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國立中山大學 物理學系研究所 張鼎張所指導 林立惟的 次世代顯示器InGaZnO薄膜電晶體於照光環境下之電性可靠度分析與機制探討 （2012），提出igzo缺點關鍵因素是什麼，來自於非晶態氧化鋅摻銦摻鎵、照光、汲極偏壓可靠度、紫外光感測器、氧氣。
創新材料學
為了解決igzo缺點 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
次世代顯示器InGaZnO薄膜電晶體於照光環境下之電性可靠度分析與機制探討
為了解決igzo缺點 的問題，作者林立惟 這樣論述：
近年來，由於金屬氧化物半導體擁有諸如：高載子移動率、高均勻度、低製程溫度等的優點，使其成為相當熱門的研究題目。其中高能障的金屬氧化物半導體，由於不吸收可見光，擁有可應用於透明顯示器的潛力，而備受到各界重視，舉例來說如本研究中的非晶態氧化鋅摻銦摻鎵(a-IGZO)。但a-IGZO缺點在於其對環境中氣氛、亮暗以及元件操作偏壓非常敏感，穩定性較差。在本研究中我們將a-IGZO TFT操作於氧氣與照光的環境中，並探討其在大汲極偏壓下的穩定性。由於應用於主動式有機發光二極體螢幕(AMOLED)的TFT，時常操作於大汲極偏壓，因此大汲極偏壓下的穩定度問題，對IGZO於AMOLED方面的應用非常重要。除了
在直流汲極偏壓下的穩定度，我們也更進一步探討交流汲極偏壓下的穩定度問題。另一方面，IGZO在照光下展現的不穩定性，使其擁有應用於光感測器的潛力，我們也探討將IGZO TFT應用於光感測器的可能性。實驗結果顯示，IGZO當操作於汲極偏壓下時會受到氧氣分子吸附與光產生的電子電洞對影響。而在光感測器研究方面，元件展現出對紫外光有較高的敏感度，在本論文中，IGZO TFT應用於紫外光感測器的操作機制將被充分討論。