eda工具的問題，透過圖書和論文來找解法和答案更準確安心。 我們找到下列懶人包和總整理

Verilog2001及SystemVerilog入門指引(第三版)

為了解決eda工具的問題，作者具再熙 這樣論述：

　　電路設計小型化和系統化是未來的趨勢，傳統電路層級的設計已不能滿足複雜化和小型化的要求，新一代的SystemVerilog一經提出，便已受到廣大的關注，在短短的幾年內，便得到所有EDA大場的全力支持，而且也得到IEEE認可為新的標準，做為IC設計的第二大國，我們不能忽視這個潮流。藉由本書大量的範例，可增加演練的機會，相信一定能提升電路設計的能力。本書適用於大學、科大電子、電機、資工系「硬體描述語言」並且使用Verilog之課程使用。

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NTOU18F2410微控制器與SPI通訊模組之VLSI設計

為了解決eda工具的問題，作者陳彥佑 這樣論述：

本論文旨在開發一個含有SPI通訊模組功能之微控制器，基於上述目的，本論文以Microchip公司之PIC18控制器之datasheet作為開發基礎，再將自行設計之串列周邊介面(Serial Peripheral Interface, SPI)通訊模組架構整合於此微控制器(Microcontroller Unit, MCU)之架構中，如此一來這顆我們自己客製化的NTOU18F2410便誕生了，其同時具有SPI通訊模組的功能與完善的核心功能。在本論文中所提出的NTOU18F2410及SPI通訊模組架構可相容於PIC18F2X1X 之指令集，並與周邊裝置進行整合。再利用Modelsim驗證模擬工具

進行初步功能驗證，再透過Altera Cyclone V SoC FPGA進行燒錄實現後，進行二次驗證，以確保NTOU18F2410核心架構與SPI通訊模組功能均正常，最後再利用台灣半導體研究中心(TSRI)提供的EDA工具，透過台積電TSMC 0.18μm製程技術，依序進行Design Compiler邏輯合成、APR平面配置與佈局繞線，最後再檢查DRC、LVS、VCSXA等驗證流程，最終即完成可下線之佈局圖。所設計出的NTOU18F2410 MCU之佈局面積為1.300 mm × 1.300 mm，最後再進行仿真驗證(Post-Simulation)，其模擬時脈為100MHz。

「后摩爾時代」微納電子學

為了解決eda工具的問題，作者國家自然科學基金委員會 這樣論述：

微納電子學是資訊技術學的基礎，是資訊時代產業發展的基石。《中國學科發展戰略·“後摩爾時代”微納電子學》依據微納電子學科的生態系統，將該學科細化為“後摩爾時代新型器件基礎研究”“基於新材料的器件與集成技術基礎研究”“新工藝基礎研究”“設計方法學基礎研究”“集成微系統技術基礎研究”五個領域進行具體闡述，通過對微納電子學發展歷程的研究，提煉出“摩爾時代”微納電子學研究的一般性規律和方法；通過對微納電子學當前研究前沿熱點的跟蹤，預測出“後摩爾時代”微納電子學的發展趨勢；並在此基礎上結合我國目前該學科的發展狀況，提出相關的政策建議。 總序 i 摘要 v Abstract ix 第一

章 緒論 1 第一節 微納電子學科的科學意義與戰略價值 1 一、科學發展的歷史軌跡 1 二、資訊的市場需求與技術推動 13 三、微納電子學科的戰略價值 31 第二節 微納電子學科的發展規律和特點 36 一、微納電子學科的發展 36 二、微納電子技術產業鏈的發展 46 第三節 我國微納電子學科的發展 64 一、20世紀我國微納電子學科的發展 64 二、21世紀我國微納電子學科的發展 70 第四節 微納電子學科發展的障礙與“後摩爾時代”的來臨 72 一、微納電子學科發展的障礙 72 二、微納電子學科的發展方向 76 第五節 對我國“後摩爾時代”微納電子學科發展的建議 102 一、基礎研究工作要提前

10年進行戰略部署 102 二、以提高器件性能/功耗比為切入點 102 三、注重軟硬體協同發展 105 四、R&D要保障高強度的持續投入 107 五、制定並實施有利於微納電子學科發展的政策 108 六、人才培養 109 本章參考文獻 110 第二章 器件 113 第一節 概述 113 第二節 國內外器件研究進展和發展趨勢 116 一、摩爾定律延續背景下的器件研究現狀 116 二、存儲領域內的器件小型化和新器件研究現狀 125 三、新材料器件和新機理器件 138 四、“後摩爾時代”器件發展趨勢的總結 151 第三節 “後摩爾時代”器件研究面臨的挑戰與機遇 152 第四節 “後摩爾時代”器件研究

的關鍵技術 154 第五節 器件研究發展的相關政策建議 156 本章參考文獻 158 第三章 材料 160 第一節 概述 160 一、基於新材料的矽基器件 161 二、化合物半導體器件與集成技術 162 三、基於新材料的矽基集成技術 163 四、基於CMOS工藝的矽基混合光電集成技術 164 第二節 基於新材料的器件及其集成技術研究的國內外研究現狀與發展趨勢 165 一、歷史梳理 167 二、規律總結 187 三、基於新材料的器件及其集成技術研究的發展趨勢 193 第三節 “後摩爾時代”基於新材料的器件及其集成技術面臨的挑戰與機遇 201 一、新材料體系的原子級調控與生長動力學 201 二、

