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國立臺北科技大學 管理學院EMBA華南專班 應國卿所指導 陳俊達的 氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢 （2021），提出gan充電器關鍵因素是什麼，來自於氮化鎵、碳化矽、寬能隙、第三代半導體、化合物半導體。

而第二篇論文國立雲林科技大學 電機工程系 林伯仁所指導 李宗禧的 應用於高電壓直流匯流排電動車充電站之寬範圍輸出DC/DC轉換器研製 （2021），提出因為有 電動汽車、電動車電池充電器、三階相移轉換器的重點而找出了 gan充電器的解答。

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氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢

為了解決gan充電器的問題，作者陳俊達 這樣論述：

本研究從市場面和應用面來探討氮化鎵 (Gallium Nitride, GaN)半導體產業之發展與市場趨勢，因為GaN能夠在廣泛的應用中提供顯著改進的性能，同時減少提供該性能所需的能量和物理空間。在矽材料應用於功率轉換已達到其材料物理極限，GaN在未來應用技術變得日漸重要。由於GaN具有效率、開關速度、尺寸和高溫操作的優勢，使越來越多競爭者投入市場，5G、EV車用電子、太陽能逆變器等電源系統在使用GaN後，對於效能的提升與減少能源消耗都有相當助益。本研究透過專家訪談了解氮化鎵半導體產業之發展與市場趨勢，有快速充電器的市場助益，強烈帶動了GaN的市場，加上未來的電動車與能源等應用，讓第三類半導

體材料更加重要，希望本研究能提供相關業者之參考。

應用於高電壓直流匯流排電動車充電站之寬範圍輸出DC/DC轉換器研製

為了解決gan充電器的問題，作者李宗禧 這樣論述：

目錄摘要 iABSTRACT ii誌謝 iii目錄 iv表目錄 viii圖目錄 ix符號說明 xiv第一章 緒論 11.1研究背景及動機 11.2 研究內容 21.3 論文大綱 3第二章 電動車充電規格介紹 42.1 電動車充電等級 52.2 電動車充電介面 52.3 電動車充電技術 62.4快速充電站 10第三章 混合型寬範圍輸出三階全橋相移轉換器分析 123.1相關技術介紹 123.1.1對稱式半橋轉換器 123.1.2全橋相移轉換器 133.2三階相移轉換器 143.2.1三階相移轉換器工作模式 163.2.2工作模式一(t0~t1) 173.2.3工作模式二(t1~t2) 173.

2.4工作模式三(t2~t3) 183.2.5工作模式四(t3~t4) 193.2.6工作模式五(t4~t5) 193.2.6工作模式六(t5~t6) 203.3 論文電路架構 213.4低壓模式電路動作原理分析 243.4.1 工作模式一(t0~t1) 263.4.2 工作模式二(t1~t2) 273.4.3 工作模式三(t2~t3) 283.4.4 工作模式四(t3~t4) 293.4.5 工作模式五(t4~t5) 303.4.6 工作模式六(t5~t6) 313.5高壓模式電路動作原理分析 333.5.1 工作模式一(t0~t1) 353.5.2 工作模式二(t1~t2) 363.5.

3 工作模式三(t2~t3) 373.5.4 工作模式四(t3~t4) 393.5.5 工作模式五(t4~t5) 403.5.6 工作模式六(t5~t6) 42第四章 電路元件分析與設計 444.1 電器規格 444.2 電路元件與設計選用 444.2.1 三階相移轉換器變壓器設計 444.2.2 半橋轉換器變壓器設計 494.2.3 功率開關元件設計與選用 524.2.4 整流二極體與旁路二極體設計 544.2.5 輸出電感設計 554.2.6諧振電感設計 564.2.7 輸出濾波電容設計 564.2.8 交流開關設計與選用 57第五章 損耗分析與效率預估 595.1 功率開關元件損耗分析

595.2 整流二極體與旁路二極體損耗分析 595.3 三階相移變壓器損耗分析 605.4 半橋轉換器之變壓器損耗分析 615.5 諧振電感Lr1損耗分析 625.6 輸出濾波電感損耗分析 645.7 交流開關損耗分析 665.8 電路效率預估 66第六章 模擬與實驗數據結果 686.1 電路實作規格 686.2 模擬波形結果 706.3 電路實測波形結果 85第七章 結論與未來展望 1007.1 結論 1007.2 未來展望 100參考文獻 102

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