm厚度之蝕刻步驟 274.2.1 絕緣氧化層(Oxide) 打穿（punch through）確認 274.2.2 W2變更蝕刻氣體Gas 294.2.3 W2變更蝕刻壓力(Pressure) 314.2.4 W2變更蝕刻上電極功率(Source Power) 334.2
.5 W2變更蝕刻下電極功率(Bias Power) 344.2.6 W2變更蝕刻溫度(Temperature) 374.2.7 W2變更蝕刻時間(Etch Time) 38第五章 結論與未來展望 425.1 結論 425.2 未來展望 43參考文獻 45圖目錄圖1-1 3D Super-DRAM與平面DRAM結構比較 1圖2-1 氮化鈦層應用於鎢材料示意圖 14圖2-2 SEM構造圖 16圖2-3 線寬、洞寬和間隔寬度量測示意圖 16圖2-4 SEM主要構造示意圖 16圖3-1 位元線(Bit Line)結構剖面圖及目標 18圖3-2 實驗流程示意圖 20圖3-3 實驗蝕刻前結構示意圖 21
圖3-4 實驗蝕刻前SEM量測圖 21圖3-5 實驗蝕刻前Top view結構圖製程流程圖 22圖3-6 Hitachi S5500 機型 23圖4-1 W1鎢主蝕刻步驟20秒SEM量測圖 24圖4-2 W1鎢主蝕刻步驟25秒SEM量測圖 25圖4-3 W2鎢過蝕刻循環蝕刻(Loop2)第二次SEM量測圖 28圖4-4 W2鎢過蝕刻循環蝕刻(Loop3)第三次SEM量測圖 28圖4-5 W2步驟7 SEM O2 量測圖 29圖4-6 W2步驟5 SEM O2量測圖 30圖4-7 W2步驟7蝕刻壓力SEM量測圖 31圖4-8 W2所有TiN蝕刻步驟壓力參數SEM量測圖 32圖4-9 W2步驟7
Source power SEM量測圖 33圖4-10 W2所有TiN蝕刻步驟Bias power參數SEM量測圖 35圖4-11 W2步驟7 Bias power SEM量測圖 36圖4-12 W2所有步驟蝕刻溫度(Temperature)參數SEM量測圖 37圖4-13 W2步驟1蝕刻時間(Etch Time)參數SEM量測圖 39圖4-14 W2 TiN步驟蝕刻時間(Etch Time)參數SEM量測圖 40圖4-15 W2移除步驟6 TiN蝕刻步驟參數SEM量測圖 41表目錄表4-1 W1鎢主蝕刻步驟20秒實驗參數 25表4-2 W1鎢主蝕刻步驟25秒實驗參數 26表4-3 W2鎢過蝕
刻步驟循環蝕刻參數 27表4-4 W2增加O2於步驟7蝕刻參數 29表4-5 W2增加O2於步驟5蝕刻參數 30表4-6 W2步驟7蝕刻壓力參數 31表4-7 W2所有TiN蝕刻步驟壓力參數 32表4-8 W2步驟7蝕刻Source power參數 33表4-9 W2所有TiN蝕刻步驟Bias power參數 34表4-10 W2步驟7蝕刻Bias power參數 36表4-11 W2所有的步驟蝕刻溫度(Temperature)參數 37表4-12 W2步驟1蝕刻時間(ETCH TIME)參數 38表4-13 W2所有TiN蝕刻步驟蝕刻時間(Etch Time)參數 40表4-14 W2移除步
驟6 TiN蝕刻步驟參數 41