大尺寸、大失配矽基化合物半導體材料生長 202 三、超高頻、超強場、納米尺度下載流子輸運機理與行為規律 203 四、基於新材料的集成技術中電、磁、熱傳輸機制與耦合機制 204 五、基於新材料的器件和電路可靠性機理 205 第四節 基於新材料的器件及其集成技術研究中的若干關鍵技術 206 一、大失配異質外延中的生長動力學與缺陷控制 207 二、大尺寸矽基GaN和SiC單晶的材料製備技術 208 三、化合物器件的介面控制 211 四、納米尺度下非平衡載流子輸運機理與量子力學問題 212 五、光電子與CMOS工藝相容技術 212 六、矽基化合物器件和高壓、大功率器件的可靠性問題 212 第五節 基於

新材料的器件及其集成技術研究學科發展方向建議 213 一、技術現狀的反思及建議 214 二、產業層面的反思及建議 215 三、政策層面的反思及建議 216 四、人才培養層面的反思及建議 217 五、對外交流和合作層面的反思及建議 217 六、鼓勵創新 217 本章參考文獻 218 第四章 工藝 225 第一節 概述 225 第二節 積體電路新工藝的國內外研究現狀與發展趨勢 230 一、歷史梳理 230 二、規律總結 243 三、積體電路新工藝技術的發展趨勢 246 第三節 “後摩爾時代”積體電路新工藝基礎研究面臨的挑戰與機遇 260 第四節 積體電路新工藝基礎研究中的若干關鍵技術 266 一

、計算光刻技術 267 二、定向自組裝技術 269 三、EUV光刻技術 269 四、納米壓印技術 270 五、束曝光技術 271 六、新型溝道材料 273 七、存儲工藝技術 274 八、新型互連工藝 286 九、新型封裝技術 288 十、大生產相關技術 304 第五節 積體電路新工藝學科發展方向建議 305 本章參考文獻 311 第五章 設計 325 第一節 概述 325 一、積體電路設計方法學的基本概念與範疇 325 二、EDA 在積體電路設計中的作用 327 三、積體電路設計流程及EDA工具的組成 328 第二節 國內外積體電路設計方法學與EDA工具發展狀況 333 一、國外發展歷史、現

狀 333 二、國內發展歷史、現狀 334 三、發展過程 335 四、未來發展趨勢 337 五、“後摩爾時代”積體電路設計面臨的挑戰和機遇 338 第三節 “後摩爾時代”積體電路設計需要突破的關鍵技術 372 一、面向新型器件的設計方法與設計流程 372 二、應對工藝漂移與擾動的設計方法和EDA技術 374 三、支援DFM/DFY的EDA技術 374 四、3D互連/3D封裝設計方法與EDA技術 374 五、複雜積體電路的設計驗證方法與EDA技術 380 六、極低功耗積體電路設計方法與EDA技術 380 七、海量積體電路設計資料處理技術 383 八、協同化設計驗證技術 384 第四節 學科發展方

向建議 387 一、系統級自動化設計理論與技術研究 388 二、DFM/DFY/DFR相關理論與數學分析方法研究 388 三、超低功耗積體電路設計方法研究 389 四、可重構計算架構研究 389 本章參考文獻 391 第六章 微機電系統 392 第一節 概述 392 第二節 集成微系統技術的國內外研究現狀與發展趨勢 394 一、歷史梳理 394 二、規律總結 396 三、集成微系統技術的發展趨勢 397 四、我國在該領域具有的優勢及產業已有的突破 400 第三節 “後摩爾時代”集成微系統技術面臨的挑戰與機遇 401 一、集成微系統技術在“後摩爾時代”的主要挑戰和機遇 401 二、國內外差距分

析 406 第四節 集成微系統技術中的若干關鍵技術 411 一、複雜三維結構的製造方法 412 二、集成微系統可控性製造技術 417 三、微系統的集成方法 420 四、模型與類比 424 五、集成微系統封裝技術 425 六、器件及應用關鍵技術 428 第五節 集成微系統技術學科重點發展方向建議 429 一、複雜集成微系統加工新方法研究 430 二、微納複合器件和系統研究 431 三、網路化集成微系統研究 432 四、生物微系統研究 432 本章參考文獻 433 關鍵字索引 436

輔助IC佈局設計的TCL工具程式開發

為了解決eda工具的問題，作者陳奕斌 這樣論述：

基於方便IC佈局設計，本文利用Tool Command Language(TCL)來設計工具程式。我們實現了三款工具程式，第一款可以自動產生密封環(Seal Ring)，以防止晶圓切割時的應力導致晶片毀損，並防止濕氣從晶片邊緣進入晶片。第二款可以達到自動產生隔離環(Isolation Ring)，應用於高壓晶片中低壓電路所需要的電位、雜訊隔離。過往僅有提供Virtuoso的PDK有隔離環元件且為矩形，使用時容易造成面積的浪費。本文的Isolation Ring工具程式可應用於Laker佈局軟體，根據佈局圖形的輪廓，產生多邊形的Isolation Ring，有效的減少面積浪費。第三款工具程式可

以進行Redundant CONT/VIA的檢查，以避免CONT/VIA毀損所導致的良率降低。本文也開發了佈局驗證工具Calibre的DRC command file來檢查驗證Redundant CONT/VIA。