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igbt中文的問題，我們搜遍了碩博士論文和台灣出版的書籍，推薦（德）福爾克，郝康普寫的 IGBT模塊：技術、驅動和應用(中文版 原書第2版) 可以從中找到所需的評價。
另外網站次世代光電先進材料CVD Diamond Wafer也說明：IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) · Variable Frequency Drives(VFDs) 可變變頻元件 · Electric Cars 電車 · Hybrid Car 油電混合汽車 · Train 列車 · Variable speed ...
國立臺北科技大學 管理學院EMBA華南專班 黃乾怡所指導 歐陽永芳的 手機均溫板產業競爭策略分析 （2021），提出igbt中文關鍵因素是什麼，來自於手機均溫板、競爭策略、五力分析、SWOT分析、AHP層級分析法。
而第二篇論文東海大學 電機工程學系 苗新元所指導 魏廷祐的 以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究 （2021），提出因為有 氮化鎵、奈米碳管、蕭基二極體的重點而找出了 igbt中文的解答。
最後網站一文了解IGBT基础知识资料下载 - 电子发烧友則補充：IGBT ， 中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的 ...
IGBT模塊：技術、驅動和應用(中文版 原書第2版)
為了解決igbt中文 的問題，作者（德）福爾克，郝康普 這樣論述：
本書首先介紹了IGBT的內部結構，然后通過電路原型或基本模型推導出的IGBT變體形式。在此基礎上，探討了IGBT的封裝技術。本書還討論了IGBT電氣特性和熱問題，分析了IGBT的特殊應用和並聯驅動技術。這些分析還包括了IGBT的實際開關行為特性、電路布局、應用實例以及設計規則。 譯者序序前言第1章 功率半導體 1.1 簡介 1.1.1 本征載流子濃度 1.1.2 摻雜 1.1.3 載流子在半導體中的運動 1.1.4 載流子的產生與復合 1.1.5 PN結 1.1.6 反向擊穿 1.1.7 制造工藝 1.2 二極管 1.2
.1 快恢復二極管 1.2.2 電源（整流）二極管 1.2.3 肖特基二極管 1.2.4 齊納二極管與雪崩二極管 1.3 晶閘管 1.4 雙極結型晶體管和場效應晶體管 1.4.1 雙極結型晶體管（BJT） 1.4.2 場效應晶體管（FET） 1.5 絕緣柵雙極型晶體管（IGBT） 1.5.1 穿通（PT）IGBT 1.5.2 非穿通（NPT）IGBT 1.5.3 場終止（FS）IGBT 1.5.4 溝槽柵（Trench）IGBT 1.5.5 載流子儲存溝槽柵雙極晶體管（CSTBTTM） 1.5.6 注入增強柵晶體管（IEG
T） 1.5.7 溝槽柵場終止（Trench-FSIGBT） 1.5.8 逆導型IGBT（RCIGBT） 1.5.9 IGBT集成的額外功能 1.6 前景展望 1.7 制造商 本章參考文獻第2章 IGBT器件結構 2.1 簡介 2.2 IGBT模塊的材料 2.2.1 塑料框架 2.2.2 襯底 2.2.3 基板 2.2.4 塑模材料、環氧樹脂和硅膠 2.3 電氣鍵合工藝 2.3.1 內部電氣連接技術 2.3.2 外部電氣連接技術 2.4 設計理念 2.4.1 標准IGBT模塊 2.4.2 壓接式IGBT 2
.4.3 智能功率模塊（IPM） 2.4.4 IGBT模制模塊 2.4.5 分立式IGBT 2.4.6 套件 2.5 半導體的內部並聯 2.6 低感設計 2.7 IGBT模塊的電路拓撲 2.8 IGBT絕緣配合 2.8.1 電氣間隙和爬電距離 2.8.2 絕緣電壓 2.8.3 局部放電 2.9 制造商概覽 本章參考文獻第3章 電氣特性 3.1 簡介 3.2 二極管的正向特性 3.3 二極管的開關特性 3.3.1 二極管的開通 3.3.2 二極管的關斷 3.4 IGBT的正向特性 3.5 IGBT的開關特性 3.5.1
