lcr meter電容量測的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

氮氧化銦氧氣感測元件之研究

為了解決lcr meter電容量測的問題，作者賴建名 這樣論述：

本研究是使用直流濺鍍系統在n型矽基板上成長氮氧化銦(InON)之感測薄膜的氧氣感測元件(Oxygen sensor)，研究中有兩種氧氣感測元件架構，分別為有無濺鍍p型薄膜緩衝層的結構，將探討氮氧化銦之感測薄膜的靈敏度(Sensitivity)與響應度(Responsivity)。利用直流濺鍍製程成長矽磊晶層於矽基板上作為氧氣感測元件p型緩衝層，再以直流濺鍍製程成長氮氧化銦的氣體感測層。測量霍爾量測系統檢測感測薄膜之載子型態(Carrier type)、載子濃度(Carrier concentration)與載子移動率(Carrier mobility)並測量於相對氧氣濃度0%〜50%下測量各

氧氣濃度下氣體感測元件的回滯靈敏度、時飄效應，得到氧氣感測元件的電阻值、電感值與電容值再不同氧氣濃度下的關係特性，以證明應用於人體的氧氣傳感裝置的生物相容性特性。

在不同基板與緩衝層上氮化鋁鍍膜之濕度感測研究

為了解決lcr meter電容量測的問題，作者黃柏凱 這樣論述：

本研究為在不同基板與緩衝層上氮化鋁鍍膜之濕度感測研究，採直流濺鍍(DC Vacuum Sputtering)於n型(111)晶向結構矽基板與塑膠基板上進行，製備出多種不同結構及特性之濕度感測元件，結構分別為n型(111)矽基板與塑膠基板上有無濺鍍矽緩衝層(Buffer)及在矽基板上濺鍍完氮化鋁感測層後有無進行高溫熱退火(Annealing)，製成出6種含金氧半場效電晶體(MOSFET)、PN接面(p-n junction)、雙極性接面電晶體(BJT)等特性之感測元件，分別為n型(111)矽基板無/具矽緩衝層、n型(111)矽基板無/具矽緩衝層(熱退火)、塑膠基板無/具矽緩衝層。霍爾效應量測儀

(Hall coefficient)量測電阻係數(Resistivity)、載子遷移率(Carrier mobility)、載子濃度(Carrier concentration)及導電率(Conductivity)。電源量測設備(SMU)量測30%RH~90%RH下之電流-電壓特性曲線(I-V curve)分析，探討相對濕度變化下的電流電壓變化。環境參數量測儀(LCR meter)，觀察30%RH~90%RH下之電感、電容、電阻值變化，探討靈敏度(Sensitivity)、響應度(Responsitivity)、迴滯度(Hysteresis)並繪製時飄曲線圖(Time response)。經量

測以n型(111)矽基板具矽緩衝層較為突出，熱退火後氮化鋁感測層薄膜之載子型態為P型，載子濃度為1.307×1019 cm3，載子遷移率為1.091×102 cm/Vs，電阻係數為4.044×10-3 Ω-cm，n型(111)矽基板具矽緩衝層具有較優的回滯靈敏度，阻抗式電阻性量測吸附及去吸附為7.057及1.268 KΩ/%RH，在退火後時飄響應度及I-V靈敏度也有不錯的提升，時飄響應度為P-N結構，吸附及去吸附平均為30及67秒，I-V靈敏度為MOS結構，平均為66.16 KΩ/%RH。