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國立中山大學 物理學系研究所 張鼎張所指導 蔡育霖的 非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體於曲率式的可靠度與紫外光感測 （2021），提出igzo優點關鍵因素是什麼，來自於銦鎵鋅氧、薄膜電晶體、金屬氧化物半導體、可彎曲式元件、正偏壓可靠度、負偏壓照光可靠度、紫外光感測器。
而第二篇論文國立陽明交通大學 光電工程研究所 劉柏村所指導 施怡儒的 可應用氧化銦鋅鐵電電晶體於後段製程相容記憶體之研究 （2021），提出因為有 記憶體內運算、單晶片三維集成、後段製程、低熱預算、非晶氧化銦鋅、非揮發性記憶體、鐵電電晶體的重點而找出了 igzo優點的解答。
創新材料學
為了解決igzo優點 的問題，作者田民波 這樣論述：
《創新材料學》共分10章，每章涉及一個相對獨立的材料領域，自成體系，內容全面，系統完整。內容包括半導體積體電路材料、微電子封裝和封裝材料、平面顯示器相關材料、半導體固態照明及相關材料、化學電池及電池材料、光伏發電和太陽能電池材料、核能利用和核材料；能源、信號轉換及感測器材料、電磁相容—電磁遮罩及RFID 用材料、環境友好和環境材料，涉及最新技術的各個領域。本書所討論的既是新技術中所採用的新材料，也是新材料在新技術中的應用。
igzo優點進入發燒排行的影片
官方網站：https://tw.dynabook.com/
今天開箱的Dynabook PORTEGE X30L-G，可是大有來頭，前身是Toshiba所出的筆電，後來被鴻海集團日本SHARP公司收購 Toshiba 筆電後，將公司名稱與品牌Logo整合為「 Dynabook 」，繼續延續30年筆電優秀的血統。而這款Dynabook PORTEGE X30L-G，是 Dynabook 30周年紀念筆電，由日本設計且通過軍規等級測試，搭載最新第十代Intel Core i5& i7 (選配)，此外結合SHARP優秀的IGZO螢幕，提供顏色更加漂亮且低耗電的優點，最重要的就是，PORTEGE X30L-G僅僅只有822g，非常輕薄。
＃Dynabook ＃X30L-G ＃開箱 ＃日本設計
非晶態銦鎵鋅氧薄膜電晶體於曲率式的可靠度與紫外光感測
為了解決igzo優點 的問題，作者蔡育霖 這樣論述：
近年來科技快速的發展，生活愈來愈便利，手機、平板及穿戴裝置的普遍性愈來愈高，因此幫助人類與電子元件溝通的顯示器，一直受到廣大的關注。然而這些攜帶式的電子設備因為充電不易，因此往往需要大容量的電池輔助，也意味著重量更重且不便攜帶。因此顯示器所使用的材料極為重要，必須為低漏電特性的amorphous-InGaZnO (a-IGZO)材料來降低電能損耗。此外a-IGZO材料除了低漏電的優點外還有高載子遷移率、高均勻度及低製成溫度的特性，可以生長於塑膠基板上，來滿足未來的可彎曲式面板需求。然而電晶體在彎曲下可能會有額外的應力產生，因此a-IGZO薄膜電晶體在彎曲下的可靠度物理機制需要進行探討並釐清。
本論文第一部分，探討平坦跟機械應力下的a-IGZO薄膜電晶體去進行升溫的開態可靠度測試與分析，觀察到平坦的元件在可靠度下不會有劣化產生，但在壓應力情形下會有異常的兩階段電流抬升(Hump)出現。為了釐清這個異常Hump的機制，進行了彎曲下不同通道長與寬元件的升溫可靠度實驗。發現在同長但不同寬的元件下Hump會疊在一起，然而在同寬但不同長的元件下Hump會隨著通道長度愈長而Hump愈嚴重。此外發現第一階段的電流抬升符合載子捕獲模型(Charge Trapping Model)，因此可以確定是電洞注入到蝕刻停止層導致。並且COMSOL模擬驗證了蝕刻停止層會有最強的應力，確實是最有可能注入的位置。第