IGBT的開通特性 3.5.2 IGBT的關斷特性 3.5.3 柵極電荷和密勒效應 3.5.4 NPTIGBT與溝槽柵IGBT關斷特性比較分析 ……第4章 熱原理第5章 模塊數據手冊第6章 IGBT驅動第7章 實際應用中的開關特性第8章 IGBT模塊的並聯和串聯第9章 射頻振盪第10章 機械安裝指導第11章 基本電路與應用實例第12章 信號測量和儀器第13章 逆變器設計第14章 質量與可靠性附錄 名詞術語縮寫
手機均溫板產業競爭策略分析
為了解決igbt中文 的問題，作者歐陽永芳 這樣論述：
隨著手機硬體、處理器性能的不斷升級和5G時代的到來，需要處理的資料越來越多，手機執行的任務的計算和處理變得更加複雜。但是手機的體積卻越來越薄，機身內部空間狹小，系統在工作時的運作性能，會隨者溫度的增高而導致性能降低，所以在手機上的散熱就顯得特別重要。因為5G智慧型手機市場龐大體量的散熱需求及對原有散熱產業是一個從零到有的增長，因此催生了均溫板作為解決手機散熱問題的新型應用及手機均溫板產業，在此市場商機巨大的背景下，眾多散熱廠商投入此市場，使的整個手機均溫板產業變成一個激烈競爭的局面。故本研究目的在利用Porter五力模型及SWOT（Strengths、Weaknesses、Opportuni
ties、 Threats, SWOT）分析法、層級分析法（Analytic Hierarchy Process, AHP），透過定性與定量相結合的方式，研究手機均溫板產業，最後基於SWOT結合AHP法對個案公司競爭策略的量化分析得出的結論，應該採取發展型策略，但同時根據未來手機均溫板行業的發展趨勢，發現僅採用SO發展型策略看起來略過保守，因此本論文建議在採取SO發展型策略的同時，應同時利用自身優勢，將威脅降到最低，即同時採取ST多元型策略中的對策。
以面積結構效應改善奈米碳管薄膜蕭基二極體逆向偏壓之研究
為了解決igbt中文 的問題，作者魏廷祐 這樣論述：
金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)是一種可以廣泛使用在類比電路與數位電路的場效電晶體。主要用於將發電設備所產生電壓和頻率雜亂不一的電流，透過一系列的轉換調製變成擁有特定電能參數的電流，以供應各類終端電子設備，成為電子電力變化裝置的核心元件之一。MOSFET依照其通道極性的不同，大多可分為電子占多數的N通道型半導體與電洞占多數的P通道型。MOSFET主要是利用電場效應來控制電流，使一種用輸入電壓控制輸出電流的半導體器件。但MOSFET所處在強大電場環境的情況下，內部界面會容易產生極大的電場集中，而導致元件的界面被擊穿。為了解決電場集中擊穿元件的問題，人們發現在MOSFET結構裡加入PN
P或NPN結構的雙極性電晶體，去拉平其電場改善元件被擊穿的問題，因而發展出了IGBT這種擁有驅動電流小，導通電阻也很低的元件。但在MOSFET裡加入雙極性電晶體不只成本高、製作程序也相當繁雜，一般廠商較難負荷此成本。所以本實驗想到利用相同特性的蕭基二極體來取代，但蕭基二極體的逆向偏壓低且漏電流大，因而我們在二極體當中加入奈米碳管液，CNT蒸乾後呈薄膜狀，CNT是奈米級的良好導體，可以在元件施加逆向偏壓，使電場集中於終止邊緣的效應放大(Edge Termination)時，利用其特性將電場拉平，藉以提升逆向偏壓，有效平衡電場，故可以解決因電場集中而讓元件界面被擊穿的問題，因此發展出了許多終端結構
[3]。我們為使其增加二極體的逆向偏壓，使用黃光微影製成在氮化鎵基板及CNT薄膜上蒸鍍Ni/Au形成蕭基及歐姆接面來量測，希望能產出結構簡單，又能保留IGBT優點的元件。根據[1]，噴塗CNT後，以超音波震盪機加溫蒸乾，並選用金屬Ni跟Au分別來製成蕭基與歐姆介面，再以光罩定義圖型結構。本實驗加入CNT後，可將原本逆向偏壓-40V提升至-100V左右；改變元件結構後加入CNT，能將原本逆向偏壓-2.5V提升至-10V左右。CNT如我們所預期的，能夠提升元件逆向偏壓，延緩元件被電場擊穿的問題。