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國立高雄科技大學 電子工程系 蘇德仁所指導 洪忠緯的 提升無線網路於室內功率之研究 (2021),提出gigabit wan是什麼關鍵因素是什麼,來自於無線網路、電磁波、全向性天線、金屬反射、功率。

而第二篇論文國立成功大學 材料科學及工程學系 陳貞夙所指導 賴宜生的 電漿化學氣相沈積五氧化二鉭介電層之特性研究 (1998),提出因為有 五氧化二鉭、電漿輔助化學氣相沈積、介電層的重點而找出了 gigabit wan是什麼的解答。

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接下來讓我們看這些論文和書籍都說些什麼吧:

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提升無線網路於室內功率之研究

為了解決gigabit wan是什麼的問題,作者洪忠緯 這樣論述:

近幾年,3C產品的功能神速進步以及對生活上帶來許多便利,雲端的大數據及類神經網路或是AI運算才是此成就的因素,然而這些運算數據都需要靠電電磁波與3C產品互傳,家用無線網路分享器與戶外用的大型基地台就是扮演這訊號連結的重要角色。 然而電磁波功率會因為自然的物理現象,造成訊號被障礙物抵消或是折射,如建築物或是牆壁甚至金屬鐵門窗,導致分享器的全向性天線發射訊號不能夠穩定輸出,接收用的3C產品數據處理上產生延遲停頓,甚至誤動作。 本論文的實驗目的,是利用生活中容易取得的金屬,將放在牆腳上的分享器,把部分被牆壁抵消之功率訊號,利用金屬能導電之原理,將訊號有效的產生反射作用,再與主訊號合併,讓接收用

的3C產品,能獲得更穩定電磁波訊號,增加數據處理的穩定度。 也因為銅金屬反射,能使電磁波增加5~15dbm,減少多餘供電用放大電路,使得再使用上能將訊號強度適度優化,增加使用穩定度,並降低額外的成本。

電漿化學氣相沈積五氧化二鉭介電層之特性研究

為了解決gigabit wan是什麼的問題,作者賴宜生 這樣論述:

本實驗主要研究電漿輔助化學氣相沈積與低壓化學氣相沈積五氧化二鉭薄膜在矽基板與鉑基板的材料性質和電性行為,經過爐退火與電漿退火兩種不同方式的處理,比較其應用在高容量動態隨機存取記憶體的可行性。 五氧化二鉭薄膜的製備是利用氮氣輸送五乙氧基鉭蒸氣之後與氧氣混合,另外加入酒精蒸氣促來進五乙氧基鉭水解以加速反應。此實驗是以改變電漿功率為主要參數,電漿功率的提升有助於增加薄膜的緻密性但是卻降低沈積速率,表面形態比起不使用電漿較不平整。經過退火處理後的五氧化二鉭薄膜,在電性上的表現有相當大的改善,使用爐退火在800℃時會使非晶質相的五氧化二鉭薄膜變成斜方晶系的結晶相。但是作為五氧化二鉭

介電層之鉑下電極在高溫處理後,表面會有突丘現象,而作為鉑和二氧化矽基板潤濕層的鈦會擴散至鉑表面,對五氧化二鉭薄膜的可靠度造成影響,使用電漿退火能夠解決上述缺點和改善電性,並有降低製程溫度的優點。 我們比較MIS(Al/Ta2O5/Si)與MIM(Al/Ta2O5/Pt)的電容結構,發現MIM結構具有較佳的電容儲存能力,MIS結構則因五氧化二鉭與矽之間會生成低介電相的二氧化矽而降低了整體的介電常數。MIM結構在80W沈積的薄膜有最高的介電常數23.3,電漿退火後可達25.4,漏電流性質也比沒有電漿輔助沈積的Ta2O5薄膜的性質好,故電漿輔助在介電材料的應用上有其研究的價值。