二部分，針對a-IGZO薄膜電晶體對紫外光敏感的議題，去進行紫外光感測的應用。本次使用的結構為底閘極元件與雙閘極元件兩種。首先對兩種元件量測暗態環境下與紫外光環境下的基本電性。發現兩種元件的基本電性不同，但在紫外光環境下會有相似的特性，因此針對這異常的現象提出模型解釋。原因主要是照光產生的電子電洞對導致光電流的產生，並且受到電洞影響使元件更早導通。所以兩種元件於暗態環境下與紫外光環境下的量測比較才會出現這異常的現象。最後應用雙閘極a-IGZO薄膜電晶體異常的現象設計出高敏感性與高性能的紫外光感測器。接著針對高敏感性與高性能的紫外光感測可靠度去做進一步的研究。由於元件感測的能力會隨著元件劣化而慢
慢失效，造成這個劣化的原因是因為雙閘極a-IGZO電晶體在關態照光下會有電洞注入蝕刻停止層。為了優化此缺點使用長上閘極與短上閘極兩種元件來進行長時間的可靠度研究。從兩種元件的I-V曲線，發現短上閘極能降低在關態照光下的劣化情形。並且從C-V曲線觀察到上閘極會有尖端電場的產生，而這個尖端電場在長上閘極元件中會使得源極能障出現降低的現象，但在短上閘極元件中則不會出現。原因是短上閘極元件的上閘極與源極距離較遠，因此尖端電場不會影響到源極能障。並且短上閘極元件的I-V曲線劣化較少，也是因為上閘極較短所導致。受短上閘極偏壓影響的內部電場，會更容易被源極、汲極和底閘極分散掉。而分散元件內部電場這一部分也從
ISE-TCAD的電場模擬得到驗證。因此使用短上閘極元件進行紫外光感測可以有效分散蝕刻停止層中的電場，來減少劣化的情形。最後對兩種元件分別進行長時間的紫外光感測，發現分散較多內部電場的短上閘極元件確實能有更長的感測時間，幾乎是長上閘極元件的兩倍時間。
可應用氧化銦鋅鐵電電晶體於後段製程相容記憶體之研究
為了解決igzo優點 的問題，作者施怡儒 這樣論述：
隨著大數據處理及物聯網的時代來臨，傳統記憶體面臨許多問題與挑戰。雖然出現許多新興記憶體，但考量到低功耗、快速切換、長時間的資料保存時間及耐久性，鐵電記憶體具有相當大優勢。近年來，新興的鐵電材料Hf0.5Zr0.5O2 (HZO)克服傳統鐵電材料(PZT、SBT...)面臨的無法微縮與環境汙染的困境，並且延續傳統鐵電材料的優點。隨著人工智能的發展，傳統的計算系統馮．諾伊曼結構(von Neumann Architecture)，會受限於記憶體頻寬不足，遇到內存牆(Memory Wall)的問題。記憶體內運算(CIM)是克服內存牆的一種替代方法。將簡單的邏輯運算移至記憶體陣列中，記憶體不再只是儲
存資料，還能在記憶體內執行簡單的運算。隨著積體電路的蓬勃發展，元件的微縮是必然。但隨著科技逐步走進量子層級，效能逐漸下降，專家預測摩爾定律終將會迎來物理極限。為了使記憶體和處理單元之間，實現更加密集，以及更加靠近的連接，提出新的架構單晶片三維(M3D)集成。單晶片三維整合技術開始受到注目，為實現更快速、更便宜且更小型的晶片開發途徑帶來了希望。然而，後段製程的溫度控制對單晶片三維整合技術為一大考驗，運用在顯示技術的薄膜電晶體就具備了低熱預算、低功耗以及高相容性等優勢。在眾多材料的薄膜電晶體中，又以非晶氧化物半導體薄膜電晶體(Amorphous Oxide Semiconductor, AOS)最
具有潛力，具有低熱預算、高載子遷移率、高均性、低成本的優點。隨著科技對傳輸速率要求的提高，非晶氧化銦鋅(IZO)材料的高載子遷移率，相較於最備受矚目且被廣泛地研究的氧化銦鎵鋅(IGZO)材料，更加符合M3D技術對高傳輸速率的需求。此外，IZO 還具有以較薄的厚度，就可以實現良好性能的優點。本研究中展示了與後段製程兼容的單晶片三維整合的非揮發性記憶體鐵電電晶體，並可結合記憶體內運算架構。我們使用低熱預算(< 500℃)製程，將新興鐵電材料HZO與非晶氧化銦鋅半導體氧化物通道集成，並且為了更大優化鐵電電晶體的記憶窗口，提出在鐵電薄膜上先沉積一層犧牲覆蓋層(Sacrificial Capping L
ayer, SCL)，去穩定應變力而誘導的鐵電晶相，藉此增加鐵電晶相的形成，以打開記憶窗口大小。在沉積通道非晶氧化銦鋅時，調變氧通量以及厚度，找出最佳化的薄膜製程參數。然後，提出更換蝕刻犧牲覆蓋層的蝕刻溶液，以及在蝕刻後的介面上沉積一層介面層(Interfacial Layer, IL)，以更加優化記憶窗口。最後，成功地製造和展示出極大記憶窗口(Memory Window, MW)的超薄非晶氧化銦鋅鐵電薄膜電晶體，並且可以實現極長的保留時間，以及耐久性。