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氣流隔絕裝置應用於光罩倉儲系統之隔絕效果研究

為了解決foup家登的問題，作者林哲宇 這樣論述：

目錄摘要 iABSTRACT iii誌謝 v目錄 vi表目錄 ix圖目錄 xi1 第一章 緒論 11.1 研究背景與動機 11.2 潔淨室 21.2.1 潔淨室定義 21.2.2 潔淨度分級範圍 21.2.3 潔淨室種類 41.3 微影製程及光罩 71.3.1 光阻劑 71.3.2 微影製程 71.3.3 光罩 81.3.4 光罩盒 81.4 氣態分子汙染物 81.5 撓曲方程式 101.6 文獻回顧 111.7 研究目的 131.8 研究創新 132 第二章 實驗設備與儀器 142.1 實驗設備 142.1.1 實驗場地 142.1.2 S

tocker room及外部無塵室 152.1.3 氣流隔絕裝置(FID) 172.1.4 示蹤氣體 202.1.5 雷射掃略成像系統 212.1.6 影像紀錄設備 242.2 實驗儀器 262.2.1 熱線式風速計 262.2.2 轉速計 262.2.3 壓差傳感器 272.2.4 THR20觸控式無紙紀錄器 283 第三章 實驗方法 293.1 實驗系統圖 293.2 FFU風速量測 303.3 示蹤氣體釋放手法 313.4 壓力調整方法 353.5 兩室壓差量測方法 353.6 實驗方法 353.7 流場可視化實驗流程 373.8 理論分析 373.

8.1 瑞利散射及米氏散射 383.9 質點影像測速技術 383.10 實驗數據分析方法 394 第四章 結果與討論 404.1 Case 1.0 404.2 Case 1.1 414.3 Case 1.2 434.4 Case 1.3 444.5 Case 1.4 464.6 Case 2.0 474.7 Case 2.1 494.8 Case 2.2 514.9 Case 2.3 524.10 Case 2.4 544.11 Case 3.0 564.12 Case 3.1 574.13 Case 3.2 594.14 Case 3.3 604.15 C

ase 3.4 624.16 Case 4.0 634.17 Case 4.1 654.18 Case 4.2 664.19 Case 4.3 684.20 Case 4.4 694.21 FID阻隔效果比較 715 第五章 結論與建議 745.1 結論 745.2 建議與未來實驗方向 75符號彙編 76參考文獻 78

運用FMEA分析無塵室氣體分子汙染問題

為了解決foup家登的問題，作者陳宜楣 這樣論述：

半導體在生產各段製程上皆使用化學品作業，過程中不能受到一點汙染，否則會造成晶圓上的缺陷(defect)，影響良率。隨著製程演進、晶圓的線寬(Line-width)越來越小，汙染物影響製程機率越來越高，故汙染物的控制是未來半導體目標與挑戰。本研究主要以無塵室內氣體分子汙染(Airborne Molecular Contaminant, AMC)為研究主題，找出其影響良率不良之因素。目前AMC與良率的相互影響性，單純確認關鍵設備與製程參數無法完整呈現其關聯性，有研究表示在製程中使用多種化學品的複雜製程不一定會在環境中產生高濃度AMC風險；晶片生產環境過程中高濃度AMC不一定會導致產品不良；相反地

，材料及非生產過程問題也有可能會導致產品檢測失敗的機率。因此應把環境變數納入考量，而生產環境是即時性變化不容易發現，因此本研究利用失效模式與效應分析(Failure modes and effects analysis, FMEA)從過去案例找到關鍵失效原因，分析其解決方式。 失效模式與效應分析(Failure modes and effects analysis, FMEA)，是一個有系統的分析方式用來找出潛在的「失效」因子，主要目標是預防「失效」的發生，能達到最小化失誤的機率。因此選擇此方法來探討發生原因，歸納出影響整體性之環境變數，提供相關領域人員參考。本研究透過相關文獻與業界專家訪談

，利用「特性要因法」找出過去所忽略的潛在失效模式，將失效模式分等級，並說明對製造程序的影響，接著由業界專家客觀評估各個失效因子嚴重度(S)、發生度(O)、偵測度(D)的等級評估，數據結果經過公式計算求得風險優先指數(Rish Priority Number, RPN)，最後將得到的數據與專家討論出問題分析模式。